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								      本發明涉及不銹鋼氣動缸技術領域，具體公開了一種耐磨損腐蝕的氣動缸用不銹鋼及其制備方法，首先對不銹鋼基體預處理，提升不銹鋼基體表面與涂層間的結合性能，接著在基體表面沉積防止基體中的鐵擴散的過渡層后，依次沉積增韌的鎳鈷合金層、高硬度的超晶格涂層...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型涉及鈍化槽技術領域，且公開了一種熱鍍鋅無鉻鈍化槽，其包括槽體、防護件以及保護件，所述防護件設在槽體上，所述防護件包括有對槽體上方罩起進行防護的風琴罩，保護件設在槽體上，所述保護件包括有對收疊的風琴罩進行保護的保護殼；本實用新型有效...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種形變驅動梯度冶金沉積的復合涂層及其制備方法和應用，屬于材料加工與表面處理技術領域。該復合涂層包括從內到外依次附著于鋼板基體表面的表面強化層、過渡層和材料涂層；所述材料涂層采用鋁合金棒料或鋁基復合材料棒料，解決了現有技術中的復...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種Ta?C?N擴散阻擋層及其制備方法與應用。所述方法主要包括三大步驟：基體預處理與Ta層沉積、微波等離子體原位碳/氮化處理、以及表面微納結構刻蝕成形。所述Ta?C?N擴散阻擋層由Ta、TaC、TaN及Ta...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及導光板加工的技術領域,公開了一種導光板反光層附著工藝及其蒸發鍍膜設備，導光板反光層蒸發鍍膜設備包括機體，內部中空形成操作腔；靶材掛架，設置于機體中，用于安裝并蒸發靶材；轉動架，轉動連接于機體中，并圍合靶材掛架；安裝機構，于轉動架上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及深紫外膜鍍膜的技術領域，特別是涉及一種深紫外膜鍍膜設備及工藝，包括鍍膜機，鍍膜機頂端設置有蒸汽口；還包括移動裝置、支撐裝置、清潔裝置、吸氣裝置、輸送帶、第一氣缸、吸盤、多邊形筒和定位槽，多組吸盤分別設置在多組第一氣缸的移動端上，多...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種用于小口徑金屬管內壁涂層制備的電爆噴涂裝置，涉及電爆噴涂領域，其包括低壓導電管，其連接于電容器的低壓端；金屬管驅動機構，用于驅動金屬管沿低壓導電管內部軸向移動；金屬管驅動機構上設置有低壓電極；高壓導電管，其連接于電容器的高壓...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種GH4169工件表面復合功能層及其制備方法。本發明的GH4169工件表面復合功能層的制備方法，包括：采用MEVVA離子源對GH4169工件表面進行金屬鉻離子或金屬鎳離子注入，形成過渡金屬層；通過磁控濺射法在過渡金屬層上依次循環...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明的課題是提供一種能夠適用于半導體制造裝置的構成部件且耐腐蝕性優異的金屬材料。本發明涉及的層疊體具有金屬基材、在所述金屬基材上形成的含鎳鍍敷被膜層、以及在所述含鎳鍍敷被膜層上形成的鍍金被膜層，并且，所述鍍金被膜層的針孔被厚度為8nm以上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種連續鍍鋅帶鋼用輥式表面鈍化處理裝置，包括工作臺、位于工作臺頂部左側的第一導輥架和位于工作臺頂部右側的第二導輥架，所述工作臺的底部設置有調整單元帶動第一導輥架和第二導輥架相對或者相離運動，所述工作臺的頂部中間固定有鈍化液箱，本...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種銅摻雜高熵合金氮化物復合涂層及其制備方法，本發明涂層包括設置在基體上的中間過渡層和表面工作層，所述過渡層自內而外依次為打底層TiAlCrV合金層和中間層TiAlCrVN氮化物層，表面的(TiAlCrV)?Cu?N高熵合金氮化...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于光學薄膜技術領域，具體涉及一種紫外寬波段低反射薄膜及其制備方法。本發明提供的紫外寬波段低反射薄膜包括交替層疊設置的低折射率材料和高折射率材料，低折射率材料包括SiO2、Al2O...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于營養組合物技術領域，具體涉及一種促進生長發育和改善感冒癥狀的組合物及其制備方法和應用。所述組合物包括：脫脂乳粉、全脂乳粉、脫鹽乳清粉、乳糖、低聚異麥芽糖、結晶果糖、牛初乳粉、乳礦物鹽、低聚半乳糖、低聚果糖、初乳堿性蛋白、水解蛋黃粉...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種玻璃基板蒸鍍裝置，包括基座、掩膜版和吸附組件，基座內設有蒸鍍腔，基座上設有用于封閉蒸鍍腔的蓋板，待蒸鍍的玻璃基板固定在蓋板朝向蒸鍍腔的一側面上，蒸鍍腔內設有多個朝向玻璃基板的蒸鍍噴頭；掩膜版設置玻璃基板與蒸鍍噴頭之間，且...
								
            
							
            
							
						
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								      一種復合掩膜版的制備方法，包括如下步驟：S1：在掩膜版上設置有光刻圖；S2：通過光刻圖去除部分光阻；S3：電鑄掩膜版，在掩膜版上均勻涂布高分子膜層；S4：將高分子膜層固化成型；S5：對固化后的高分子膜層進行脈沖鉆孔，開出帶錐角的類圓錐臺孔洞...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種氧化硅表面生長石墨烯薄膜的方法，其包括如下步驟：S1，提供氧化硅片襯底，其中，該氧化硅片襯底包括硅片和位于硅片表面的氧化硅薄膜，該氧化硅薄膜的厚度為90nm?300nm；S2，在功率為20瓦?50瓦的等離子輔助和380℃?60...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型公開了一種用于不耐高溫基材在真空室鍍膜中的溫控系統，包括設置于真空室內且與基材相貼合進行換熱的熱交換組件，所述熱交換組件與設置于真空室外且并行設置的冷卻模塊以及升溫模塊相連通；設置冷卻模塊，對鍍膜過程中的基材進行冷卻，從而帶走基材...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型提供了一種便于換粉的送粉裝置及設備，包括：快拆粉筒組件；出粉組件，所述出粉組件包括殼體和轉盤，所述快拆粉筒組件的出口與所述殼體可拆卸連接，所述轉盤設置在殼體內，所述轉盤上設有用于容納從所述快拆粉筒組件流下的粉末的環形容納槽；驅動電...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種微通道式Mist?CVD薄膜外延系統，包括供氣模塊，供氣模塊連通有霧化模塊和反應模塊，霧化模塊連通反應模塊，反應模塊連通有尾氣處理模塊；反應模塊與霧化模塊之間連通有積液回流裝置；反應模塊中設置有水平的微通道，用于提供沉積反應...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及化學氣相沉積爐及化學氣相沉積裝置，屬于化學氣相沉積設備技術領域；所述化學氣相沉積爐包括：沉積爐本體，在沉積爐本體內部形成沉積室，沉積室內部安裝有攪拌機構；整個化學氣相沉積裝置采用熱風作為動力源，既可以推動沉積室內部設置的攪拌機構運...
								
            
							
            
							
						
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