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          • 本發(fā)明公開了一種非晶帶材磁芯卷繞裝置,涉及磁芯制備相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,包括機(jī)架和設(shè)置在機(jī)架上的放卷輥,還包括:轉(zhuǎn)動軸:所述轉(zhuǎn)動軸轉(zhuǎn)動安裝在機(jī)架的一側(cè),所述轉(zhuǎn)動軸的外表面設(shè)置有收卷盤,且所述收卷盤與機(jī)架轉(zhuǎn)動連接,所述收卷盤上開設(shè)有用于穿設(shè)非晶帶材磁...
          • 本發(fā)明公開了一種用于微型變壓器線圈的浸漆處理裝置,涉及變壓器生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供一種用于微型變壓器線圈的浸漆處理裝置,包括有機(jī)架等,機(jī)架轉(zhuǎn)動連接有蓋板,機(jī)架放置有放置架,放置架滑動連接有孔板,機(jī)架滑動連接有成對縱向分布的連接塊,機(jī)架...
          • 本發(fā)明公開了一種斷電自持復(fù)位型磁保持控制器及其控制方法,涉及電開關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明旨在提供一種具備斷電狀態(tài)保持與上電安全復(fù)位功能的節(jié)能可靠繼電器。本發(fā)明涵蓋電源模塊、輸入信號處理與隔離模塊、微控制器、繼電器驅(qū)動電路、磁保持繼電器等多個模塊...
          • 本發(fā)明涉及芯片加工技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種集成電路芯片的封裝加工裝置,包括立柱,立柱的外側(cè)依次套設(shè)有套管和管座,套管的端部套接有活動管,套管的外表面上設(shè)有環(huán)狀槽體和導(dǎo)向槽,環(huán)狀槽體位于管座的內(nèi)側(cè),導(dǎo)向槽位于活動管的內(nèi)側(cè),活動管上安裝有沿導(dǎo)向槽...
          • 本申請涉及半導(dǎo)體封裝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種多功能半自動的綁線工作平臺,包括控制柜,所述控制柜上表面固定連接在直線導(dǎo)軌底壁一側(cè),所述直線導(dǎo)軌底壁另一側(cè)固定連接有底板,所述底板底壁固定連接在綁線機(jī)的承載臺上,所述直線導(dǎo)軌上滑動連接有多螺紋孔位...
          • 本申請涉及一種雙固晶臺振動盤上料固晶機(jī),涉及固晶機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,其包括在工作臺上設(shè)置出料裝置與上料裝置,出料裝置含振動盤、直振板和放料臺,上料裝置含固定架、兩個固晶臺、多個擺臂和取料組件,還包括放料臺配備負(fù)壓管、吹料管及各類感應(yīng)器,設(shè)置防抖結(jié)構(gòu)...
          • 本申請?zhí)峁┮环N增強(qiáng)晶圓對準(zhǔn)精度的方法和結(jié)構(gòu),該增強(qiáng)晶圓對準(zhǔn)精度的方法,包括:提供晶圓,并在晶圓上形成多組晶向標(biāo)記,各組晶向標(biāo)記以晶圓的圓心為對稱中心而旋轉(zhuǎn)對稱分布在晶圓兩側(cè)的扇形區(qū)域內(nèi),扇形區(qū)域的角平分線與晶圓上的晶向平邊平行。在多組晶向標(biāo)...
          • 本發(fā)明提供一種陶瓷靜電吸盤,屬于靜電吸盤技術(shù)領(lǐng)域,其包括:基體組件、調(diào)節(jié)組件和控制組件,基體組件由絕緣基座、內(nèi)殼體和絕緣頂蓋,內(nèi)殼體內(nèi)部固定安裝有散熱機(jī)構(gòu),且散熱機(jī)構(gòu)上方固定安裝有電極層,絕緣頂蓋頂面固定安裝有吸附組件,調(diào)節(jié)組件頂端延伸至絕...
          • 本發(fā)明公開了一種多級支撐式石英舟固定載具,涉及石英材料產(chǎn)品加工技術(shù)領(lǐng)域,包括底座,底座的頂部固定安裝有載具架,還包括:固定組件,設(shè)置在底座的頂部兩側(cè),固定組件包括固定架,定位組件,設(shè)置在載具架的兩側(cè),固定架,對稱安裝在底座的頂部兩側(cè),兩個固...
          • 本申請公開了一種散熱基板及其制備方法和應(yīng)用,本申請?zhí)峁┑纳峄宓闹苽浞椒ǎㄒ韵虏襟E:提供一金屬基板本體,在金屬基板本體上加工凹槽,將復(fù)合導(dǎo)熱材料填充至凹槽內(nèi),再加蓋與凹槽匹配的蓋板得到生胚;將生胚在600℃~1150℃下進(jìn)行熱壓燒結(jié),...
