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          • 本發(fā)明涉及醫(yī)療器械技術(shù)領(lǐng)域,提供一種電控內(nèi)窺鏡。電控內(nèi)窺鏡包括鏡體、水氣插頭和光電插頭,鏡體的操作部的表面設(shè)有第一光電通信接口和水氣接口;水氣插頭包括連接座和水氣導管,水氣導管連接于連接座的一端,連接座的另一端用于與水氣接口可拆卸連接;光電...
          • 本發(fā)明涉及一種多規(guī)格煙支輸送及外觀檢測設(shè)備,包括機架、煙堆輸送機構(gòu)、分開取煙機構(gòu)、煙支縱向定位機構(gòu)、煙支輸送機構(gòu)、煙支旋轉(zhuǎn)機構(gòu)、外觀檢測組件、剔除機構(gòu)。所述煙堆輸送機構(gòu)對儲煙框內(nèi)的煙堆進行輸送,供給分開取煙機構(gòu)煙支。所述分開取煙機構(gòu)通過取煙...
          • 本發(fā)明公開了一種ZJ17型卷煙機飛煙檢測系統(tǒng)及方法,該系統(tǒng)包括:紅外傳感模塊,包括安裝在蜘蛛手旋轉(zhuǎn)路徑上的第一紅外傳感器、接煙輪檢測區(qū)域的第二紅外傳感器以及吸爪計數(shù)區(qū)的第三紅外傳感器;信號處理模塊及電源適配模塊;邏輯控制模塊,控制實現(xiàn)飛煙檢...
          • 本發(fā)明屬于農(nóng)業(yè)病蟲害防治技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種防治軟體動物的含磷酸鐵的組合物,包括磷酸鐵和抗壞血酸,磷酸鐵和抗壞血酸的質(zhì)量比為5:1?1:20。上述組合物可用于防治軟體動物,所述軟體動物選自蝸牛、蛞蝓。本發(fā)明提供的組合物以抗壞血酸為增效劑,能...
          • 本發(fā)明提供一種圖像傳感器產(chǎn)品的第一重側(cè)墻制造方法,提供半導體襯底,在襯底上形成有邏輯器件區(qū)域,其包括輸入/輸出器件的N型阱區(qū)與P型阱區(qū),以及核心器件的N型阱區(qū)與P型阱區(qū),不同阱區(qū)之間通過淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)進行隔離;在襯底上依次形成柵極氧化層和柵...
          • 本發(fā)明提供一種改善CMOS圖像傳感器暗電流及可靠性性能的方法,在完成第一介質(zhì)層上已形成金屬互連結(jié)構(gòu)并經(jīng)過平坦化后的晶圓表面,形成第一SiCN層;在SiCN層上形成第二介質(zhì)層;通過光刻工藝在第二介質(zhì)層表面形成重分布通孔圖形;執(zhí)行刻蝕工藝形成重...
          • 本發(fā)明提供一種EOS防護器件。包括中心區(qū)域和鄰近區(qū)域。中心區(qū)域含第一、二導電類型阱區(qū),僅形成有第二導電類型重摻雜區(qū),位于兩種阱區(qū)內(nèi)。鄰近區(qū)域含第一、二導電類型阱區(qū),兩種阱區(qū)內(nèi)均形成有第一和第二導電類型的重摻雜區(qū)。通過控制鄰近區(qū)域阱間距D2大...
          • 本申請公開了一種可控硅整流器靜電保護器件,包括:第一導電類型襯底;第一導電類型外延層(PEPI);以及設(shè)置在PEPI內(nèi)的第一導電類型阱區(qū)(PW)和第二導電類型阱區(qū)(NW)。關(guān)鍵在于,器件還包括設(shè)置在PW內(nèi)且至少一部分橫跨PW/PEPI結(jié)區(qū)的...
          • 本發(fā)明公開了一種雙向可控硅整流器器件。該器件為對稱結(jié)構(gòu),包括中央第一導電類型阱區(qū)(接第一端)及兩側(cè)的側(cè)翼第一導電類型阱區(qū)(接第二端),并設(shè)置有內(nèi)側(cè)和外側(cè)第二導電類型阱區(qū)。關(guān)鍵在于,在第一導電類型阱區(qū)內(nèi)設(shè)置浮空的第一導電類型重摻雜區(qū)域,用于提...
          • 本發(fā)明提供一種雙極晶體管與場效應晶體管的集成方法,在半導體襯底上執(zhí)行雙極晶體管埋層離子注入,之后在襯底上形成外延層并在外延層上形成器件隔離結(jié)構(gòu);在襯底上執(zhí)行場效應晶體管器件制造工藝;在場效應晶體管器件制造完成后,通過多步不同能量梯度的離子注...
