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          • 本申請(qǐng)涉計(jì)算機(jī)系統(tǒng)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種網(wǎng)卡測(cè)試方法、裝置、設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)。網(wǎng)卡測(cè)試方法包括,第一設(shè)備以動(dòng)態(tài)速率向第二設(shè)備發(fā)送測(cè)試數(shù)據(jù),通過(guò)第二設(shè)備發(fā)送的測(cè)試數(shù)據(jù),獲取動(dòng)態(tài)速率下的傳輸質(zhì)量數(shù)據(jù),其中,動(dòng)態(tài)速率包括一階速率以及二階速率;...
          • 本發(fā)明涉及工業(yè)控制領(lǐng)域,提供一種基于指紋識(shí)別的工控系統(tǒng)資產(chǎn)庫(kù)構(gòu)建方法及系統(tǒng),方法包括:采集工控系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)中的通信數(shù)據(jù)包,解析得到JSON對(duì)象;根據(jù)IP地址劃分并提取時(shí)序特征向量,利用隨機(jī)森林模型對(duì)時(shí)序特征向量進(jìn)行分類和特征評(píng)估,生成設(shè)設(shè)備指紋...
          • 本申請(qǐng)涉及電力設(shè)備監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種輸電線路全方位監(jiān)測(cè)方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì),在輸電線路上按照預(yù)設(shè)間距分布式部署多個(gè)監(jiān)測(cè)節(jié)點(diǎn);所述監(jiān)測(cè)節(jié)點(diǎn)包括定位單元、加速度計(jì)和風(fēng)速監(jiān)測(cè)單元,通過(guò)對(duì)所述監(jiān)測(cè)節(jié)點(diǎn)采集的各類數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,實(shí)現(xiàn)對(duì)線路弧垂...
          • 本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,具體提供一種多類型計(jì)量?jī)x表協(xié)議解析方法、系統(tǒng)、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),包括:依據(jù)預(yù)先建立的監(jiān)控對(duì)象與計(jì)量?jī)x表類型對(duì)應(yīng)關(guān)系,確定目標(biāo)監(jiān)控對(duì)象對(duì)應(yīng)的計(jì)量?jī)x表類型,選定為目標(biāo)計(jì)量?jī)x表。接著,收集目標(biāo)計(jì)量?jī)x表的身份信息,利用此信息從...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了基于智能激光攝像頭空中多維屏幕成像電腦手機(jī)一體機(jī),涉及多維屏幕成像電腦手機(jī)一體機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,包括激光投影模塊、環(huán)境監(jiān)測(cè)模塊、動(dòng)態(tài)校正模塊、手勢(shì)識(shí)別模塊、用戶交互反饋模塊以及圖像重建優(yōu)化模塊;所述激光投影模塊,用于采用高頻率激光調(diào)制...
          • 本發(fā)明涉及一種基于頻率感知的特征提取和熵模型構(gòu)建的屏幕內(nèi)容圖像壓縮方法及系統(tǒng);包括:分析變換分頻:輸入原始屏幕內(nèi)容圖像,得到多頻潛在特征;頻率感知熵模型與量化:輸入多頻潛在特征,得到量化后的多頻潛在特征,進(jìn)行熵編碼和熵解碼;超先驗(yàn)分析變換分...
          • 一種用于fgOTN系統(tǒng)的帶寬調(diào)整方法及裝置。其中,低階細(xì)粒度業(yè)務(wù)速率調(diào)整采用瞬時(shí)調(diào)整方式,結(jié)合緩存容量調(diào)整技術(shù)來(lái)吸收細(xì)粒度業(yè)務(wù)速率瞬時(shí)調(diào)整帶來(lái)的線路抖動(dòng)和沖擊,保證了帶寬調(diào)整過(guò)程中業(yè)務(wù)平穩(wěn)過(guò)渡;同時(shí)以req的計(jì)數(shù)值作為判斷是否進(jìn)行高階業(yè)務(wù)時(shí)...
          • 本發(fā)明涉及跨介質(zhì)通信技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)一種基于壓電效應(yīng)的跨介質(zhì)通信方法、系統(tǒng)、設(shè)備及介質(zhì),系統(tǒng)包括:壓電機(jī)械天線用于通過(guò)機(jī)械振動(dòng)產(chǎn)生超聲波并進(jìn)一步轉(zhuǎn)化為電磁輻射,實(shí)現(xiàn)跨介質(zhì)通信;匹配網(wǎng)絡(luò)連接壓電機(jī)械天線和超高壓驅(qū)動(dòng)器,用于優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路與壓電機(jī)械...
          • 本發(fā)明提供了一種對(duì)講機(jī)的任務(wù)派發(fā)方法、系統(tǒng)及相關(guān)設(shè)備,方法包括提供主機(jī)對(duì)講機(jī)、若干的子對(duì)講機(jī)以及PC端設(shè)備;將所述主機(jī)對(duì)講機(jī)和若干的所述子對(duì)講機(jī)進(jìn)行組網(wǎng);在所述PC端設(shè)備中安裝工單系統(tǒng)程序,并將所述主機(jī)對(duì)講機(jī)連接所述PC端設(shè)備;在所述PC端...
