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          • 本發(fā)明公開(kāi)了數(shù)字病理切片腦腫瘤分類的分層優(yōu)化多示例學(xué)習(xí)方法,包括以下步驟:通過(guò)特征編碼器和聚合器交替訓(xùn)練來(lái)提取和聚合多實(shí)例特征;在低倍率圖像中自動(dòng)尋找感興趣區(qū)域,然后再對(duì)高倍率感興趣區(qū)域進(jìn)行特征提取和分類。本發(fā)明利用低倍率檢測(cè)感興趣區(qū)域,然...
          • 發(fā)明創(chuàng)造名稱一種適用于RFID快捷盤(pán)點(diǎn)的方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及射頻識(shí)別(RFID)技術(shù)領(lǐng)域領(lǐng)域,特別是才匠IMS管理系統(tǒng)的庫(kù)存管理模塊中,本發(fā)明涉及通過(guò)識(shí)別RFID標(biāo)簽映射傳統(tǒng)標(biāo)簽的方法,對(duì)庫(kù)存進(jìn)行管理。它利用RFID識(shí)別,結(jié)合傳統(tǒng)標(biāo)簽檔案...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種載玻片恒溫烘干裝置,包括殼體,殼體的一側(cè)設(shè)置有外殼板,外殼板上等距開(kāi)設(shè)有插槽,對(duì)應(yīng)插槽上均對(duì)稱開(kāi)設(shè)有密封槽,殼體上等距固定連接有烘干腔,烘干腔中均對(duì)稱開(kāi)設(shè)有滑動(dòng)槽,滑動(dòng)槽延伸至外殼板的內(nèi)部,插槽的內(nèi)部均設(shè)置有外密封板,外密封...
          • 提供了包括像素區(qū)域的顯示設(shè)備。每個(gè)像素區(qū)域可以包括第一子像素和第二子像素。第一子像素和第二子像素中的每一者可以設(shè)置在選通線、數(shù)據(jù)線、電源電壓供應(yīng)線和參考電壓供應(yīng)線之間。第一子像素和第二子像素中的每一者可以包括電連接到發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)電路。電源...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種基于多參數(shù)融合的電廠鍋爐實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)方法與系統(tǒng),涉及電廠鍋爐監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:獲取電廠鍋爐運(yùn)行的歷史工況數(shù)據(jù)和當(dāng)前工況數(shù)據(jù);將歷史工況數(shù)據(jù)劃分為若干個(gè)時(shí)間段;將每一時(shí)間段的工況數(shù)據(jù)擴(kuò)展為對(duì)應(yīng)的歷史工況向量;將當(dāng)前工況數(shù)據(jù)...
          • 本申請(qǐng)涉及車(chē)輛技術(shù)領(lǐng)域,提供一種二位三通電磁閥、氣動(dòng)制動(dòng)系統(tǒng)及車(chē)輛,該二位三通電磁閥包括第一連接口、第二連接口、第三連接口以及支路連接口,所述第一連接口與所述第二連接口之間形成有第一通道,所述第二連接口與所述第三連接口之間形成有第二通道,所...
          • 實(shí)施方式公開(kāi)了一種顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置,顯示面板包括:基板;設(shè)置在基板上的驅(qū)動(dòng)元件;設(shè)置在基板上的第一開(kāi)關(guān)元件;電連接至第一開(kāi)關(guān)元件的驅(qū)動(dòng)電壓布線;以及電連接至驅(qū)動(dòng)電壓布線的補(bǔ)償電極層,其中,驅(qū)動(dòng)電壓布線和補(bǔ)償電極層設(shè)置在不同...
          • 提供了具有像素區(qū)域的顯示設(shè)備。像素區(qū)域可以設(shè)置在第一選通線/第二選通線之間。每個(gè)像素區(qū)域可以包括由第一選通線控制的第一子像素和由第二選通線控制的第二子像素。第二子像素可以與對(duì)應(yīng)像素區(qū)域的第一子像素顯示不同的顏色。每個(gè)像素區(qū)域的第一子像素/第...
          • 本公開(kāi)涉及一種微型LED顯示裝置,并且涉及一種能夠在GIA電路內(nèi)穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器的顯示裝置。根據(jù)本公開(kāi),能夠在顯示裝置的GIA電路內(nèi)穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器。
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種圖形填充方法、加工設(shè)備、系統(tǒng)、可讀介質(zhì)及程序產(chǎn)品,涉及圖形加工技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)通過(guò)先獲取目標(biāo)圖形以及加工頭的出線寬度,并根據(jù)加工頭的出線寬度確定目標(biāo)圖形的填充密度,再根據(jù)目標(biāo)圖形以及填充密度,在目標(biāo)圖形生成連續(xù)的填充路徑,然...