          • 本申請?zhí)峁┮环N半導體器件及其制備方法,制備方法中,通過在濕法刻蝕去除低壓器件區(qū)的第二柵氧化層和第一柵氧化層之前,采用LPCVD工藝形成一層致密的第二柵氧化層,致密的第二柵氧化層和第一柵氧化層的組合可以避免在濕法過刻蝕時,濕法藥液誤蝕刻襯底進...
          • 本發(fā)明提供一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法。該方法包括:提供襯底,依次形成絕緣層和下電極金屬層,并對下電極金屬層進行第一熱退火;在下電極金屬層上形成電介質(zhì)層,并在含氧氣氛下對電介質(zhì)層進行第二熱退火;在電介質(zhì)層上形成上電極金屬層,并對上...
          • 本發(fā)明提供的一種分柵快閃存儲器及其形成方法,通過將浮置柵極的一部分置于溝槽內(nèi),并在其側(cè)旁形成源極線路多晶硅,構(gòu)建了立體的源極?浮置柵極耦合結(jié)構(gòu)。這種設(shè)計能夠在不犧牲甚至優(yōu)化耦合系數(shù)的前提下,有效減小浮置柵極在平面上的尺寸,從而極大地有利于實...
          • 本申請?zhí)峁┮环N閃存器件及其制備方法,在制備方法中,通過刻蝕淺溝槽隔離結(jié)構(gòu),使得超出所述襯底表面的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)在橫向上的關(guān)鍵尺寸進一步收縮,接著繼續(xù)向下刻蝕部分淺溝槽隔離結(jié)構(gòu),以形成第二溝槽,然后在第二溝槽中淀積ONO膜層并填充控制柵層...
          • 本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)中心的液冷系統(tǒng)。液冷系統(tǒng)包括機柜和連接于機柜的液冷機構(gòu);液冷機構(gòu)包括至少部分安裝在機柜內(nèi)的一次側(cè)循環(huán)管路、循環(huán)路徑獨立于一次側(cè)循環(huán)管路的二次側(cè)循環(huán)管路及連接在一次側(cè)循環(huán)管路和二次側(cè)循環(huán)管路上的板換;板換固定于機柜內(nèi),用于...
          • 本發(fā)明涉及一種高可靠性半孔槽AI算力卡PCB的制造方法,先進行前工序處理,包括基板開料等;接著激光鉆孔,控制孔徑公差±12.5um,經(jīng)等離子清洗后填孔電鍍,形成18μm銅層,再減銅;之后外層鉆孔,控制孔位精度±0.075mm,經(jīng)板電鍍銅、外...
          • 本發(fā)明公開的一種基于大語言模型的粒子加速器系統(tǒng)環(huán)路參數(shù)在線智能調(diào)控方法及裝置,包括:實時獲取射頻腔的腔體運行數(shù)據(jù),計算出當前腔體的系統(tǒng)狀態(tài)參數(shù),并判斷是否滿足調(diào)優(yōu)終止條件,不滿足則繼續(xù);將系統(tǒng)狀態(tài)參數(shù)以及PI參數(shù)調(diào)優(yōu)目標轉(zhuǎn)化為自然語言描述的...
          • 本發(fā)明屬于超寬帶定位技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的超寬帶定位方法及設(shè)備。本發(fā)明定位方法包括獲取超寬帶的信道沖激響應(CIR)信息數(shù)據(jù),使用預先訓練的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型對其中非視距(NLOS)的信號進行識別與剔除,對剩下的有效信號按照個...
          • 本發(fā)明屬于低空技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種基于邊緣計算的低空目標數(shù)據(jù)管理融合系統(tǒng),包括邊緣數(shù)據(jù)采集模塊、實時預處理模塊、多源數(shù)據(jù)融合模塊、動態(tài)資源調(diào)度模塊、智能決策支持模塊、安全防護模塊和遠程監(jiān)控模塊。本發(fā)明,實現(xiàn)了對低空目標多源異構(gòu)數(shù)據(jù)的全面采集...
          • 本發(fā)明提供了一種對講機的任務派發(fā)方法、系統(tǒng)及相關(guān)設(shè)備,方法包括提供主機對講機、若干的子對講機以及PC端設(shè)備;將所述主機對講機和若干的所述子對講機進行組網(wǎng);在所述PC端設(shè)備中安裝工單系統(tǒng)程序,并將所述主機對講機連接所述PC端設(shè)備;在所述PC端...
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