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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明屬于抗生素佐劑領(lǐng)域，具體涉及蘋果酸的應(yīng)用和一種抗菌組合物。本發(fā)明公開了一種蘋果酸的抗菌應(yīng)用及其作為四環(huán)素類抗生素增效劑的應(yīng)用，發(fā)現(xiàn)其能夠大幅提高氨芐青霉素及四環(huán)素的抗菌作用，逆轉(zhuǎn)耐藥菌株耐藥性。同時，本發(fā)明還提供了兩種抗菌組合物。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種足底健康篩查方法，屬于足底篩查技術(shù)領(lǐng)域，先站立在光學(xué)足底鏡上，區(qū)分出腳掌與透明玻璃面的接觸部位與未接觸部位，即采用光學(xué)足底鏡獲取足底印記圖，通過攝像頭采集足底印記圖上傳至云端；對采集到的圖像進行圖像處理，分割出來整個足底區(qū)域...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于孕產(chǎn)婦睡眠監(jiān)測的iRBD篩查系統(tǒng)及方法，涉及醫(yī)療健康監(jiān)測技術(shù)領(lǐng)域，該方法通過穿戴設(shè)備連續(xù)采集ACC和PPG信號；將預(yù)處理后的特征輸入預(yù)訓(xùn)練的Transformer模型，實時輸出睡眠階段標(biāo)簽，實時識別REM睡眠期；計算RE...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及醫(yī)療器械技術(shù)領(lǐng)域，內(nèi)窺鏡包括操作部、插入部和彎曲部，其中，操作部包括支撐組件、軸套、第二轉(zhuǎn)軸和第二彈性件，支撐組件設(shè)置有安裝部；軸套固定于安裝部的開口處，軸套形成有第一限位部；第二轉(zhuǎn)軸設(shè)有與第一限位部相匹配的第二限位部，第一限位部...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及醫(yī)療器械技術(shù)領(lǐng)域，提供一種電控內(nèi)窺鏡。電控內(nèi)窺鏡包括鏡體、水氣插頭和光電插頭，鏡體的操作部的表面設(shè)有第一光電通信接口和水氣接口；水氣插頭包括連接座和水氣導(dǎo)管，水氣導(dǎo)管連接于連接座的一端，連接座的另一端用于與水氣接口可拆卸連接；光電...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種多規(guī)格煙支輸送及外觀檢測設(shè)備，包括機架、煙堆輸送機構(gòu)、分開取煙機構(gòu)、煙支縱向定位機構(gòu)、煙支輸送機構(gòu)、煙支旋轉(zhuǎn)機構(gòu)、外觀檢測組件、剔除機構(gòu)。所述煙堆輸送機構(gòu)對儲煙框內(nèi)的煙堆進行輸送，供給分開取煙機構(gòu)煙支。所述分開取煙機構(gòu)通過取煙...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種ZJ17型卷煙機飛煙檢測系統(tǒng)及方法，該系統(tǒng)包括：紅外傳感模塊，包括安裝在蜘蛛手旋轉(zhuǎn)路徑上的第一紅外傳感器、接煙輪檢測區(qū)域的第二紅外傳感器以及吸爪計數(shù)區(qū)的第三紅外傳感器；信號處理模塊及電源適配模塊；邏輯控制模塊，控制實現(xiàn)飛煙檢...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于農(nóng)業(yè)病蟲害防治技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種防治軟體動物的含磷酸鐵的組合物，包括磷酸鐵和抗壞血酸，磷酸鐵和抗壞血酸的質(zhì)量比為5:1?1:20。上述組合物可用于防治軟體動物，所述軟體動物選自蝸牛、蛞蝓。本發(fā)明提供的組合物以抗壞血酸為增效劑，能...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種圖像傳感器產(chǎn)品的第一重側(cè)墻制造方法，提供半導(dǎo)體襯底，在襯底上形成有邏輯器件區(qū)域，其包括輸入/輸出器件的N型阱區(qū)與P型阱區(qū)，以及核心器件的N型阱區(qū)與P型阱區(qū)，不同阱區(qū)之間通過淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)進行隔離；在襯底上依次形成柵極氧化層和柵...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種改善CMOS圖像傳感器暗電流及可靠性性能的方法，在完成第一介質(zhì)層上已形成金屬互連結(jié)構(gòu)并經(jīng)過平坦化后的晶圓表面，形成第一SiCN層；在SiCN層上形成第二介質(zhì)層；通過光刻工藝在第二介質(zhì)層表面形成重分布通孔圖形；執(zhí)行刻蝕工藝形成重...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種EOS防護器件。包括中心區(qū)域和鄰近區(qū)域。