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          • 本文公布了一種環戊烯氧化反應的Mo@Hol?Z5催化劑的制備方法。屬于化學合成方面的應用,具體催化環戊烯向戊二醛的轉化。該方法所得到的催化劑結晶度高,能夠精確酸性位點分布。所合成的分子篩限域封裝金屬氧化物催化劑Mo@Hol?Z5也顯示出優異...
          • 本發明屬于中藥技術領域,涉及一種治療腦梗死后肢體麻木的外用中藥組合物及其制備方法和應用。所述中藥組合物,按照重量份計,由以下原料藥制成:伸筋草15份,牛膝15份,桑寄生15份,川芎15份,雞血藤15份,刺五加15份,透骨草10份,地龍10份...
          • 本發明涉及醫藥技術領域,具體涉及一種藏藥組合物在制備預防或者治療急性肺損傷的藥物中的用途,本發明提供的藏藥組合物的用途,通過叢菔、巖白菜、紫草茸和甘草在特定配比下搭配使用對LPS誘導的大鼠急性肺部損傷具有良好的治療作用。
          • 本發明屬于抗生素佐劑領域,具體涉及蘋果酸的應用和一種抗菌組合物。本發明公開了一種蘋果酸的抗菌應用及其作為四環素類抗生素增效劑的應用,發現其能夠大幅提高氨芐青霉素及四環素的抗菌作用,逆轉耐藥菌株耐藥性。同時,本發明還提供了兩種抗菌組合物。
          • 本發明公開了一種足底健康篩查方法,屬于足底篩查技術領域,先站立在光學足底鏡上,區分出腳掌與透明玻璃面的接觸部位與未接觸部位,即采用光學足底鏡獲取足底印記圖,通過攝像頭采集足底印記圖上傳至云端;對采集到的圖像進行圖像處理,分割出來整個足底區域...
          • 本發明提供了一種基于孕產婦睡眠監測的iRBD篩查系統及方法,涉及醫療健康監測技術領域,該方法通過穿戴設備連續采集ACC和PPG信號;將預處理后的特征輸入預訓練的Transformer模型,實時輸出睡眠階段標簽,實時識別REM睡眠期;計算RE...
          • 本發明涉及醫療器械技術領域,內窺鏡包括操作部、插入部和彎曲部,其中,操作部包括支撐組件、軸套、第二轉軸和第二彈性件,支撐組件設置有安裝部;軸套固定于安裝部的開口處,軸套形成有第一限位部;第二轉軸設有與第一限位部相匹配的第二限位部,第一限位部...
          • 本發明涉及醫療器械技術領域,提供一種電控內窺鏡。電控內窺鏡包括鏡體、水氣插頭和光電插頭,鏡體的操作部的表面設有第一光電通信接口和水氣接口;水氣插頭包括連接座和水氣導管,水氣導管連接于連接座的一端,連接座的另一端用于與水氣接口可拆卸連接;光電...
          • 本發明涉及一種多規格煙支輸送及外觀檢測設備,包括機架、煙堆輸送機構、分開取煙機構、煙支縱向定位機構、煙支輸送機構、煙支旋轉機構、外觀檢測組件、剔除機構。所述煙堆輸送機構對儲煙框內的煙堆進行輸送,供給分開取煙機構煙支。所述分開取煙機構通過取煙...
          • 本發明公開了一種ZJ17型卷煙機飛煙檢測系統及方法,該系統包括:紅外傳感模塊,包括安裝在蜘蛛手旋轉路徑上的第一紅外傳感器、接煙輪檢測區域的第二紅外傳感器以及吸爪計數區的第三紅外傳感器;信號處理模塊及電源適配模塊;邏輯控制模塊,控制實現飛煙檢...
          • 本發明屬于農業病蟲害防治技術領域,提供了一種防治軟體動物的含磷酸鐵的組合物,包括磷酸鐵和抗壞血酸,磷酸鐵和抗壞血酸的質量比為5:1?1:20。上述組合物可用于防治軟體動物,所述軟體動物選自蝸牛、蛞蝓。本發明提供的組合物以抗壞血酸為增效劑,能...
          • 本發明提供一種圖像傳感器產品的第一重側墻制造方法,提供半導體襯底,在襯底上形成有邏輯器件區域,其包括輸入/輸出器件的N型阱區與P型阱區,以及核心器件的N型阱區與P型阱區,不同阱區之間通過淺溝槽隔離結構進行隔離;在襯底上依次形成柵極氧化層和柵...
          • 本發明提供一種改善CMOS圖像傳感器暗電流及可靠性性能的方法,在完成第一介質層上已形成金屬互連結構并經過平坦化后的晶圓表面,形成第一SiCN層;在SiCN層上形成第二介質層;通過光刻工藝在第二介質層表面形成重分布通孔圖形;執行刻蝕工藝形成重...
          • 本發明提供一種EOS防護器件。包括中心區域和鄰近區域。中心區域含第一、二導電類型阱區,僅形成有第二導電類型重摻雜區,位于兩種阱區內。鄰近區域含第一、二導電類型阱區,兩種阱區內均形成有第一和第二導電類型的重摻雜區。通過控制鄰近區域阱間距D2大...
          • 本申請公開了一種可控硅整流器靜電保護器件,包括:第一導電類型襯底;第一導電類型外延層(PEPI);以及設置在PEPI內的第一導電類型阱區(PW)和第二導電類型阱區(NW)。關鍵在于,器件還包括設置在PW內且至少一部分橫跨PW/PEPI結區的...
          • 本發明公開了一種雙向可控硅整流器器件。該器件為對稱結構,包括中央第一導電類型阱區(接第一端)及兩側的側翼第一導電類型阱區(接第二端),并設置有內側和外側第二導電類型阱區。關鍵在于,在第一導電類型阱區內設置浮空的第一導電類型重摻雜區域,用于提...
          • 本發明提供一種雙極晶體管與場效應晶體管的集成方法,在半導體襯底上執行雙極晶體管埋層離子注入,之后在襯底上形成外延層并在外延層上形成器件隔離結構;在襯底上執行場效應晶體管器件制造工藝;在場效應晶體管器件制造完成后,通過多步不同能量梯度的離子注...
          • 本申請提供一種半導體器件及其制備方法,制備方法中,通過在濕法刻蝕去除低壓器件區的第二柵氧化層和第一柵氧化層之前,采用LPCVD工藝形成一層致密的第二柵氧化層,致密的第二柵氧化層和第一柵氧化層的組合可以避免在濕法過刻蝕時,濕法藥液誤蝕刻襯底進...
          • 本發明提供一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法。該方法包括:提供襯底,依次形成絕緣層和下電極金屬層,并對下電極金屬層進行第一熱退火;在下電極金屬層上形成電介質層,并在含氧氣氛下對電介質層進行第二熱退火;在電介質層上形成上電極金屬層,并對上...
          • 本發明提供的一種分柵快閃存儲器及其形成方法,通過將浮置柵極的一部分置于溝槽內,并在其側旁形成源極線路多晶硅,構建了立體的源極?浮置柵極耦合結構。這種設計能夠在不犧牲甚至優化耦合系數的前提下,有效減小浮置柵極在平面上的尺寸,從而極大地有利于實...
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