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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明公開了基于智能激光攝像頭空中多維屏幕成像電腦手機一體機，涉及多維屏幕成像電腦手機一體機技術(shù)領域，包括激光投影模塊、環(huán)境監(jiān)測模塊、動態(tài)校正模塊、手勢識別模塊、用戶交互反饋模塊以及圖像重建優(yōu)化模塊；所述激光投影模塊，用于采用高頻率激光調(diào)制...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基于頻率感知的特征提取和熵模型構(gòu)建的屏幕內(nèi)容圖像壓縮方法及系統(tǒng)；包括：分析變換分頻：輸入原始屏幕內(nèi)容圖像，得到多頻潛在特征；頻率感知熵模型與量化：輸入多頻潛在特征，得到量化后的多頻潛在特征，進行熵編碼和熵解碼；超先驗分析變換分...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于fgOTN系統(tǒng)的帶寬調(diào)整方法及裝置。其中，低階細粒度業(yè)務速率調(diào)整采用瞬時調(diào)整方式，結(jié)合緩存容量調(diào)整技術(shù)來吸收細粒度業(yè)務速率瞬時調(diào)整帶來的線路抖動和沖擊，保證了帶寬調(diào)整過程中業(yè)務平穩(wěn)過渡；同時以req的計數(shù)值作為判斷是否進行高階業(yè)務時...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及跨介質(zhì)通信技術(shù)領域，公開一種基于壓電效應的跨介質(zhì)通信方法、系統(tǒng)、設備及介質(zhì)，系統(tǒng)包括：壓電機械天線用于通過機械振動產(chǎn)生超聲波并進一步轉(zhuǎn)化為電磁輻射，實現(xiàn)跨介質(zhì)通信；匹配網(wǎng)絡連接壓電機械天線和超高壓驅(qū)動器，用于優(yōu)化驅(qū)動電路與壓電機械...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種對講機的任務派發(fā)方法、系統(tǒng)及相關(guān)設備，方法包括提供主機對講機、若干的子對講機以及PC端設備；將所述主機對講機和若干的所述子對講機進行組網(wǎng)；在所述PC端設備中安裝工單系統(tǒng)程序，并將所述主機對講機連接所述PC端設備；在所述PC端...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于低空技術(shù)領域，公開了一種基于邊緣計算的低空目標數(shù)據(jù)管理融合系統(tǒng)，包括邊緣數(shù)據(jù)采集模塊、實時預處理模塊、多源數(shù)據(jù)融合模塊、動態(tài)資源調(diào)度模塊、智能決策支持模塊、安全防護模塊和遠程監(jiān)控模塊。本發(fā)明，實現(xiàn)了對低空目標多源異構(gòu)數(shù)據(jù)的全面采集...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于超寬帶定位技術(shù)領域，具體為一種基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡的超寬帶定位方法及設備。本發(fā)明定位方法包括獲取超寬帶的信道沖激響應（CIR）信息數(shù)據(jù)，使用預先訓練的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡模型對其中非視距（NLOS）的信號進行識別與剔除，對剩下的有效信號按照個...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開的一種基于大語言模型的粒子加速器系統(tǒng)環(huán)路參數(shù)在線智能調(diào)控方法及裝置，包括：實時獲取射頻腔的腔體運行數(shù)據(jù)，計算出當前腔體的系統(tǒng)狀態(tài)參數(shù)，并判斷是否滿足調(diào)優(yōu)終止條件，不滿足則繼續(xù)；將系統(tǒng)狀態(tài)參數(shù)以及PI參數(shù)調(diào)優(yōu)目標轉(zhuǎn)化為自然語言描述的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種高可靠性半孔槽AI算力卡PCB的制造方法，先進行前工序處理，包括基板開料等；接著激光鉆孔，控制孔徑公差±12.5um，經(jīng)等離子清洗后填孔電鍍，形成18μm銅層，再減銅；之后外層鉆孔，控制孔位精度±0.075mm，經(jīng)板電鍍銅、外...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)中心的液冷系統(tǒng)。液冷系統(tǒng)包括機柜和連接于機柜的液冷機構(gòu)；液冷機構(gòu)包括至少部分安裝在機柜內(nèi)的一次側(cè)循環(huán)管路、循環(huán)路徑獨立于一次側(cè)循環(huán)管路的二次側(cè)循環(huán)管路及連接在一次側(cè)循環(huán)管路和二次側(cè)循環(huán)管路上的板換；板換固定于機柜內(nèi)，用于...