          • 本發(fā)明屬于低空技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種基于邊緣計(jì)算的低空目標(biāo)數(shù)據(jù)管理融合系統(tǒng),包括邊緣數(shù)據(jù)采集模塊、實(shí)時(shí)預(yù)處理模塊、多源數(shù)據(jù)融合模塊、動(dòng)態(tài)資源調(diào)度模塊、智能決策支持模塊、安全防護(hù)模塊和遠(yuǎn)程監(jiān)控模塊。本發(fā)明,實(shí)現(xiàn)了對(duì)低空目標(biāo)多源異構(gòu)數(shù)據(jù)的全面采集...
          • 本發(fā)明屬于超寬帶定位技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的超寬帶定位方法及設(shè)備。本發(fā)明定位方法包括獲取超寬帶的信道沖激響應(yīng)(CIR)信息數(shù)據(jù),使用預(yù)先訓(xùn)練的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型對(duì)其中非視距(NLOS)的信號(hào)進(jìn)行識(shí)別與剔除,對(duì)剩下的有效信號(hào)按照個(gè)...
          • 本發(fā)明公開(kāi)的一種基于大語(yǔ)言模型的粒子加速器系統(tǒng)環(huán)路參數(shù)在線智能調(diào)控方法及裝置,包括:實(shí)時(shí)獲取射頻腔的腔體運(yùn)行數(shù)據(jù),計(jì)算出當(dāng)前腔體的系統(tǒng)狀態(tài)參數(shù),并判斷是否滿足調(diào)優(yōu)終止條件,不滿足則繼續(xù);將系統(tǒng)狀態(tài)參數(shù)以及PI參數(shù)調(diào)優(yōu)目標(biāo)轉(zhuǎn)化為自然語(yǔ)言描述的...
          • 本發(fā)明涉及一種高可靠性半孔槽AI算力卡PCB的制造方法,先進(jìn)行前工序處理,包括基板開(kāi)料等;接著激光鉆孔,控制孔徑公差±12.5um,經(jīng)等離子清洗后填孔電鍍,形成18μm銅層,再減銅;之后外層鉆孔,控制孔位精度±0.075mm,經(jīng)板電鍍銅、外...
          • 本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)中心的液冷系統(tǒng)。液冷系統(tǒng)包括機(jī)柜和連接于機(jī)柜的液冷機(jī)構(gòu);液冷機(jī)構(gòu)包括至少部分安裝在機(jī)柜內(nèi)的一次側(cè)循環(huán)管路、循環(huán)路徑獨(dú)立于一次側(cè)循環(huán)管路的二次側(cè)循環(huán)管路及連接在一次側(cè)循環(huán)管路和二次側(cè)循環(huán)管路上的板換;板換固定于機(jī)柜內(nèi),用于...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N閃存器件及其制備方法,在制備方法中,通過(guò)刻蝕淺溝槽隔離結(jié)構(gòu),使得超出所述襯底表面的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)在橫向上的關(guān)鍵尺寸進(jìn)一步收縮,接著繼續(xù)向下刻蝕部分淺溝槽隔離結(jié)構(gòu),以形成第二溝槽,然后在第二溝槽中淀積ONO膜層并填充控制柵層...
          • 本發(fā)明提供的一種分柵快閃存儲(chǔ)器及其形成方法,通過(guò)將浮置柵極的一部分置于溝槽內(nèi),并在其側(cè)旁形成源極線路多晶硅,構(gòu)建了立體的源極?浮置柵極耦合結(jié)構(gòu)。這種設(shè)計(jì)能夠在不犧牲甚至優(yōu)化耦合系數(shù)的前提下,有效減小浮置柵極在平面上的尺寸,從而極大地有利于實(shí)...
          • 本發(fā)明提供一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法。該方法包括:提供襯底,依次形成絕緣層和下電極金屬層,并對(duì)下電極金屬層進(jìn)行第一熱退火;在下電極金屬層上形成電介質(zhì)層,并在含氧氣氛下對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行第二熱退火;在電介質(zhì)層上形成上電極金屬層,并對(duì)上...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制備方法,制備方法中,通過(guò)在濕法刻蝕去除低壓器件區(qū)的第二柵氧化層和第一柵氧化層之前,采用LPCVD工藝形成一層致密的第二柵氧化層,致密的第二柵氧化層和第一柵氧化層的組合可以避免在濕法過(guò)刻蝕時(shí),濕法藥液誤蝕刻襯底進(jìn)...
          • 本發(fā)明提供一種雙極晶體管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的集成方法,在半導(dǎo)體襯底上執(zhí)行雙極晶體管埋層離子注入,之后在襯底上形成外延層并在外延層上形成器件隔離結(jié)構(gòu);在襯底上執(zhí)行場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件制造工藝;在場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件制造完成后,通過(guò)多步不同能量梯度的離子注...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種雙向可控硅整流器器件。該器件為對(duì)稱結(jié)構(gòu),包括中央第一導(dǎo)電類型阱區(qū)(接第一端)及兩側(cè)的側(cè)翼第一導(dǎo)電類型阱區(qū)(接第二端),并設(shè)置有內(nèi)側(cè)和外側(cè)第二導(dǎo)電類型阱區(qū)。關(guān)鍵在于,在第一導(dǎo)電類型阱區(qū)內(nèi)設(shè)置浮空的第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)域,用于提...
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