          • 本發(fā)明涉及一種基于熒光共振能量轉(zhuǎn)移的抗體內(nèi)吞效率檢測(cè)方法,屬于抗體內(nèi)吞檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明使用琥珀酰亞胺酯與含有氨基的化合物偶聯(lián)得到淬滅劑,將待測(cè)抗體與靶細(xì)胞共同孵育后,加入熒光標(biāo)記二抗進(jìn)行內(nèi)吞反應(yīng),反應(yīng)結(jié)束后使用淬滅劑解除胞外熒光信號(hào),檢...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種檢測(cè)重金屬鎘的COF材料及其合成方法和應(yīng)用。所述檢測(cè)重金屬鎘的共價(jià)有機(jī)框架材料是通過(guò)吡咯與對(duì)苯二甲醛經(jīng)酸溶劑熱反應(yīng)法合成,合成時(shí)吡咯和對(duì)苯二甲醛的體積質(zhì)量比為(20?25)μL:(20?25)mg。
          • 一種抑制二維過(guò)渡金屬硫族化合物本征缺陷的調(diào)控方法,屬于二維過(guò)渡金屬硫族化合物領(lǐng)域。調(diào)控方法包括:機(jī)械剝離單層二維過(guò)渡金屬硫族化合物至退火處理后的襯底的表面;退火處理包括在含氧氣氛中,800℃?1300℃保溫4h?12h;二維過(guò)渡金屬硫族化合...
          • 一種半導(dǎo)體器件可以包括:襯底;源/漏圖案,在襯底上,源/漏圖案包括第一圖案和第二圖案,第一圖案和第二圖案彼此間隔開(kāi);溝道圖案,在第一圖案和第二圖案之間,溝道圖案包括第一半導(dǎo)體圖案、第二半導(dǎo)體圖案和第三半導(dǎo)體圖案,第一半導(dǎo)體圖案、第二半導(dǎo)體圖...
          • 公開(kāi)了用于通過(guò)優(yōu)化四色發(fā)光區(qū)域的布局來(lái)減輕邊緣偽影的透明顯示裝置,該透明顯示裝置包括:多個(gè)像素區(qū),多個(gè)像素區(qū)具有非透射區(qū)和透射區(qū);以及在多個(gè)像素區(qū)的非透射區(qū)中在第一方向上按次序順序地布置的第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素,其中...
          • 公開(kāi)了一種顯示裝置及其制造方法。該顯示裝置包括:設(shè)置在基板上的驅(qū)動(dòng)晶體管;設(shè)置在驅(qū)動(dòng)晶體管上的發(fā)光元件,所述發(fā)光元件包括陽(yáng)極電極、發(fā)光層和陰極電極,所述陽(yáng)極電極包括被設(shè)置為彼此間隔開(kāi)的第一陽(yáng)極電極和第二陽(yáng)極電極;將第一陽(yáng)極電極與驅(qū)動(dòng)晶體管電...
          • 公開(kāi)了一種顯示裝置,其包括:驅(qū)動(dòng)晶體管,其設(shè)置在基板上并且包括有源層、柵電極、源電極和漏電極;發(fā)光元件,其設(shè)置在驅(qū)動(dòng)晶體管上并且包括具有彼此間隔開(kāi)的第一陽(yáng)極電極和第二陽(yáng)極電極的陽(yáng)極電極、發(fā)光層和陰極電極;第一陽(yáng)極連接部,其被配置為將第一陽(yáng)極...
          • 提供一種透明顯示裝置,該透明顯示裝置包括:顯示區(qū)域,其中設(shè)置有多個(gè)子像素以顯示圖像;多個(gè)透射區(qū)域,其設(shè)置在顯示區(qū)域內(nèi)并且透射外部光;第一非透射區(qū)域,其設(shè)置在沿第一方向彼此相鄰設(shè)置的透射區(qū)域之間并且不透射外部光;第二非透射區(qū)域,其設(shè)置在沿第二...
          • 本發(fā)明提供了一種濱海污水無(wú)害化多級(jí)處置移動(dòng)方艙,涉及海洋污水處理技術(shù)領(lǐng)域,包括移動(dòng)方艙艙體,移動(dòng)方艙艙體包括從上至下分布的太陽(yáng)能光伏發(fā)電結(jié)構(gòu)、蓄電層、海洋固體垃圾處理層、海洋液體垃圾處理層,蓄電層均勻密布在移動(dòng)方艙艙體頂部,且海洋固體垃圾處...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種可模擬人工傷害感受器的閾值型憶阻器,包括自下而上依次設(shè)置的襯底、底電極、介電層和頂電極,其中,所述介電層包括從下而上設(shè)置的第一介電層、第二介電層和第三介電層,所述第一介電層為2?甲基咪唑鋅鹽層。本發(fā)明公開(kāi)的可模擬人工傷害感受...
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