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N閃存器件及其制備方法，在制備方法中，通過刻蝕淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，使得超出所述襯底表面的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)在橫向上的關(guān)鍵尺寸進一步收縮，接著繼續(xù)向下刻蝕部分淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，以形成第二溝槽，然后在第二溝槽中淀積ONO膜層并填充控制柵層...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供的一種分柵快閃存儲器及其形成方法，通過將浮置柵極的一部分置于溝槽內(nèi)，并在其側(cè)旁形成源極線路多晶硅，構(gòu)建了立體的源極?浮置柵極耦合結(jié)構(gòu)。這種設計能夠在不犧牲甚至優(yōu)化耦合系數(shù)的前提下，有效減小浮置柵極在平面上的尺寸，從而極大地有利于實...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法。該方法包括：提供襯底，依次形成絕緣層和下電極金屬層，并對下電極金屬層進行第一熱退火；在下電極金屬層上形成電介質(zhì)層，并在含氧氣氛下對電介質(zhì)層進行第二熱退火；在電介質(zhì)層上形成上電極金屬層，并對上...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N半導體器件及其制備方法，制備方法中，通過在濕法刻蝕去除低壓器件區(qū)的第二柵氧化層和第一柵氧化層之前，采用LPCVD工藝形成一層致密的第二柵氧化層，致密的第二柵氧化層和第一柵氧化層的組合可以避免在濕法過刻蝕時，濕法藥液誤蝕刻襯底進...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種雙極晶體管與場效應晶體管的集成方法，在半導體襯底上執(zhí)行雙極晶體管埋層離子注入，之后在襯底上形成外延層并在外延層上形成器件隔離結(jié)構(gòu)；在襯底上執(zhí)行場效應晶體管器件制造工藝；在場效應晶體管器件制造完成后，通過多步不同能量梯度的離子注...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種雙向可控硅整流器器件。該器件為對稱結(jié)構(gòu)，包括中央第一導電類型阱區(qū)(接第一端)及兩側(cè)的側(cè)翼第一導電類型阱區(qū)(接第二端)，并設置有內(nèi)側(cè)和外側(cè)第二導電類型阱區(qū)。關(guān)鍵在于，在第一導電類型阱區(qū)內(nèi)設置浮空的第一導電類型重摻雜區(qū)域，用于提...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種可控硅整流器靜電保護器件，包括：第一導電類型襯底；第一導電類型外延層(PEPI)；以及設置在PEPI內(nèi)的第一導電類型阱區(qū)(PW)和第二導電類型阱區(qū)(NW)。關(guān)鍵在于，器件還包括設置在PW內(nèi)且至少一部分橫跨PW/PEPI結(jié)區(qū)的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種EOS防護器件。包括中心區(qū)域和鄰近區(qū)域。中心區(qū)域含第一、二導電類型阱區(qū)，僅形成有第二導電類型重摻雜區(qū)，位于兩種阱區(qū)內(nèi)。鄰近區(qū)域含第一、二導電類型阱區(qū)，兩種阱區(qū)內(nèi)均形成有第一和第二導電類型的重摻雜區(qū)。通過控制鄰近區(qū)域阱間距D2大...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種改善CMOS圖像傳感器暗電流及可靠性性能的方法，在完成第一介質(zhì)層上已形成金屬互連結(jié)構(gòu)并經(jīng)過平坦化后的晶圓表面，形成第一SiCN層；在SiCN層上形成第二介質(zhì)層；通過光刻工藝在第二介質(zhì)層表面形成重分布通孔圖形；執(zhí)行刻蝕工藝形成重...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種圖像傳感器產(chǎn)品的第一重側(cè)墻制造方法，提供半導體襯底，在襯底上形成有邏輯器件區(qū)域，其包括輸入/輸出器件的N型阱區(qū)與P型阱區(qū)，以及核心器件的N型阱區(qū)與P型阱區(qū)，不同阱區(qū)之間通過淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)進行隔離；在襯底上依次形成柵極氧化層和柵...
								
            
							
            
							
						
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