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          • 本公開的各方面涉及更新載具上的數(shù)據(jù)記錄配置。實(shí)現(xiàn)本主題技術(shù)的設(shè)備可包括處理器,該處理器被配置為:接收包含一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)記錄因素的數(shù)據(jù)記錄器配置,該數(shù)據(jù)記錄器配置指示當(dāng)滿足該一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)記錄因素時(shí)要記錄的一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)流。該處理器還被配置為...
          • 本申請(qǐng)公開了基于有限元分析的閥結(jié)構(gòu)仿真方法及裝置、可讀存儲(chǔ)介質(zhì),屬于閥門技術(shù)領(lǐng)域,仿真方法主要包括的多物理場(chǎng)耦合方法:對(duì)多個(gè)物理場(chǎng)的控制方程聯(lián)立得到控制方程組,包括物理場(chǎng)所對(duì)應(yīng)的物理場(chǎng)參數(shù)列陣,控制方程組包括了流體力學(xué)方程、濕熱傳導(dǎo)方程、彈...
          • 本發(fā)明提供一種用于生長(zhǎng)塊狀SiC單晶的籽晶單元(1),籽晶單元(1)具有晶圓狀的SiC單晶籽晶(2),SiC籽晶(2)具有布置在晶圓正面(4)上的生長(zhǎng)表面(4a),用于生長(zhǎng)待生長(zhǎng)的塊狀SiC單晶。SiC籽晶(2)具有沿軸向延伸的晶體縱向中軸...
          • 該方法用于通過升華生長(zhǎng)來生產(chǎn)塊狀SiC單晶。對(duì)晶圓狀單晶SiC籽晶(2)進(jìn)行應(yīng)力測(cè)量以檢測(cè)初始內(nèi)部機(jī)械籽晶應(yīng)力,其中SiC籽晶(2)具有帶有用于生長(zhǎng)待生長(zhǎng)的塊狀SiC單晶的生長(zhǎng)表面(3)的晶圓正面(4)、晶圓背面(5)以及沿軸向方向延伸的晶...
          • 本發(fā)明提供了新型c?Myc降解劑,其可用于預(yù)防和/或治療c?Myc異常介導(dǎo)的相關(guān)疾病。
          • 本發(fā)明涉及一種用于翻轉(zhuǎn)滾動(dòng)容器(200)并且用于緊固于地面輸送機(jī)(100)的叉齒(102)的設(shè)備(2),該設(shè)備具有用于緊固于這些叉齒(102)的緊固區(qū)段(10)以及可轉(zhuǎn)動(dòng)地支承在緊固區(qū)段(10)上的旋轉(zhuǎn)區(qū)段(20),其中旋轉(zhuǎn)區(qū)段(20)具有...
          • 本發(fā)明涉及一種控制容器處理線的方法以及容器處理線,該容器處理線包括至少一臺(tái)用于處理容器的機(jī)器、至少一個(gè)用于輸送容器的輸送單元以及中央控制單元。該方法包括:?在中央控制單元中接收來自至少一臺(tái)機(jī)器的第一控制數(shù)據(jù),在中央控制單元中接收來自至少一個(gè)...
          • 本公開提供了“牽引電池匯流條總成鎖定條”。一種牽引電池包總成包括匯流條總成,所述匯流條總成具有框架和至少一個(gè)匯流條。所述框架包括多個(gè)指狀物。鎖定條具有多個(gè)孔,所述多個(gè)孔各自被配置為接收所述指狀物中的一個(gè)或多個(gè)的一部分以約束所述匯流條總成。
          • 本發(fā)明提供一種具備鋒利度良好的模式和抑制損傷且鋒利度沒有劣化的模式這兩者的毛狀體的電動(dòng)切割器。本發(fā)明的毛狀體的電動(dòng)切割器(1)具備能夠正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的內(nèi)刀(42),內(nèi)刀(42)具有多個(gè)在正轉(zhuǎn)側(cè)形成有第1刀尖(42a)并在反轉(zhuǎn)側(cè)形成有第2刀尖(4...
          • 本發(fā)明公開了一種治療冠心病心肌梗塞的藥物及其服用方法。藥物包含云南白藥保險(xiǎn)子、六神丸、強(qiáng)筋松片、維生素B1、雙氯芬酸鈉腸溶片,按特定重量份數(shù)配比。服用方法為口服一日三次,七天一療程,每年一療程。其原理是各成分分別從解除...
