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								      本申請?zhí)峁┮环N確定聚合帶寬的方法，可以通過UE的能力、自感知的過程或者收發(fā)分離的過程為至少一個聚合帶寬確定滿足感知性能要求的第一聚合帶寬。這樣，網(wǎng)絡設備(如：基站)在后續(xù)為UE配置要發(fā)送感知參考信號或信道的聚合帶寬時，就可以配置符合感知性能...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N通信方法及通信裝置，該方法中，第二裝置可以向第一裝置發(fā)送第一條件和第二條件，從而向第一裝置指示執(zhí)行切換時需要滿足的觸發(fā)條件；對應的，第一裝置接收第一條件和第二條件，并且可以基于第一條件和/或第二條件觸發(fā)切換至第一小區(qū)或第二小區(qū)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種網(wǎng)絡接入的控制方法、裝置及通信設備，屬于無線通信技術領域，本申請實施例的網(wǎng)絡接入的控制方法包括：第一設備獲取第一信息，所述第一信息為網(wǎng)絡切片的能量相關信息；所述第一設備根據(jù)所述第一信息對所述網(wǎng)絡切片執(zhí)行第一操作，所述第一操作...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種網(wǎng)絡設備的接入方法和通信裝置，涉及通信技術領域，能夠使得終端設備根據(jù)網(wǎng)絡設備的工作模式確定接入網(wǎng)絡設備，以提升終端設備的數(shù)據(jù)傳輸效率。該方法包括：接收系統(tǒng)信息，系統(tǒng)信息用于指示第一網(wǎng)絡設備的工作模式，工作模式為存儲和轉...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例提供一種數(shù)據(jù)發(fā)送方法、數(shù)據(jù)接收方法、裝置及存儲介質(zhì)，涉及通信技術領域，用于調(diào)整信道中各個傳輸層的傳輸功率，避免各個傳輸層之間的傳輸功率相差較大而影響傳輸性能。該數(shù)據(jù)發(fā)送方法包括：接收第二節(jié)點發(fā)送的信道狀態(tài)信息CSI；其中，CSI...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種信息傳輸方法、裝置及相關設備，屬于通信技術領域，本申請實施例的信息傳輸方法包括：終端接收核心網(wǎng)設備發(fā)送的第一信息，所述第一信息用于指示所述終端應用的目標人工智能AI定位模型或功能，所述目標AI定位模型或功能與接入網(wǎng)設備應用的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種資源分配方法和裝置，該方法包括：第一通信裝置確定第一傳輸資源，第一傳輸資源包括M個傳輸塊分別對應的傳輸資源，M個傳輸塊中至少兩個傳輸塊對應的傳輸資源的大小不相等，M為大于1的整數(shù)；再基于第一傳輸資源，得到用于傳輸M個傳輸塊的M個第二傳輸...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種傳輸方法、設備及存儲介質(zhì)，該方法包括：接收第二設備發(fā)送的第一指示信息，所述第一指示信息用于指示至少一個參數(shù)集合，每個參數(shù)集合包括至少一個參數(shù)，所述參數(shù)為資源或傳輸格式，至少一個參數(shù)集合中的參數(shù)數(shù)量大于1；從所述至少一個...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種PPDU傳輸方法、裝置及可讀存儲介質(zhì)，該方法包括：AMP設備發(fā)送AMP PPDU，該AMP PPDU包括信令字段和有效載荷，信令字段用于指示有效載荷的MCS，有效載荷的MCS是MCS參數(shù)表中的一種MCS，MCS參數(shù)表中下行傳輸...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N干擾規(guī)避調(diào)度方法、網(wǎng)絡設備、終端、裝置及存儲介質(zhì)，該方法包括：網(wǎng)絡設備基于RRU的上行IOT測量結果確定多RRU小區(qū)內(nèi)各RRU的上行受干擾狀態(tài)，和/或，基于終端的下行速率相關指標或者終端上報的CSIIM干擾值確定多RRU小區(qū)內(nèi)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種通信方法及裝置，該方法包括：接入點采用非主信道接入方式從非主信道切換到主信道后，向站點發(fā)送傳輸機會TXOP初始控制幀；基于是否接收到確認幀進行信道接入。采用本申請實施例，避免了由于主信道上的OBSS TXOP發(fā)生變化產(chǎn)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N接入網(wǎng)系統(tǒng)、感知處理方法以及通信裝置，該接入網(wǎng)系統(tǒng)是在傳統(tǒng)的CU?DU分離架構中的RAN設備中增設了網(wǎng)絡控制設備。該網(wǎng)絡控制設備能夠通過第一接口和第二接口建立至少一個RU與至少一個DU之間的第一連接，此外，該網(wǎng)絡控制設備還能...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開是關于一種無線鏈路數(shù)據(jù)的處理方法、裝置及存儲介質(zhì)，所述方法包括：終端設備在當前駐留的第一小區(qū)由于第一隨機接入RACH失敗導致第一無線鏈路故RLF的情況下，在所述第一小區(qū)觸發(fā)無線鏈路控制RRC重連；在所述RRC重連成功的情況下，確定是否...
								
