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          • 本發(fā)明公開了一種基于MOM平臺(tái)的一體化智能優(yōu)化運(yùn)行管理系統(tǒng),涉及優(yōu)化運(yùn)行管理技術(shù)領(lǐng)域。該基于MOM平臺(tái)的一體化智能優(yōu)化運(yùn)行管理系統(tǒng),包括:數(shù)據(jù)獲取感知模塊,用于獲取待優(yōu)化的零部件制造的生產(chǎn)數(shù)據(jù),生產(chǎn)特征提取模塊,用于對(duì)待優(yōu)化的零部件制造的生...
          • 一種基于數(shù)字孿生的儲(chǔ)糧情況推演方法,包括如下步驟:獲取糧倉內(nèi)的實(shí)時(shí)環(huán)境數(shù)據(jù);將實(shí)時(shí)環(huán)境數(shù)據(jù)輸入到預(yù)先訓(xùn)練好的糧情推演模型中,糧情推演模型包括糧倉子模型和推演子模型,其中糧倉子模型用于表征糧倉的三維物理結(jié)構(gòu)和環(huán)境影響規(guī)律,推演子模型基于LST...
          • 本發(fā)明公開了一種考慮多重不確定性的虛擬電廠優(yōu)化調(diào)度方法及系統(tǒng),屬于虛擬電廠優(yōu)化調(diào)度領(lǐng)域,該方法先獲取風(fēng)電機(jī)組、光伏機(jī)組、購售電價(jià)及需求響應(yīng)負(fù)荷量的歷史數(shù)據(jù),運(yùn)用蒙特卡羅法等確定不確定性因素的日前調(diào)度預(yù)測值,為后續(xù)調(diào)度提供可靠基礎(chǔ),提升調(diào)度策...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N高速鐵路通過能力計(jì)算方法及裝置,方法包括:分別獲取高速鐵路的目標(biāo)區(qū)段內(nèi)的各個(gè)站間的始發(fā)站空余時(shí)間帶和終到站空余時(shí)間帶;根據(jù)始發(fā)站及終到站空余時(shí)間帶以及預(yù)先以忽略列車停站時(shí)間的方式獲取的各個(gè)站間的較快列車旅行時(shí)間和較慢列車旅行時(shí)...
          • 本發(fā)明公開了基于多尺度特征提取的掩碼自編碼器Lamb波場圖像重構(gòu)方法,屬于結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測領(lǐng)域,該方法通過采集Lamb波場傳播的全波場圖像,進(jìn)行多尺度分解、隨機(jī)掩碼和稀疏采樣,構(gòu)建各尺寸圖像的三維點(diǎn)云數(shù)據(jù);采用多尺度分層ViT編碼器和分層解碼器...
          • 本發(fā)明實(shí)施例公開了土地覆被分類方法及裝置、設(shè)備及介質(zhì),方法包括:收集目標(biāo)區(qū)域的每個(gè)網(wǎng)格在三個(gè)時(shí)期的初始土地覆被類型;根據(jù)每個(gè)網(wǎng)格在三個(gè)時(shí)期的初始土地覆被類型進(jìn)行重分類,得到目標(biāo)區(qū)域的每個(gè)網(wǎng)格在三個(gè)時(shí)期的標(biāo)準(zhǔn)土地覆被類型;獲取目標(biāo)區(qū)域在三個(gè)時(shí)...
          • 本發(fā)明公開了基于擴(kuò)散模型的相似性解糾纏運(yùn)動(dòng)姿態(tài)生成方法,涉及運(yùn)動(dòng)姿態(tài)生成技術(shù)領(lǐng)域,方法為:對(duì)含噪姿態(tài)進(jìn)行相似性解糾纏,得到四維骨骼表征;將含噪姿態(tài)與對(duì)應(yīng)的四維骨骼表征進(jìn)行融合,構(gòu)成姿態(tài)特征序列;在姿態(tài)特征序列中融合文本的全局語義,獲取融合姿...
          • 本發(fā)明涉及一種基于可解釋人工智能的體細(xì)胞突變檢測的方法、裝置和計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì),屬于基因檢測技術(shù)領(lǐng)域。使用二代測序技術(shù),對(duì)腫瘤?對(duì)照樣本進(jìn)行全外顯子組測序。利用多種體細(xì)胞變異檢測工具分析的突變數(shù)據(jù)作為輸入特征,計(jì)算并提取每種檢測工具的偏差值v...
          • 本發(fā)明提供一種使用血液標(biāo)志物預(yù)測鼻咽癌干細(xì)胞耗竭特征的方法,包括獲取復(fù)數(shù)個(gè)鼻咽癌患者的癌組織樣本,對(duì)每一患者使用單樣本基因富集分析ssGSEA構(gòu)建基于轉(zhuǎn)錄組的鼻咽癌干細(xì)胞衰竭評(píng)分;收集同一批患者的血液標(biāo)志物數(shù)據(jù),包含21項(xiàng)血常規(guī)數(shù)據(jù),進(jìn)行數(shù)...
