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								      本發明公開一種低成本熱基鋅鋁鎂S350GD+ZM帶鋼的制作方法。采用CSP工藝生產熱軋基板，按厚度分段控制：1.8?3.5mm免Nb，3.5?6.0mm加0.01?0.025%Nb；軋制溫度控制為終軋860?890℃、卷取550?580℃，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種熱鍍鋅機組不停爐更換爐鼻子頭的操作方法，利用翻板閥密封，利用夾置器夾置固定切斷后的帶鋼頭部，利用起吊工具起吊原有的爐鼻子頭更換新的爐鼻子頭，固定的帶鋼頭部安裝鐵鏈，利用鐵鏈引導帶鋼從新的爐鼻子頭內穿出，完成穿帶作業，本發明的有...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供的一種板材邊部鍍層厚度控制裝置及方法，控制裝置包括支撐件、至少兩個加熱組件以及測溫組件，支撐件上成型有適于板材穿過的通槽；兩個加熱組件均與所述支撐件連接，且兩個所述加熱組件分設在所述板材兩側；測溫組件與所述支撐件連接，所述測溫組件...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種航空基片材料復合涂層薄膜制備設備，主要包括底架、滑動基座和薄膜管組件。底架固定安裝主滑軌和帶驅動齒條的齒條桿，滑動基座裝配有主動齒輪與從動齒輪聯動系統。當滑動基座移動時，主動齒輪與驅動齒條嚙合帶動從動齒輪轉動，通過棘爪齒條驅...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種獨立式連續工藝系統，用于對待工藝物件進行電漿處理，該系統依序設置有預處理機臺、第一獨立工藝機臺及終端獨立工藝機臺。第一獨立工藝機臺具有工藝腔體及兩個閥門，兩個閥門分別設于工藝腔體的兩側，工藝腔體依序設置有相互連通的第一真空抽氣...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于過渡族金屬有機物合成技術領域，具體公開了一種第VIB族金屬前驅體的合成方法，所述方法包括：使用金屬原料MO2X2和含[R1N=C]結構的化合物反應制備中間體(R
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種用于海洋大氣環境的微弧氧化復合涂層及其制備方法，屬于金屬材料表面處理技術領域。制備方法包括處理基材，所述基材為鎂合金；將處理后的基材置于電解液中進行微弧氧化處理；最后在微弧氧化處理后的基材上進行磁控濺射；基材上制得復合涂層，依...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種適用于脈沖激光沉積系統的激光入射窗口防污染方法，屬于脈沖激光沉積技術領域。該方法通過延長激光入射窗口與靶材的距離至800?1200 mm，采用匹配的長焦距聚焦透鏡保持激光聚焦能力，并通過金屬延長管密封連接真空腔體。延長管內表...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型涉及PECVD鍍膜技術領域，具體為一種改善舟片碎耳的隔塊，包括雙頭螺桿，所述雙頭螺桿兩側固定安裝有固定螺母，所述雙頭螺桿外側活動安裝有分隔筒，所述雙頭螺桿外側設置有片體機構，所述片體機構包括第一舟片和第二舟片，所述第一舟片前后兩端...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種噴淋裝置及薄膜沉積設備，包括：本體，所述本體上設有噴淋面，所述噴淋面上劃分有多個噴淋區域，每個所述噴淋區域上分布有多個噴嘴；控制模塊，包括第一控制單元，所述第一控制單元用于對每個所述噴淋區域上的所述噴淋面的局部相對高度進行獨...
								
            
							
            
							
						
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								      一種金屬涂層等離子噴涂設備，具體涉及等離子噴涂技術領域，包括工作臺、放置盤、瓶體，所述放置盤旋轉安裝在工作臺的頂部，所述工作臺的頂部一側固定連接有支架，且支架的頂部固定安裝有電動推桿，方案包括采用壓桿與活塞的負壓吸附機構替代傳統撐結構，配合...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及芯片加工技術領域，公開了一種高精度智能芯片膜的物理氣相沉積裝置，通過清洗機構和烘干組件的設置，在清洗芯片時，能夠將多個芯片分別放置到若干載物框內，并在提升桿的驅動下進入到清洗桶中，同時清洗多個芯片，從而提高了芯片的加工效率，且在清...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種控制脈沖直流物理氣相沉積(PVD)形成的材料層中應力變化的方法及設備。該方法包以下步驟：設置一腔室，其包括形成材料層的靶和在其上能夠形成材料層的襯底；以及向腔室內引入氣體。該方法還包括在腔室內生成等離子體并且將第一磁場施加到...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種MPCVD裝置及其應用，涉及微波等離子體的技術領域，包括同軸線、放大同軸線、第一漸變阻抗匹配器、第二漸變阻抗匹配器、等離子體反應室、基臺，以及懸放于內部的同軸內導體；放大同軸線使同軸線中的TEM模式轉換到放大同軸線中形成穩定...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型涉及真空處理技術領域，具體公開了一種裝載裝置及真空處理設備，該裝載裝置包括支撐架、裝載組件、連動組件和傳動機構；裝載組件設置有若干個，若干個裝載組件相互平行且沿第一方向傾斜間隔設置，任意相鄰兩個裝載組件之間通過連動組件連動連接；傳...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種超聲波原位輔助激光熔覆裝置及使用方法，包括激光頭和電子計算機，電子計算機控制有激光熔覆制造模塊和超聲波模塊。本發明通過同軸夾具剛性連接激光頭、超聲振動裝置及送絲噴口，實現送粉/填絲熔覆模式的無縫切換，解決了現有技術中鎢絲獨立...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種真空鍍膜機的柱弧靶裝置，包括接電機構、磁芯機構和第一電機，接電機構包括上接電組件和下接電組件，上接電組件和下接電組件交替向管靶供電；磁芯機構包括靶芯組件、磁鐵組件，靶芯組件的外圓面具有第一安裝槽、第二安裝槽，磁鐵組件包括...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于材料鍍膜技術領域，公開了一種用于提高等離子體涂層中靶材的使用效率的設備，包括：涂層爐，作為設備整體的支撐結構：陰極體，與所述涂層爐相連；冷卻結構，連接于所述涂層爐；放置箱，固定于所述涂層爐；銅板，連接于所述放置箱；靶材，通過所述銅...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供的一種大氣等離子噴涂陶瓷涂層、制備方法及其應用，通過在大氣氛圍下，采用等離子焰流對金屬合金基體表面預熱后，形成預熱表面；以六鈦酸鈉為原料，采用破碎燒結或造粒燒結方式將原料制備成目標粉末；將目標粉末于等離子噴涂焰流中加熱熔化，形成熔...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種基于聯動角度調整機制的激光入射角度調節裝置，屬于激光技術領域，在激光光路中，分別對聚焦透鏡和最后一級反射鏡設置可變角度安裝裝置，將聚焦透鏡的旋轉角度設定為反射鏡旋轉角度的兩倍，當聚焦透鏡與反射鏡角度按照上述比例聯動時，激光最終...
								
            
							
            
							
						
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