          • 本發(fā)明提供條件性層1/層2觸發(fā)的移動(dòng)性的方法和裝置。其中一實(shí)施例提供一種條件性層1/層2觸發(fā)的移動(dòng)性的方法,包括:由裝置的處理器從網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)接收配置;由該處理器根據(jù)該配置進(jìn)行測(cè)量;由該處理器在根據(jù)所述測(cè)量確定觸發(fā)事件已經(jīng)發(fā)生時(shí),觸發(fā)條件性LT...
          • 本發(fā)明屬于一維納米卷材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種釩基MXene衍生一維納米卷材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明所述的一維納米卷材料的單根直徑為納米級(jí),長(zhǎng)度為微米級(jí);采用的合成方法為:將釩基MXene及胺溶液均勻混合后,轉(zhuǎn)移至反應(yīng)釜內(nèi)加熱反應(yīng),...
          • 本公開提供一種基板處理方法和基板處理裝置,能夠?qū)υ诒砻媛冻隽说谝荒ず偷诙さ幕逯羞x擇性地對(duì)第一膜進(jìn)行蝕刻,所述第一膜為氧化硅膜,所述第一膜與所述第二膜為種類互不相同的含硅膜。在對(duì)在表面露出了作為種類互不相同的含硅膜的第一膜和第二膜的基板供...
          • 本公開涉及針對(duì)人工智能應(yīng)用將浮點(diǎn)加法轉(zhuǎn)換為整數(shù)加法。一種實(shí)施例提供了一種圖形處理器,包括:基底管芯,包括多個(gè)芯粒插口;和與所述多個(gè)芯粒插口耦合的多個(gè)芯粒。多個(gè)芯粒中的至少一個(gè)芯粒包括矩陣加速器,該矩陣加速器具有用于執(zhí)行浮點(diǎn)操作的電路,所述浮...
          • 本公開涉及有機(jī)電致發(fā)光化合物、多種主體材料以及包含其的有機(jī)電致發(fā)光裝置,這些主體材料包含至少一種由式(1)表示的第一主體化合物和至少一種由式(2)表示的第二主體化合物,其中第一主體化合物和第二化合物彼此不同。通過包含根據(jù)本公開的有機(jī)電致發(fā)光...
          • 本發(fā)明涉及負(fù)的雙面切削刀片和銑削刀具。一種具有八個(gè)工作位置的、用于銑削的負(fù)的雙面切削刀片。外圍表面繞所述切削刀片(1)延伸,并且具有四個(gè)主側(cè)刀面,包括在所述切削刀片的相反兩側(cè)上彼此相對(duì)地布置的第一主側(cè)刀面(11a)和第二主側(cè)刀面(11b),...
          • 本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置,能夠通過使針對(duì)半導(dǎo)體裝置的整周可接合的區(qū)域增加,來提高半導(dǎo)體裝置的組裝的自由度。半導(dǎo)體裝置包括具有俯視時(shí)為四邊形狀的有源區(qū)域和設(shè)置在有源區(qū)域的周圍的終端區(qū)域的半導(dǎo)體基板,包括:柵極電極,該柵極電極在有源區(qū)...
          • 本公開所涉及的半導(dǎo)體裝置包括:半導(dǎo)體模塊,該半導(dǎo)體模塊具有散熱板;散熱器,該散熱器具有安裝半導(dǎo)體模塊的安裝面;散熱構(gòu)件,該散熱構(gòu)件介于散熱板和散熱器之間,具有柔軟性;以及間隔件。半導(dǎo)體模塊及散熱器通過緊固構(gòu)件而緊固。半導(dǎo)體模塊及散熱器分別具...
          • 本發(fā)明提供防止向容器中補(bǔ)充含有顆粒等污染物質(zhì)的處理液的基片處理裝置和處理液補(bǔ)充方法。基片處理裝置包括:使用處理液對(duì)基片進(jìn)行液處理的處理單元;貯存被供給到處理單元之前的處理液的容器;從處理液供給源向上述容器供給處理液的補(bǔ)充管線;開閉上述補(bǔ)充管...
          • 本發(fā)明提供一種即使在高耐壓規(guī)格的層疊陶瓷電容器中也能夠抑制靜電電容的下降并且抑制界面剝離的產(chǎn)生的層疊陶瓷電容器。在層疊陶瓷電容器(1)中,多個(gè)內(nèi)部電極層包含第1內(nèi)部電極層(31)、第2內(nèi)部電極層(32)以及中間電極層(33),中間電極層(3...
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