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          • 一種具有并聯(lián)定序功能的發(fā)光二極管電路、電路封裝以及燈串,其中該發(fā)光二極管電路包括內(nèi)部電阻、模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換電路、驅(qū)動(dòng)電路以及電流源。內(nèi)部電阻具有第一端與第二端,第一端與第二端分別連接于電源線(xiàn)的輸入端與輸出端。輸入端耦接控制器以接收控制器產(chǎn)生的...
          • 一種電路板包括:基板、處理器插槽、至少一個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存插槽、至少一個(gè)周邊組件互連快速插槽、以及第一連接插槽,其中第一連接插槽設(shè)置在基板上并配置為連接擴(kuò)展電路板,電路板適用于第一類(lèi)機(jī)箱規(guī)格,當(dāng)電路板與擴(kuò)展電路板連接并布置在同一平面時(shí),電路...
          • 本公開(kāi)提供了一種散熱組件、光籠子組件、光通信設(shè)備和散熱方法,屬于散熱技術(shù)領(lǐng)域。散熱組件包括散熱器和電控磁吸裝置。散熱器用于安裝在光籠子的開(kāi)窗處,并用于與光模塊貼合。電控磁吸裝置固定于散熱器,電控磁吸裝置用于在通電狀態(tài)下產(chǎn)生磁吸力。當(dāng)光模塊插...
          • 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備,制造方法包括:在襯底上形成圖案化的堆疊結(jié)構(gòu),堆疊結(jié)構(gòu)包括多個(gè)通孔、多個(gè)溝槽;在所述溝槽的內(nèi)壁上形成刻蝕阻擋層并在所述溝槽內(nèi)填滿(mǎn)犧牲層;在所述通孔內(nèi)對(duì)所述第一絕緣層進(jìn)行橫向刻蝕,露出所述刻蝕阻擋層;去除所...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子設(shè)備。半導(dǎo)體器件包括:半導(dǎo)體層,包括相互連接的主體部、第一延伸部和第二延伸部,第一延伸部和第二延伸部沿平行于襯底的橫向延伸,主體部沿垂直于襯底的縱向延伸;柵極層,沿縱向延伸,主體部為沿縱向延伸的環(huán)...
          • 本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域,旨在解決如何提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)良率。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括形成中間半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);中間半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括多個(gè)有源柱、多個(gè)柵極層和多個(gè)屏蔽層。形成第一層間絕緣層;...
          • 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備,所述半導(dǎo)體器件包括:多個(gè)存儲(chǔ)單元,分布于不同層、沿著垂直于襯底的方向堆疊且周期性分布;所述存儲(chǔ)單元包括晶體管;所述晶體管包括單晶硅柱、至少部分環(huán)繞所述單晶硅柱的柵電極和位于所述單晶硅柱與所述柵電極之間的...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N種鐵電存儲(chǔ)器及其制備方法、電子設(shè)備。該鐵電存儲(chǔ)器包括:襯底和形成在襯底上的多個(gè)存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元包括鐵電電容;鐵電電容包括堆疊的第一電極和第二電極,和鐵電層;鐵電層包括氧化鉿、氧化鋯中的至少一種材料以及摻雜元素;摻雜元素的...
          • 本公開(kāi)提供一種顯示單元、顯示面板和顯示模組,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。顯示面板包括陣列分布的顯示單元,顯示單元包括依次層疊設(shè)置的發(fā)光單元、第一光學(xué)單元和第二光學(xué)單元;發(fā)光單元用于提供激發(fā)光;第一光學(xué)單元對(duì)來(lái)自發(fā)光單元側(cè)的激發(fā)光呈現(xiàn)增透特性;第二光學(xué)...
          • 本發(fā)明提供一種QLED器件及其應(yīng)用。所述QLED器件包括發(fā)光層,所述發(fā)光層包括依次層疊設(shè)置的第一發(fā)光層、激子阻擋層和第二發(fā)光層;所述第一發(fā)光層的材料包括第一主體基質(zhì)和染料;所述染料包括藍(lán)光染料和/或黃光染料。本發(fā)明中通過(guò)對(duì)QLED器件發(fā)光層...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示面板及電子設(shè)備,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,所述顯示面板包括陣列基板;層疊于所述陣列基板一側(cè)的光取出層和多個(gè)發(fā)光子像素;所述光取出層在所述陣列基板上的正投影與所述發(fā)光子像素在所述陣列基板上的正投影至少部分重疊,所述光取出層包...
