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								      本發(fā)明公開了一種激光焊接制備多層金屬電路板的方法以及多層金屬電路板，方法包括以下步驟：在每兩塊相鄰單層金屬電路板之間均放置絕緣層，得到多層金屬電路板堆疊體；將多層金屬電路板堆疊體放在上下兩塊導熱襯板之間，得到多層金屬電路板堆疊裝夾體；對每兩...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種均溫板、均溫板的制造方法以及電子設備。該均溫板包括基體組件、分隔部、第一毛細結構、工作介質(zhì)以及不凝氣體。基體組件設有容納腔。分隔部設置于容納腔內(nèi)，將容納腔分割成通道以及與通道連通的蒸發(fā)腔。工作介質(zhì)填充于容納腔內(nèi)。不凝氣體填充...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N嵌入式存儲器及其制備方法、芯片和電子設備，嵌入式存儲器可以設置垂直晶體管和電容，且垂直晶體管和電容可以層疊設置，能夠大幅度減小存儲單元的面積，進而提高嵌入式存儲器的集成度和存儲密度。嵌入式存儲器可以包括至少一個存儲單元。其中...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件及其制備方法、電子設備。該半導體器件的制備方法包括：提供一襯底并交替形成第一絕緣層和功能層；接著進行第一次圖形化處理，形成第一子功能層和第二子功能層、第三子功能層和第四子功能層；接著進行第二次圖形化，形成第一初始溝...
								
            
							
            
							
						
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								      一種存儲器的制備方法，包括：提供襯底，形成疊層結構；對疊層結構進行刻蝕形成在垂直襯底方向貫穿疊層結構的溝道孔；在溝道孔內(nèi)沉積電荷存儲層，電荷存儲層位于溝道孔的側壁表面；在疊層結構遠離襯底的表面以及溝道孔內(nèi)沉積第一金屬層；去除第一金屬層，并通...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構及其形成方法，結構包括：基底，基底包括襯底以及凸立于所述襯底上的鰭部；第一功函數(shù)層，位于所述襯底頂部，且覆蓋所述鰭部的部分頂部和部分側壁，所述鰭部頂部的第一功函數(shù)層的厚度小于所述鰭部側壁的第一功函數(shù)層的厚度；器件柵極結構，位于...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構及其形成方法，結構包括：基底，所述基底包括溝道區(qū)域以及位于所述溝道區(qū)域兩側的源漏區(qū)域；絕緣層，位于所述溝道區(qū)域的基底頂部；溝道結構層，懸置于所述絕緣層的頂部，所述溝道結構層包括一個或多個在縱向上間隔設置的溝道層；器件柵極結構，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N半導體器件及其制備方法、芯片、電子設備，涉及半導體技術領域，用以解決如何改進形成柵極的工藝的問題。該半導體器件包括多個鰭結構、多個柵極結構、多個外延部、隔離結構及多個刻蝕停止部。鰭結構沿第一方向延伸，且多個鰭結構沿第二方向排布...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法、用電設備和發(fā)電設備，該鈣鈦礦太陽能電池的隧穿層和電子傳輸層均為無機氧化物，穩(wěn)定性好，隧穿層位于鈣鈦礦層和電子傳輸層之間，可以使鈣鈦礦層產(chǎn)生的電子通過、且阻擋空穴，因此，使得鈣鈦礦太陽能電池具有長...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種太陽能電池及其制備方法、用電設備及發(fā)電設備，其中太陽能電池的光吸收層包括鈣鈦礦主體以及分散于鈣鈦礦主體中的添加劑，添加劑中的陰離子包括如下結構：
							  2025-10-01
							
            
						
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								      本發(fā)明公開了一種柵線復合電極、其制備方法及應用。所述制備方法包括：提供透明基底，并且透明基體表面形成有透明導電層和金屬柵線；連續(xù)覆設正性光敏材料層且完整包裹金屬柵線；透過透明基底和透明導電層，利用金屬柵線作為掩模，對正性光敏材料層進行圖案化...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種透明導電的柵線電極、其制作方法及應用。所述制作方法包括：提供透明基底；在透明基底表面構建多根柵線；覆設負性光敏材料層，覆蓋所述柵線以及多根柵線之間的非柵線區(qū)；透過透明基底，對處于非柵線區(qū)的部分負性光敏材料層進行曝光處理，處于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于負性光敏材料制備的復合柵線電極及其應用。復合柵線電極包括：負性光敏材料層，具有沿第一方向方向背對設置的第一表面和第二表面，柵線電極層，嵌設在負性光敏材料層內(nèi)，柵線電極層的頂端面自負性光敏材料層的第一表面露出，柵線電極層的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種大面積薄膜太陽能電池組件。其包括依次串聯(lián)的多個子電池；子電池包括電池單元、柵線電極，以及串聯(lián)電路；柵線電極包括多根金屬柵線，多根金屬柵線分布于電池單元的整面并延伸至一側邊，串聯(lián)電路設置于該側邊并與多根金屬柵線電連接，且串聯(lián)電...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種顯示面板及制造方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域。該顯示面板包括：顯示基板，具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，非顯示區(qū)包括顯示端子和觸控端子，顯示區(qū)的顯示走線延伸至顯示端子的綁定區(qū)；觸控層，位于顯示基板的出光側，觸控層的觸控走線延伸至觸控...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種電子傳輸材料、太陽能電池、用電裝置和發(fā)電裝置，該電子傳輸材料用于太陽能電池的電子傳輸層，電子傳輸材料包括第一富勒烯衍生物和第二富勒烯衍生物，第一富勒烯衍生物具有給電子基團，第二富勒烯衍生物具有吸電子基團，其中第二富勒烯衍生物...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種濾波器芯片封裝結構及其晶圓級封裝方法，該封裝結構包括：濾波器芯片，濾波器芯片的正面具有諧振器工作區(qū)，其邊緣設有多個焊墊結構，焊墊結構的外圍設有支撐圍墻，焊墊結構和支撐圍墻上設有頂蓋層；焊墊結構包括第一焊墊部和第二焊墊部，第一焊...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種具有高結晶性且成分均勻性優(yōu)異的貴金屬合金成型體和燒制體。一種由合金粉末和樹脂組成的成型體，其中所述合金粉末是由5種或更多種貴金屬元素的合金組成的貴金屬合金粉末，且平均粒徑為0.1～100μm，微晶尺寸大于或等于60nm，X射線...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的目的在于提供一種具備高成分均勻性的濺射靶材。一種由貴金屬合金組成的濺射靶材，其中貴金屬合金由5種或更多種貴金屬元素組成，并且X射線衍射圖譜中的在衍射角2θ位于38?44°范圍內(nèi)觀測到的峰數(shù)為1個。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及燕麥麩提取物的制備方法和由此獲得的提取物，其用于開發(fā)多種健康相關方案。該工藝包括以下步驟：(1)選用優(yōu)質(zhì)燕麥麩；(2)用高速攪拌器在低于85℃的溫度下研磨清潔的燕麥麩以獲得研磨粉末；(3)研磨粉末過篩后獲得粒徑在90μm～150μ...
								
            
							
            
							
						
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