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          五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
          • 一種鐵硼共摻雜氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池透明導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域。本發(fā)明的目的在于提供一種高透光率,高導(dǎo)電性,寬帶隙的共摻雜氧化鋅薄膜。方法:先以Fe2O3粉末、B
          • 本發(fā)明涉及靶材技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種離子注入摻雜IGZO薄膜的制備方法。該制備方法包括以下步驟:(1)通過(guò)高溫固相反應(yīng)法制備IGZO靶材;(2)利用磁控濺射技術(shù)在氬氣氣氛下制備IGZO薄膜;(3)采用離子注入技術(shù),利用錫離子和鎵離子對(duì)薄膜進(jìn)...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種耐高溫氧化MCrAlY涂層的制備方法,涉及熱障涂層技術(shù)領(lǐng)域;該制備方法包括以下步驟向MCrAlY粉末中按1%~50%的比例添加摻雜粉末形成摻雜粉,將摻雜粉置入球磨機(jī)進(jìn)行5~24h的濕磨或干磨,進(jìn)行混粉,使MCrAlY粉末與摻...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種超耐磨光學(xué)復(fù)合膜層及制備方法,光學(xué)復(fù)合膜層包括:依次疊設(shè)于基底的第一表面上的保護(hù)膜層和AF膜層;所述保護(hù)膜層包括第一非晶碳膜層,所述保護(hù)膜層具有用于提高所述第一非晶碳膜層硬度和耐磨度的第一膜層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明克服了傳統(tǒng)采用AR膜...
          • 本發(fā)明提供一種分氣裝置及薄膜沉積設(shè)備,分氣裝置安裝在薄膜沉積設(shè)備反應(yīng)腔室的底部,分氣裝置包括主體,主體設(shè)有進(jìn)氣通道和與進(jìn)氣通道連通的第一出氣孔,進(jìn)氣通道由主體下表面貫通至上表面,第一出氣孔設(shè)于主體的側(cè)壁且開(kāi)口朝向反應(yīng)腔室的底部;其中,吹掃氣...
          • 本實(shí)用新型屬于光伏焊帶加工技術(shù)領(lǐng)域,尤其為一種不停機(jī)清理錫灰風(fēng)刀開(kāi)門(mén)裝置,包括風(fēng)刀座本體,所述風(fēng)刀座本體的內(nèi)部開(kāi)設(shè)有高壓氮?dú)獬鰵饪冢鲲L(fēng)刀座本體的內(nèi)部開(kāi)設(shè)有內(nèi)腔,所述風(fēng)刀座本體的內(nèi)部開(kāi)設(shè)有兩個(gè)氣體通道,所述風(fēng)刀座本體的頂端固定連接有兩個(gè)噴...
          • 一種用于橋索鋼絲的熱浸鍍液,其化學(xué)成分組成及wt%為:Al:5~20%,RE:0.05~1.0%,Si:0.05~3.0%;制備方法:將鋅錠、鋁塊預(yù)熱;預(yù)熱熔煉爐;將鋅錠放入并加熱融化;分三批次加入鋁塊;加入RE及硅;將熱浸鍍液溫度自然冷卻...
          • 本發(fā)明公開(kāi)一種鈣鈦礦氣態(tài)分子真空噴繪沉積成膜設(shè)備,包括真空腔,配合門(mén)板形成密閉空間,真空腔內(nèi)設(shè)置三坐標(biāo)運(yùn)動(dòng)控制裝置和基底承載臺(tái),三坐標(biāo)運(yùn)動(dòng)控制裝置置于真空腔底部,三坐標(biāo)運(yùn)動(dòng)控制裝置上設(shè)置至少一噴繪裝置,底承載臺(tái)置于噴繪裝置上方,噴繪裝置通過(guò)...
          • 本發(fā)明提供一種基于模板印刷的預(yù)圖案化材料激光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移方法,將模板印刷和激光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移相結(jié)合,包括:步驟1、在透明載體上用模板印刷形成圖案化的非牛頓流體漿料;步驟2、在透明載體上貼附聚酰亞胺膠帶,與受體板形成可調(diào)節(jié)間隙;步驟3、調(diào)整Z軸位移平臺(tái)...
          • 本發(fā)明提供一種MOCVD反應(yīng)腔室壓力控制方法及裝置,屬于半導(dǎo)體氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明的MOCVD反應(yīng)腔室壓力控制方法,通過(guò)實(shí)時(shí)采集對(duì)MOCVD反應(yīng)時(shí)反應(yīng)腔室外的運(yùn)行參數(shù),并與更新后的對(duì)照表進(jìn)行對(duì)比,可以避免這些間接參數(shù)存在的延時(shí)性影響,可...