          • 本發(fā)明提供了一種中子電離室在線提升裝置,屬于核電技術(shù)領(lǐng)域,用于解決中子電離室受中子輻照,導(dǎo)致使用壽命變短的問題。中子電離室在線提升裝置包括支撐部、提升驅(qū)動(dòng)部、連接部和控制系統(tǒng)。支撐部設(shè)置于導(dǎo)向管的頂部。提升驅(qū)動(dòng)部設(shè)置于支撐部上,且位于導(dǎo)向管...
          • 本申請(qǐng)公開了一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法,該封裝結(jié)構(gòu)包括基板;貼裝在基板上表面的芯片堆疊結(jié)構(gòu),包括沿第一方向依次堆疊的多個(gè)子堆疊單元,第一方向平行于基板的上表面,每一個(gè)子堆疊單元包括子堆疊體以及柔性轉(zhuǎn)接層,子堆疊體包括沿第一方向依次堆疊的多個(gè)第...
          • 本申請(qǐng)公開了一種基于液態(tài)金屬電致動(dòng)的芯片微流體冷卻裝置及冷卻方法。該芯片微流體冷卻裝置,包括第一基板和第二基板;所述第一基板上形成有凹陷部;所述凹陷部內(nèi)盛放有冷卻工質(zhì);所述第二基板可拆卸地與所述第一基板裝配在一起,并覆蓋所述凹陷部的開口;所...
          • 本發(fā)明提供一種負(fù)極片、正極片、隔膜、電池、電池裝置及用電設(shè)備,負(fù)極片包括負(fù)極集流體、以及設(shè)于負(fù)極集流體表面的負(fù)極活性層,負(fù)極活性層包括負(fù)極活性材料和第一金屬有機(jī)框架材料;在所述負(fù)極片厚度方向上,位于所述負(fù)極活性層遠(yuǎn)離所述負(fù)極集流體一側(cè)的所述...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種負(fù)極極片及其制備方法、電池和用電設(shè)備。該負(fù)極極片包括:負(fù)極極片本體以及位于負(fù)極極片本體的界面膜;界面膜包括相互連接的第一子膜層和第二子膜層,第一子膜層設(shè)于負(fù)極極片本體,第二子膜層位于第一子膜層遠(yuǎn)離負(fù)極極片本體的一側(cè),第一...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種電芯防護(hù)裝置、電池包及用電設(shè)備,該電芯防護(hù)裝置包括第一壓板、第二壓板和第一連接結(jié)構(gòu),第二壓板與第一壓板相對(duì)設(shè)置。第一連接結(jié)構(gòu)連接第一壓板和第二壓板,第一連接結(jié)構(gòu)包括依序順次連接的至少一個(gè)剛性件、至少一個(gè)第一彈性件,以及至...
          • 本申請(qǐng)涉及儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種儲(chǔ)能殼體、儲(chǔ)能裝置、儲(chǔ)能場站及用電設(shè)備。儲(chǔ)能殼體包括箱體,設(shè)有容納空間,容納空間適于容納電池組件;泄壓板,設(shè)于容納空間中,泄壓板設(shè)置于電池組件極柱所在一側(cè),泄壓板設(shè)置有排氣通道,排氣通道單向開啟,以使極柱...
          • 本申請(qǐng)涉及電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種集流盤組件、電池、電池組件和用電設(shè)備。集流盤組件,包括:導(dǎo)流件和導(dǎo)電件,導(dǎo)流件設(shè)有熔斷部。導(dǎo)電件設(shè)于熔斷部,導(dǎo)電件用于導(dǎo)通導(dǎo)流件的電流,和/或?qū)щ娂糜谠龃髮?dǎo)流件的過流面積。導(dǎo)電件被配置為在溫度超過第一預(yù)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N配電電子裝置和終端設(shè)備,該電子裝置包括:安全器件和供電分路;所述供電分路包括供電開關(guān),所述供電開關(guān)用于控制所述供電分路的供電;所述供電分路包括至少一個(gè)安全器件,所述安全器件用于控制所述供電分路的供電。本申請(qǐng)?zhí)峁┑呐潆婋娮友b置,...
          • 本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N通信方法、通信設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。應(yīng)用于第一通信節(jié)點(diǎn)的通信方法包括:接收第一指示信息;所述第一指示信息包括下述至少之一:小區(qū)信息,用于指示第一通信節(jié)點(diǎn)需要測量的小區(qū);SSB信息;SMTC信息;第一類型周期數(shù)量N;第二類型周期數(shù)量K...
          • 本發(fā)明公開一種具有齒狀場氧的LDMOS器件結(jié)構(gòu)及其制備方法。本發(fā)明包括第一摻雜類型的半導(dǎo)體層;位于所述半導(dǎo)體層中的體區(qū)和漂移區(qū),所述體區(qū)具有第一摻雜類型,所述漂移區(qū)具有與第一摻雜類型相反的第二摻雜類型;位于所述體區(qū)中的第二摻雜類型的源區(qū);位...
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