          • 一種二次電池包括:電極組件,包括第一電極板、第二電極板和隔膜;殼體,被配置以容納電極組件;以及蓋組件,聯(lián)接到殼體的開(kāi)放的上側(cè)。支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置并固定到電極組件的下端,并且支撐結(jié)構(gòu)被支撐以與殼體的下底表面接觸。
          • 本發(fā)明涉及一種用于機(jī)動(dòng)車(chē)驅(qū)動(dòng)電池的單體接觸系統(tǒng)的熔斷器,所述熔斷器可這樣設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電池的電池單體區(qū)域中且這樣確定尺寸,使得在電池單體熱失控時(shí)電池單體的反應(yīng)熱與在此在電池單體端子區(qū)域中出現(xiàn)的相關(guān)短路電流的歐姆損耗以及與在此在熔斷器上出現(xiàn)的短路...
          • 本申請(qǐng)涉及一種問(wèn)答方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括:在目標(biāo)提問(wèn)內(nèi)容的答復(fù)場(chǎng)景為非預(yù)設(shè)場(chǎng)景時(shí),通過(guò)從緩存中查詢(xún)目標(biāo)提問(wèn)內(nèi)容對(duì)應(yīng)的目標(biāo)答復(fù)內(nèi)容并反饋給目標(biāo)賬號(hào),以減少預(yù)設(shè)大語(yǔ)言模型的使用頻次,從而降低預(yù)設(shè)大語(yǔ)言模型的使用代價(jià),以解...
          • 本發(fā)明提供了一種基于生成式人工智能技術(shù)的電廠(chǎng)設(shè)計(jì)專(zhuān)題報(bào)告生成方法,其特征在于,包括以下步驟:(1)數(shù)據(jù)采集與處理;(2)自然語(yǔ)言處理與信息提取;(3)生成式人工智能模型訓(xùn)練;(4)報(bào)告生成與內(nèi)容組織;(5)報(bào)告輸出與定制化;(6)質(zhì)量評(píng)估與...
          • 本發(fā)明實(shí)施例提供了問(wèn)答處理的方法、裝置、電子設(shè)備、介質(zhì)及程序產(chǎn)品,所述方法包括:獲取用戶(hù)輸入的問(wèn)題文本,并生成所述問(wèn)題文本對(duì)應(yīng)的第二向量;采用所述第二向量,在預(yù)先構(gòu)建的向量庫(kù)中進(jìn)行向量匹配,得到目標(biāo)第一向量,并確定所述目標(biāo)第一向量對(duì)應(yīng)的目標(biāo)...
          • 本發(fā)明提供了一種利用空氣腔增強(qiáng)氧化鎵外延質(zhì)量的制備方法,該方法通過(guò)降低位錯(cuò)密度來(lái)提高薄膜質(zhì)量。在具體實(shí)施過(guò)程中,我們采用光刻技術(shù)在襯底上形成具有特定圖案的光刻膠,隨后對(duì)帶有光刻膠圖案的襯底進(jìn)行熱回流處理。接著,在熱回流后的襯底上進(jìn)行非晶態(tài)或...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝耍环N多芯片的封裝結(jié)構(gòu)、光模塊和光通信系統(tǒng),包括:基板,基板的頂面配置有多個(gè)芯片,多個(gè)芯片包括至少一個(gè)電芯片和光芯片;其中,基板的頂面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,第一區(qū)域與基板的底面的距離大于第二區(qū)域與基板的底面的距離,第一區(qū)域用于...
          • 一種O3型鈉離子電池鎳錳基層狀氧化物正極材料、制備方法和用途屬于電極材料領(lǐng)域?;瘜W(xué)通式表示為:Nax(NiyMn1?y)1?βMβ...
          • 本發(fā)明適用于電機(jī)制造技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種注塑成型含前或后端蓋的定子組件及其工藝,包括集成前端蓋或集成后端蓋,所述集成前端蓋或集成后端蓋內(nèi)設(shè)有定子鐵芯和定子繞組,所述集成前端蓋或集成后端蓋采用可塑性材質(zhì)成型;其中,所述定子繞組置于所述定子鐵芯...
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