            
							
            
							
						
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								      一種具有并聯(lián)定序功能的發(fā)光二極管電路、電路封裝以及燈串，其中該發(fā)光二極管電路包括內(nèi)部電阻、模擬/數(shù)字轉換電路、驅動電路以及電流源。內(nèi)部電阻具有第一端與第二端，第一端與第二端分別連接于電源線的輸入端與輸出端。輸入端耦接控制器以接收控制器產(chǎn)生的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種電路板包括：基板、處理器插槽、至少一個動態(tài)隨機存取內(nèi)存插槽、至少一個周邊組件互連快速插槽、以及第一連接插槽，其中第一連接插槽設置在基板上并配置為連接擴展電路板，電路板適用于第一類機箱規(guī)格，當電路板與擴展電路板連接并布置在同一平面時，電路...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種散熱組件、光籠子組件、光通信設備和散熱方法，屬于散熱技術領域。散熱組件包括散熱器和電控磁吸裝置。散熱器用于安裝在光籠子的開窗處，并用于與光模塊貼合。電控磁吸裝置固定于散熱器，電控磁吸裝置用于在通電狀態(tài)下產(chǎn)生磁吸力。當光模塊插...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體器件及其制造方法、電子設備，制造方法包括：在襯底上形成圖案化的堆疊結構，堆疊結構包括多個通孔、多個溝槽；在所述溝槽的內(nèi)壁上形成刻蝕阻擋層并在所述溝槽內(nèi)填滿犧牲層；在所述通孔內(nèi)對所述第一絕緣層進行橫向刻蝕，露出所述刻蝕阻擋層；去除所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體器件及其制備方法、電子設備。半導體器件包括：半導體層，包括相互連接的主體部、第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部和第二延伸部沿平行于襯底的橫向延伸，主體部沿垂直于襯底的縱向延伸；柵極層，沿縱向延伸，主體部為沿縱向延伸的環(huán)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種半導體結構及其制備方法、存儲系統(tǒng)、電子設備，涉及半導體芯片技術領域，旨在解決如何提高半導體結構的生產(chǎn)良率。半導體結構的制備方法包括形成中間半導體結構；中間半導體結構包括多個有源柱、多個柵極層和多個屏蔽層。形成第一層間絕緣層；...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體器件及其制造方法、電子設備，所述半導體器件包括：多個存儲單元，分布于不同層、沿著垂直于襯底的方向堆疊且周期性分布；所述存儲單元包括晶體管；所述晶體管包括單晶硅柱、至少部分環(huán)繞所述單晶硅柱的柵電極和位于所述單晶硅柱與所述柵電極之間的...
								
            
							
            
							
						
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