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								      本發(fā)明涉及醫(yī)療及多模態(tài)大模型技術領域，公開了一種基于多模態(tài)大模型的疾病預測與輔助診斷系統(tǒng)構建方法及系統(tǒng)。所述方法包括報告單格式轉(zhuǎn)換與數(shù)據(jù)清理，表格圖像轉(zhuǎn)結構化文本；構建檢索知識庫以增強檢索能力；精準提示語設計與推理優(yōu)化；小樣本學習與模型微調(diào)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了基于多模態(tài)成像與數(shù)據(jù)融合的頭皮健康智能評估系統(tǒng)，涉及發(fā)質(zhì)檢測分析技術領域，包含多源異構頭皮數(shù)據(jù)采集與融合決策，通過高階PDE插值與多尺度濾波修正異常圖像和傳感器數(shù)據(jù)，利用CNN/LSTM及自適應注意力提取毛囊形態(tài)、炎癥熱點與油脂...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及電纜技術領域，提出了一種高柔韌鋁合金電纜，由內(nèi)到外依次包括導體、絕緣層、鎧裝層、護套層，護套層包括以下重量份的組分：聚氯乙烯、甲基苯基乙烯基硅橡膠、乙烯?醋酸乙烯酯共聚物、復合玻璃纖維材料、石榴石粉、增塑劑、抗氧劑、交聯(lián)劑、紫外線...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種用于電纜中銅編織層表面的鍍錫方法，鍍錫方法包括：酸洗、噴砂、靜電噴涂、高溫處理和冷卻步驟。本實施例通過靜電噴涂方式將錫顆粒均勻附著在銅編織層表面，并通過高溫處理和冷卻步驟使得錫顆粒固化形成錫層，從而有效避免了PTFE層的形變。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及變壓器技術領域，尤其涉及一種大功率一體式結構自動化變壓器，包括人字形屋頂和變壓器本體，所述人字形屋頂和變壓器本體之間設置有定位調(diào)整機構、快速安裝機構和緩沖保護機構；所述定位調(diào)整機構包括固定連接在所述人字形屋頂頂端兩側(cè)的三角底座，兩...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及變壓器零部件技術領域，且公開了一種油浸式變壓器的放油接頭及其變壓器，包括安裝架，安裝架上設置有控油部，控油部包括有油枕，油枕的一端開口設置且連接有隔油盤，油枕上固定連接有對接環(huán)，油枕上連通有上油管，隔油盤上設置有出油部，出油部包括...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及變壓器技術領域，具體涉及一種變壓器冷卻控制方法、系統(tǒng)、設備及存儲介質(zhì)，包括如下步驟：獲取變壓器的電氣特征量信號與熱工狀態(tài)量信號；基于電氣特征量信號與熱工狀態(tài)量信號，計算下一時刻的頂層油溫預測值，并耦合動態(tài)調(diào)整的安全裕度確定油溫閾值...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及射頻通信技術領域，公開了一種緊湊型射頻開關電磁線圈芯軸結構，包括：下塑料擋片、線圈鐵芯芯軸、上塑料擋片、插針座、金屬插針、電磁線圈固定板、鎖緊螺釘及PCB板，所述下塑料擋片和上塑料擋片分別壓配固定在線圈鐵芯芯軸的兩端，形成芯軸組件...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種用于X射線管的界面增強液態(tài)金屬軸承，包括定子中心軸、旋轉(zhuǎn)構件、形成在定子中心軸和旋轉(zhuǎn)構件之間的軸承間隙、以及填充在軸承間隙內(nèi)的液態(tài)金屬；將定子中心軸的表面和旋轉(zhuǎn)構件的表面劃分為泄露敏感區(qū)、摩擦磨損區(qū)和潤濕潤滑區(qū)，定子中心軸和/...