中心區(qū)域含第一、二導(dǎo)電類型阱區(qū)，僅形成有第二導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)，位于兩種阱區(qū)內(nèi)。鄰近區(qū)域含第一、二導(dǎo)電類型阱區(qū)，兩種阱區(qū)內(nèi)均形成有第一和第二導(dǎo)電類型的重?fù)诫s區(qū)。通過控制鄰近區(qū)域阱間距D2大...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種可控硅整流器靜電保護器件，包括：第一導(dǎo)電類型襯底；第一導(dǎo)電類型外延層(PEPI)；以及設(shè)置在PEPI內(nèi)的第一導(dǎo)電類型阱區(qū)(PW)和第二導(dǎo)電類型阱區(qū)(NW)。關(guān)鍵在于，器件還包括設(shè)置在PW內(nèi)且至少一部分橫跨PW/PEPI結(jié)區(qū)的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種雙向可控硅整流器器件。該器件為對稱結(jié)構(gòu)，包括中央第一導(dǎo)電類型阱區(qū)(接第一端)及兩側(cè)的側(cè)翼第一導(dǎo)電類型阱區(qū)(接第二端)，并設(shè)置有內(nèi)側(cè)和外側(cè)第二導(dǎo)電類型阱區(qū)。關(guān)鍵在于，在第一導(dǎo)電類型阱區(qū)內(nèi)設(shè)置浮空的第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)域，用于提...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種雙極晶體管與場效應(yīng)晶體管的集成方法，在半導(dǎo)體襯底上執(zhí)行雙極晶體管埋層離子注入，之后在襯底上形成外延層并在外延層上形成器件隔離結(jié)構(gòu)；在襯底上執(zhí)行場效應(yīng)晶體管器件制造工藝；在場效應(yīng)晶體管器件制造完成后，通過多步不同能量梯度的離子注...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制備方法，制備方法中，通過在濕法刻蝕去除低壓器件區(qū)的第二柵氧化層和第一柵氧化層之前，采用LPCVD工藝形成一層致密的第二柵氧化層，致密的第二柵氧化層和第一柵氧化層的組合可以避免在濕法過刻蝕時，濕法藥液誤蝕刻襯底進...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法。該方法包括：提供襯底，依次形成絕緣層和下電極金屬層，并對下電極金屬層進行第一熱退火；在下電極金屬層上形成電介質(zhì)層，并在含氧氣氛下對電介質(zhì)層進行第二熱退火；在電介質(zhì)層上形成上電極金屬層，并對上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供的一種分柵快閃存儲器及其形成方法，通過將浮置柵極的一部分置于溝槽內(nèi)，并在其側(cè)旁形成源極線路多晶硅，構(gòu)建了立體的源極?浮置柵極耦合結(jié)構(gòu)。這種設(shè)計能夠在不犧牲甚至優(yōu)化耦合系數(shù)的前提下，有效減小浮置柵極在平面上的尺寸，從而極大地有利于實...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N閃存器件及其制備方法，在制備方法中，通過刻蝕淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，使得超出所述襯底表面的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)在橫向上的關(guān)鍵尺寸進一步收縮，接著繼續(xù)向下刻蝕部分淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，以形成第二溝槽，然后在第二溝槽中淀積ONO膜層并填充控制柵層...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)中心的液冷系統(tǒng)。液冷系統(tǒng)包括機柜和連接于機柜的液冷機構(gòu)；液冷機構(gòu)包括至少部分安裝在機柜內(nèi)的一次側(cè)循環(huán)管路、循環(huán)路徑獨立于一次側(cè)循環(huán)管路的二次側(cè)循環(huán)管路及連接在一次側(cè)循環(huán)管路和二次側(cè)循環(huán)管路上的板換；板換固定于機柜內(nèi)，用于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種高可靠性半孔槽AI算力卡PCB的制造方法，先進行前工序處理，包括基板開料等；接著激光鉆孔，控制孔徑公差±12.5um，經(jīng)等離子清洗后填孔電鍍，形成18μm銅層，再減銅；之后外層鉆孔，控制孔位精度±0.075mm，經(jīng)板電鍍銅、外...
								
            
							
            
							
						
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