          • 本發(fā)明屬于電子元器件的技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種含鉿前驅(qū)體在薄膜沉積技術(shù)中的應(yīng)用、含鉿薄膜及其形成方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供了含鉿前驅(qū)體在薄膜沉積技術(shù)中的應(yīng)用,該所述含鉿前驅(qū)體包括式(1)所示的化合物,通過(guò)環(huán)戊烯基以及二烷基膦基在結(jié)構(gòu)中的引入,賦予其...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種高親水性的DLC膜的制備方法,包括:制備原始DLC膜;在真空環(huán)境下,將氮?dú)饣蛘哐鯕庾⑷胨鲈糄LC膜的表面,并維持第一預(yù)設(shè)時(shí)間,獲得第一DLC膜;在水蒸氣環(huán)境下,保持預(yù)設(shè)溫度和預(yù)設(shè)相對(duì)濕度,將所述第一DLC膜放置第二預(yù)設(shè)時(shí)...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了控制生產(chǎn)熱鍍鋅帶鋼冷卻速率的冷卻設(shè)備及方法,移動(dòng)載具通過(guò)第一導(dǎo)軌滑動(dòng)連接在主支架上,框架固定在移動(dòng)載具上,在框架上設(shè)有第二導(dǎo)軌;風(fēng)箱結(jié)構(gòu)分為的左側(cè)風(fēng)箱結(jié)構(gòu)和右側(cè)風(fēng)箱結(jié)構(gòu),風(fēng)箱結(jié)構(gòu)通過(guò)第二導(dǎo)軌滑動(dòng)連接在框架上,在左、右風(fēng)箱結(jié)構(gòu)之間...
          • 本公開(kāi)提供了一種刮刀裝置及真空鍍膜系統(tǒng);刮刀裝置用于真空鍍膜,包括:操作平臺(tái),操作平臺(tái)配置為裝配集流體薄膜;刮輪,刮輪設(shè)于操作平臺(tái),刮輪配置為刮除集流體薄膜超出預(yù)設(shè)高度的部分;其中,刮輪朝向操作平臺(tái)的一面為第一面,第一面為曲面,所述第一面為...
          • 本發(fā)明涉及鍍鋅技術(shù)領(lǐng)域,且公開(kāi)了連通式管狀件熱鍍鋅裝置及其工作方法,包括鍋體、精置箱、活動(dòng)軌道、活動(dòng)夾持裝置、母鋅鍋、子鋅鍋、伸縮氣缸裝置和連接槽,母鋅鍋的兩側(cè)內(nèi)壁交錯(cuò)開(kāi)設(shè)有安裝槽,在母鋅鍋的內(nèi)部對(duì)應(yīng)安裝槽位置設(shè)置有約束板,在約束板的兩側(cè)交...
          • 本發(fā)明提供一種用于多MOCVD反應(yīng)室的同步控制方法及裝置,在串聯(lián)式MOCVD反應(yīng)室中,通過(guò)在當(dāng)前反應(yīng)室已完成其對(duì)應(yīng)的外延層生長(zhǎng)的工序,但負(fù)責(zé)下一工序的反應(yīng)室尚未結(jié)束時(shí),基于當(dāng)前反應(yīng)室的生長(zhǎng)溫度及下一反應(yīng)室的生長(zhǎng)溫度,利用托盤(pán)徑向上的溫度差異...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于磁控濺射的異型腔體內(nèi)壁鍍膜裝置,包括工作臺(tái)、真空腔體、第一磁體線圈、第二磁體線圈、第一支架、第二支架和濺射靶體,通過(guò)真空腔體提供鍍膜所需的高真空環(huán)境,真空腔體內(nèi)部設(shè)有異型腔體支撐結(jié)構(gòu),確保異型腔體在鍍膜過(guò)程中保持穩(wěn)定,通...
          • 本發(fā)明涉及一種用于高硬度模具鋼洗銑刀的納米復(fù)合涂層,屬于銑刀涂層技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供一種用于高硬度模具鋼洗銑刀的納米復(fù)合涂層,具體制備方法為,將銑刀超聲波清洗,吹干,干燥,離子刻蝕,得到處理后的刀具,進(jìn)行第一HiPIMS沉積得到第一涂層后,...
          • 本實(shí)用新型提供了一種內(nèi)外復(fù)合陶瓷環(huán)及石墨舟,屬于石墨舟技術(shù)領(lǐng)域,包括內(nèi)陶瓷環(huán)、外陶瓷環(huán)以及連接環(huán),同軸套裝于內(nèi)陶瓷環(huán)的外面,外陶瓷環(huán)與內(nèi)陶瓷環(huán)之間形成環(huán)形空腔;內(nèi)陶瓷環(huán)的軸向長(zhǎng)度大于外陶瓷環(huán)的軸向長(zhǎng)度,且內(nèi)陶瓷環(huán)的軸向兩端均凸伸于外陶瓷環(huán)的...
          • 本發(fā)明涉及一種環(huán)境自適應(yīng)潤(rùn)滑同型異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜的可控制備方法,包括以下步驟:⑴將硅片基底用不同類(lèi)型的溶劑超聲清洗、烘干后即得干燥硅片;⑵采用由MoS2靶材、WS2靶材和Ti靶材三個(gè)磁控濺射源組成的多...
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