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								      本發(fā)明公開了一種基于MOM平臺的一體化智能優(yōu)化運行管理系統(tǒng)，涉及優(yōu)化運行管理技術領域。該基于MOM平臺的一體化智能優(yōu)化運行管理系統(tǒng)，包括：數(shù)據(jù)獲取感知模塊，用于獲取待優(yōu)化的零部件制造的生產數(shù)據(jù)，生產特征提取模塊，用于對待優(yōu)化的零部件制造的生...
								
            
							
            
							
						
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								      一種基于數(shù)字孿生的儲糧情況推演方法，包括如下步驟：獲取糧倉內的實時環(huán)境數(shù)據(jù)；將實時環(huán)境數(shù)據(jù)輸入到預先訓練好的糧情推演模型中，糧情推演模型包括糧倉子模型和推演子模型，其中糧倉子模型用于表征糧倉的三維物理結構和環(huán)境影響規(guī)律，推演子模型基于LST...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種考慮多重不確定性的虛擬電廠優(yōu)化調度方法及系統(tǒng)，屬于虛擬電廠優(yōu)化調度領域，該方法先獲取風電機組、光伏機組、購售電價及需求響應負荷量的歷史數(shù)據(jù)，運用蒙特卡羅法等確定不確定性因素的日前調度預測值，為后續(xù)調度提供可靠基礎，提升調度策...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N高速鐵路通過能力計算方法及裝置，方法包括：分別獲取高速鐵路的目標區(qū)段內的各個站間的始發(fā)站空余時間帶和終到站空余時間帶；根據(jù)始發(fā)站及終到站空余時間帶以及預先以忽略列車停站時間的方式獲取的各個站間的較快列車旅行時間和較慢列車旅行時...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了基于多尺度特征提取的掩碼自編碼器Lamb波場圖像重構方法，屬于結構健康監(jiān)測領域，該方法通過采集Lamb波場傳播的全波場圖像，進行多尺度分解、隨機掩碼和稀疏采樣，構建各尺寸圖像的三維點云數(shù)據(jù)；采用多尺度分層ViT編碼器和分層解碼器...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實施例公開了土地覆被分類方法及裝置、設備及介質，方法包括：收集目標區(qū)域的每個網(wǎng)格在三個時期的初始土地覆被類型；根據(jù)每個網(wǎng)格在三個時期的初始土地覆被類型進行重分類，得到目標區(qū)域的每個網(wǎng)格在三個時期的標準土地覆被類型；獲取目標區(qū)域在三個時...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了基于擴散模型的相似性解糾纏運動姿態(tài)生成方法，涉及運動姿態(tài)生成技術領域，方法為：對含噪姿態(tài)進行相似性解糾纏，得到四維骨骼表征；將含噪姿態(tài)與對應的四維骨骼表征進行融合，構成姿態(tài)特征序列；在姿態(tài)特征序列中融合文本的全局語義，獲取融合姿...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基于可解釋人工智能的體細胞突變檢測的方法、裝置和計算機存儲介質，屬于基因檢測技術領域。使用二代測序技術，對腫瘤?對照樣本進行全外顯子組測序。利用多種體細胞變異檢測工具分析的突變數(shù)據(jù)作為輸入特征，計算并提取每種檢測工具的偏差值v...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種使用血液標志物預測鼻咽癌干細胞耗竭特征的方法，包括獲取復數(shù)個鼻咽癌患者的癌組織樣本，對每一患者使用單樣本基因富集分析ssGSEA構建基于轉錄組的鼻咽癌干細胞衰竭評分；收集同一批患者的血液標志物數(shù)據(jù)，包含21項血常規(guī)數(shù)據(jù)，進行數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種中子電離室在線提升裝置，屬于核電技術領域，用于解決中子電離室受中子輻照，導致使用壽命變短的問題。中子電離室在線提升裝置包括支撐部、提升驅動部、連接部和控制系統(tǒng)。支撐部設置于導向管的頂部。提升驅動部設置于支撐部上，且位于導向管...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種封裝結構及其制作方法，該封裝結構包括基板；貼裝在基板上表面的芯片堆疊結構，包括沿第一方向依次堆疊的多個子堆疊單元，第一方向平行于基板的上表面，每一個子堆疊單元包括子堆疊體以及柔性轉接層，子堆疊體包括沿第一方向依次堆疊的多個第...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種基于液態(tài)金屬電致動的芯片微流體冷卻裝置及冷卻方法。該芯片微流體冷卻裝置，包括第一基板和第二基板；所述第一基板上形成有凹陷部；所述凹陷部內盛放有冷卻工質；所述第二基板可拆卸地與所述第一基板裝配在一起，并覆蓋所述凹陷部的開口；所...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種負極片、正極片、隔膜、電池、電池裝置及用電設備，負極片包括負極集流體、以及設于負極集流體表面的負極活性層，負極活性層包括負極活性材料和第一金屬有機框架材料；在所述負極片厚度方向上，位于所述負極活性層遠離所述負極集流體一側的所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種負極極片及其制備方法、電池和用電設備。該負極極片包括：負極極片本體以及位于負極極片本體的界面膜；界面膜包括相互連接的第一子膜層和第二子膜層，第一子膜層設于負極極片本體，第二子膜層位于第一子膜層遠離負極極片本體的一側，第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種電芯防護裝置、電池包及用電設備，該電芯防護裝置包括第一壓板、第二壓板和第一連接結構，第二壓板與第一壓板相對設置。第一連接結構連接第一壓板和第二壓板，第一連接結構包括依序順次連接的至少一個剛性件、至少一個第一彈性件，以及至...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及儲能技術領域，尤其涉及一種儲能殼體、儲能裝置、儲能場站及用電設備。儲能殼體包括箱體，設有容納空間，容納空間適于容納電池組件；泄壓板，設于容納空間中，泄壓板設置于電池組件極柱所在一側，泄壓板設置有排氣通道，排氣通道單向開啟，以使極柱...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及電池技術領域，尤其涉及一種集流盤組件、電池、電池組件和用電設備。集流盤組件，包括：導流件和導電件，導流件設有熔斷部。導電件設于熔斷部，導電件用于導通導流件的電流，和/或導電件用于增大導流件的過流面積。導電件被配置為在溫度超過第一預...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N配電電子裝置和終端設備，該電子裝置包括：安全器件和供電分路；所述供電分路包括供電開關，所述供電開關用于控制所述供電分路的供電；所述供電分路包括至少一個安全器件，所述安全器件用于控制所述供電分路的供電。本申請?zhí)峁┑呐潆婋娮友b置，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)岢鲆环N通信方法、通信設備及存儲介質。應用于第一通信節(jié)點的通信方法包括：接收第一指示信息；所述第一指示信息包括下述至少之一：小區(qū)信息，用于指示第一通信節(jié)點需要測量的小區(qū)；SSB信息；SMTC信息；第一類型周期數(shù)量N；第二類型周期數(shù)量K...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種具有齒狀場氧的LDMOS器件結構及其制備方法。本發(fā)明包括第一摻雜類型的半導體層；位于所述半導體層中的體區(qū)和漂移區(qū)，所述體區(qū)具有第一摻雜類型，所述漂移區(qū)具有與第一摻雜類型相反的第二摻雜類型；位于所述體區(qū)中的第二摻雜類型的源區(qū)；位...
								
            
							
            
							
						
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