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種質(zhì)譜儀的微量取樣器，屬于質(zhì)譜儀取樣器技術領域，包括取樣底座、取樣裝置、樣品瓶和稱量杯，所述樣品瓶放置在取樣底座上，所述稱量杯為多個，且稱量杯呈環(huán)形可轉(zhuǎn)動的設置在取樣底座外側(cè)，所述取樣裝置可來回且可上下運動的設置在樣品瓶上方，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種擺臂軌跡規(guī)劃方法及晶圓清洗機，所述方法包括預設擺臂擺動的起始位置、目標位置、終止位置以及與起始位置、目標位置、終止位置分別對應的起始速度、目標速度、終止速度，預設切換速度，切換速度小于目標速度，擺臂自所述起始位置至所述終止位...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用于半導體材料鍵合的設備和半導體材料鍵合方法，屬于半導體材料加工設備技術領域。用于半導體材料鍵合的設備包括旋轉(zhuǎn)工作模塊、升降工作模塊和厚度檢測模塊，旋轉(zhuǎn)工作模塊的旋轉(zhuǎn)壓臺與旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元的輸出端傳動連接；升降工作模塊的升降壓臺...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種半導體石英管內(nèi)置式推片裝置，涉及推片技術領域，包括抗壓板，所述抗壓板的頂部靠近一側(cè)邊緣處設置用于對石英管進行高溫處理的檢測組件，所述檢測組件包括有石英管本體和推片本體。該一種半導體石英管內(nèi)置式推片裝置，當需要使用推片裝置將硅...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種半導體器件的制造方法及制造系統(tǒng)。半導體器件的制造系統(tǒng)包括控制器以及光捕獲操控裝置。控制器被配置為基于晶圓表面的缺陷分布圖及缺陷分布圖中缺陷的缺陷類型，確定晶圓的表面的目標缺陷及目標缺陷的位置。光捕獲操控裝置與控制器耦接，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種具有檢測功能的晶圓運輸裝置，其特征在于，包括可移動的承載件；連接部，設于所述承載件；相對設置的夾持機構，所述夾持機構可移動的設于所述連接部；相對設置的所述夾持機構相互靠近，以夾持所述晶圓；相對設置的所述夾持機構相互遠離，以松...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種晶圓翻轉(zhuǎn)裝置及晶圓翻轉(zhuǎn)設備，包括可移動的承載件：支撐部，設于所述承載件；相對設置的夾持機構，均可移動的設于所述支撐部，每個所述夾持機構均包括多個夾持組件，所述夾持組件用于夾持晶圓，且多個所述夾持組件沿豎直方向間隔設置；相對設...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及半導體制造技術領域，具體公開了一種全自動飛秒激光聚焦離子束顯微加工系統(tǒng)，包括：離子束設備、作業(yè)臺、操作組件與輔助作業(yè)組件。輔助作業(yè)組件包括：第一載具、第二載具、第一調(diào)節(jié)機構和第二調(diào)節(jié)機構；第一載具用于放置第一樣品；第二載具用于放置...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體結構、制備方法及半導體器件，包括提供初始半導體結構；初始半導體結構包括基底、嵌設于基底中的摻雜埋層、暴露于基底表面的淺溝槽隔離結構、位于基底上的柵極、覆蓋于柵極和基底表面的阻擋層、層疊于阻擋層上的第一介質(zhì)層和位于第一介...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種集成深溝槽隔離結構的器件及其制備方法；制備方法可以包括：提供半導體結構，半導體結構包括基底、層疊于基底表面的柵極材料層和層疊于柵極材料層的掩膜層，基底中形成有半導體器件的功能元件；于半導體結構中形成深溝...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體結構、制備方法及半導體器件，包括提供初始半導體結構；初始半導體結構包括器件層、位于器件層上的第一介質(zhì)層和位于第一介質(zhì)層上與頂層金屬層之間的至少一層第一布線層，至少一層第一布線層中頂端的第一布線層包括第一金屬層、覆蓋第一...
								
            
							
            
							
						
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