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								      本公開涉及一種語音識別模型訓練、語音識別方法、裝置、設備及介質，其中，語音識別模型訓練方法包括：獲取訓練數(shù)據集，訓練數(shù)據集包括第一訓練數(shù)據集和第二訓練數(shù)據集，第一訓練數(shù)據集中每個訓練數(shù)據對應的訓練標簽為人工標注得到的，第二訓練數(shù)據集中每個訓...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種語音識別方法、裝置、存儲介質、電子設備及車輛，涉及人工智能技術領域，其中方法包括：對待識別的語音信息進行音頻解析，得到多個候選文本；依據候選文本中每個詞語與其在候選文本中上下文之間的關聯(lián)關系進行分析計算，得到候選文本中每個詞語...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了多聯(lián)機控制系統(tǒng)，包括：線控器，其用于將采集到的語音指令進行編碼以生成語音編碼數(shù)據，并發(fā)送至集控器；還用于根據接收到的控制指令運行；集控器，其用于接收線控器發(fā)送的語音編碼數(shù)據，識別發(fā)出語音編碼數(shù)據時間最早的線控器，作為目標線控器，...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種音頻處理方法、裝置、可讀介質及電子設備，可以增強指定方向的音頻信號，并提高音頻信號的質量，所述音頻處理方法包括：獲取骨傳導麥克風采集的骨傳導信號以及氣傳導麥克風采集的氣傳導信號；根據所述氣傳導信號和第一信號處理模型得到定向波束...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種語音分離方法、模型訓練方法、裝置、設備、介質及車輛。通過獲取當前幀的多通道語音信號以及車內各個人員的聲紋頻域特征向量，對當前幀的多通道語音信號進行頻域變換，得到多通道語音頻域信號，將車內各個人員的聲紋頻域特征向量與多通道語音頻...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種光源單元，其應用于熱輔助磁頭，熱輔助磁頭的滑塊與光源單元之間設有焊接層和止動結構，在光源單元與滑塊接合時，光源單元能隨焊接層熔化而移動并被止動結構精確限位在預設位置，這樣，光源單元的發(fā)射口與波導可以精確對準，從而提高了光源單...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種I/O驅動器、電子設備，涉及半導體技術領域，用于提高I/O驅動器的性能。I/O驅動器包括上拉電路、下拉電路以及輸入/輸出端。上拉電路耦接于電源電壓端和輸入/輸出端之間，用于根據第一控制信號生成上拉電壓。下拉電路耦接于參考...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種存儲器的操作方法、存儲器及存儲系統(tǒng)，屬于存儲技術領域。該存儲器的操作方法包括：在存儲器所處的編程溫度小于溫度閾值的情況下，在對第一選定字線所耦合的選定存儲單元進行編程的過程中，對第一選定字線施加第一編程電壓，對第一目標字線施...
								
            
							
            
							
						
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								      一種數(shù)據片段比對方法、裝置以及設備，本申請中，對比裝置獲取基因片段集合中的索引，基因片段集合包括未發(fā)生變異的參考基因片段及發(fā)生變異的參考基因片段。對比裝置根據目標基因片段查詢基因片段集合中的索引，確定基因片段集合是否存在與目標基因片段相同的...
								
            
							
            
							
						
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								      根據本公開的實施例，提供了用于排除原子對庫倫勢計算的方法、裝置、設備和介質。該方法包括：針對目標排除原子對列表中的原子對，確定原子對之間的距離是否超過截斷半徑，并且確定原子對之間庫倫相互作用的類型為長程相互作用，目標排除原子對列表中的原子對...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種脊柱健康狀態(tài)評估模型的構建方法和系統(tǒng)，該方法包括：根據脊柱健康狀態(tài)印象因素和脊柱側彎情形，定義脊柱健康狀態(tài)數(shù)據結構和脊柱健康狀態(tài)評估模型結構，根據所述脊柱健康狀態(tài)數(shù)據結構，獲取脊柱健康狀態(tài)評估數(shù)據，并對所述脊柱健康狀態(tài)評估數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種微米銀漿的無壓燒結方法，包括：制備微米銀漿；將所述微米銀漿涂覆在元器件待連接的兩個連接面之間；將所述元器件放置于加熱設備，所述加熱設備發(fā)出預設波長的紅外線加熱所述微米銀漿，以在兩個連接面之間形成導電銀層。本發(fā)明的無壓燒結方法，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及電氣傳輸領域，尤其涉及大功率電纜和新能源汽車充電領域。一種液冷電纜，包括內置彈簧的液冷管線和導線，彈簧可以支撐液冷管線，使電纜折彎時能保持液冷管線的暢通。彈簧與液冷管線的管壁可以是分離的，一方面液冷管線單獨加工更容易，另一方面彈簧...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種復合稀土類粘結磁粉及其制備方法和應用。所述制備方法包括：將鐵氧體磁粉、釹鐵硼磁粉、環(huán)氧樹脂和有機溶劑進行第一混合后，經烘干，得到所述復合稀土類粘結磁粉；對所述鐵氧體磁粉進行預處理，所述預處理的方法包括：對鐵氧體磁粉原料進行燒...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種無機?有機雙層包覆的磁粉及其制備方法和應用。所述無機?有機雙層包覆的磁粉包括磁粉內核以及由內至外依次包覆在磁粉內核表面的無機絕緣包覆層和酚醛型氰酸酯樹脂層。本發(fā)明利用無機絕緣包覆層和有機絕緣包覆層對磁粉進行協(xié)同改性，其中，有...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于隔離開關的操作機構，包括：第一外殼、第二外殼、主動模塊、從動模塊，主動模塊、從動模塊均設于第一外殼、第二外殼形成的腔體內；主動模塊包括：第一支架、第一彈簧、第一齒輪、第二齒輪、第一軸、第二軸；從動模塊包括：第三軸、夾板、擋...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了離子漏斗及其裝配方法、質譜分析系統(tǒng)，離子漏斗的裝配方法包括以下步驟：（A1）將通孔孔徑逐漸減小的第一組電極片層疊地卡在承載件的圓柱外，圓柱的直徑和電極片的孔徑相等；自下而上地，承載件具有多個直徑逐漸變小的共軸的圓柱，圓柱的高度大...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供FOSB晶圓盒管理方法和晶圓搬運系統(tǒng)。FOSB晶圓盒用于收納測試用晶圓，F(xiàn)OSB晶圓盒管理方法包括：建立多個由參數(shù)表示的FOSB晶圓盒模型而生成模型庫的模型庫建立步驟；對于搬運到半導體工廠的各個FOSB晶圓盒指定對應的模型，使所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種EPI工藝環(huán)中的晶圓生產控制方法及系統(tǒng)，包括：設定額定加工晶圓數(shù)；獲取已進入EPI機臺的晶圓總數(shù)和已進入EPI機臺但未加工的晶圓數(shù)量；若已進入EPI機臺的晶圓總數(shù)大于額定加工晶圓數(shù)，則禁止下一待加工晶圓批次進入EPI工藝環(huán)；若...
								
            
							
            
							
						
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								      一種晶圓及其制造方法、封裝結構及封裝方法，晶圓包括：基底；介電層，位于基底上，介電層背向基底一側的面為鍵合面；鍵合層，位于介電層中，鍵合層包括第一鍵合層以及位于第一鍵合層頂部的第二鍵合層，第二鍵合層露出鍵合面，第二鍵合層的熱膨脹系數(shù)大于第一...
								
            
							
            
							
						
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