          • 本申請實施例提供的一種倒裝芯片的偏移測量系統(tǒng)和測量方法,該測量系統(tǒng)包括由出射光束波長不同的第一光源和第二光源、成像組件和處理組件,通過控制第一光源出射第一光束穿透倒裝芯片并在深層照射第一標(biāo)靶,并從第一探測器獲取包含第一標(biāo)靶的第一圖像;控制第...
          • 本申請公開了一種基于SIP的多通道收發(fā)模塊及其裝配方法,屬于射頻微系統(tǒng)集成技術(shù)領(lǐng)域;其包括多個芯片和PCB母板,將多個芯片按功能分別封裝到不同的SIP殼體中,形成功分器SIP、雙向放大器SIP、雙通道收發(fā)SIP、柵漏壓調(diào)制SIP和溫補(bǔ)衰減S...
          • 本發(fā)明公開了一種固態(tài)電解質(zhì)?正極一體化部件及其制備方法和鋰金屬固態(tài)電池,先將Li3InCl6吸附于正極活性材料上,再進(jìn)行兩段煅燒,得到復(fù)合粉末I;再直接將蔗糖覆于復(fù)合粉末I上煅燒造孔,得到復(fù)合粉末...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N負(fù)極活性材料及其制備方法、鈉離子電池用負(fù)極、鈉離子電池及用電裝置。該負(fù)極活性材料,包括:氮摻雜碳球基體和嵌入所述氮摻雜碳球基體內(nèi)部的一氧化錳;所述一氧化錳的平均粒徑為1.5nm~2.5nm。上述負(fù)極活性材料中,將量子點級的M...
          • 本申請實施例提供了一種電池單體、電池裝置、用電裝置及儲能裝置。電池單體包括正極極片,正極極片包括正極集流體、設(shè)置在正極集流體表面至少一側(cè)的正極膜層和設(shè)置在正極膜層表面遠(yuǎn)離正極集流體的一側(cè)的功能層,正極膜層包括正極活性材料,正極活性材料包括層...
          • 本申請涉及液流電池電極技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種鈮基絡(luò)合物衍生電極及其制備方法與應(yīng)用,其中,制備方法包括以下步驟:將含氮雜環(huán)配體的溶液緩慢加入到由第一金屬源、第二金屬源和表面活性劑組成的混合溶液中,得到鈮基雙金屬絡(luò)合物;將鈮基雙金屬絡(luò)合物、造孔劑...
          • 本發(fā)明公開了一種固態(tài)儲氫燃料電池系統(tǒng)熱管理方法,涉及燃料電池技術(shù)領(lǐng)域,包括利用空壓機(jī)壓縮熱對固態(tài)儲氫模塊升溫、利用燃料電池尾氣催化氫氣加熱以及燃料電池冷卻回路與固態(tài)儲氫模塊串聯(lián)這三種方式,本發(fā)明采用空壓機(jī)氣體加熱,可以減少燃料電池系統(tǒng)的輔助...
          • 本發(fā)明公開了一種基于梯度聚合物/離子液體復(fù)合粘結(jié)劑的硫化物固態(tài)電解質(zhì)膜的制備方法及其應(yīng)用、全固態(tài)電池,屬于全固態(tài)電池技術(shù)領(lǐng)域。所述方法通過梯度涂布工藝,先涂覆聚合物/離子液體/硫化物電解質(zhì)復(fù)合層,利用離子液體的塑化作用在低壓力下填充顆粒間隙...
          • 本申請公開一種電解質(zhì)膜及其制備方法、以及全固態(tài)電池。所述電解質(zhì)至少包括:無機(jī)電解質(zhì);有機(jī)電解質(zhì)復(fù)合物,所述有機(jī)電解質(zhì)復(fù)合物包括:多孔材料;以及有機(jī)電解質(zhì)。本申請通過將多孔吸附的有機(jī)電解質(zhì)引入得到電解質(zhì)復(fù)合物,能夠使具有該電解質(zhì)復(fù)合物的固態(tài)電...
          • 本申請?zhí)峁┮环N固態(tài)電池,所述固態(tài)電池包括正極、負(fù)極以及固態(tài)電解質(zhì)層,所述固態(tài)電解質(zhì)層設(shè)置于所述正極與所述負(fù)極之間;所述正極包括正極活性物質(zhì)和第一無機(jī)固態(tài)電解質(zhì);所述正極活性物質(zhì)包括正極活性材料和包覆于正極活性材料表面的聚合物電解質(zhì);所述固態(tài)...
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