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          五金工具產品及配附件制造技術
          • 一種通過原子層沉積(ALD)或ALD樣工藝沉積含硅和氮的介電膜的方法。該方法包括以下步驟:a)將至少一個襯底提供到反應器中和將反應器加熱至約25℃至約600℃范圍的至少一個溫度,并任選地將反應器保持在約100托或更低的壓力下;b)將形成含硅...
          • 本實用新型公開了一種應用于顯示面板蒸鍍工藝的坩堝,包括外殼、堝體和加熱組件。外殼內設置有安裝腔,堝體設置于安裝腔內,堝體用于容納蒸鍍材料。加熱組件設置于安裝腔內,加熱組件包括發熱元件,發熱元件環繞在堝體的外部,發熱元件沿堝體的軸線方向往復彎...
          • 一種襯底處理室包括井、設置在井中的基座以及設置在井中圍繞基座的擋板。井是由底部以及從底部豎直向上延伸的側壁限定。井包括靠近井的底部的多個排放口。基座包括底座部和桿部。擋板包括側壁和在側壁上的多組開孔。擋板被配置為引導供應到襯底處理室的氣體的...
          • 本發明公開了一種基于二維量子隧穿力敏機制的柔性壓力傳感器,由頂部電極、中間介電層、底部電極和柔性襯底層組成;所述頂部電極為共形碳納米薄膜,所述中間介電層為六方氮化硼(HBN),所述底部電極為單層石墨烯;所述共形碳納米薄膜由具有微結構的石墨烯...
          • 一種用于基板處理的方法,包括:使一種或多種工藝反應性氣體流入處理腔室的上容積中;使清潔氣體流入該處理腔室的下容積中;測量該處理腔室的該下容積的內表面的溫度;以及基于測量的溫度來調整該處理腔室的該下容積的該內表面的溫度。
          • 本申請公開了利用偏壓輔助脈沖激光沉積技術制備氧化物薄膜的方法、氧化物薄膜。采用脈沖激光沉積方法在襯底上沉積氧化物薄膜,在沉積過程中,所述襯底連接電壓源,通過所述電壓源施加偏壓△E,以調控氧化物薄膜中的有效氧分壓,△E不為0。由此,在采用PL...
          • 本發明公開了一種爐鼻子裙邊內部吹渣裝置及其使用方法,包括外接進氣口、裙邊外部的吹渣管、裙邊本體,鋁鍋本體和鋁鍋工作液面;鋁鍋本體為基礎容器,盛裝高溫鋁液,是帶鋼熱浸鍍鋁的核心區域,呈池狀開口向上;裙邊本體屬于爐鼻子設備的組成部分,位于在鋁鍋...
          • 本發明涉及不銹鋼氣動缸技術領域,具體公開了一種耐磨損腐蝕的氣動缸用不銹鋼及其制備方法,首先對不銹鋼基體預處理,提升不銹鋼基體表面與涂層間的結合性能,接著在基體表面沉積防止基體中的鐵擴散的過渡層后,依次沉積增韌的鎳鈷合金層、高硬度的超晶格涂層...
          • 本實用新型涉及鈍化槽技術領域,且公開了一種熱鍍鋅無鉻鈍化槽,其包括槽體、防護件以及保護件,所述防護件設在槽體上,所述防護件包括有對槽體上方罩起進行防護的風琴罩,保護件設在槽體上,所述保護件包括有對收疊的風琴罩進行保護的保護殼;本實用新型有效...
          • 本發明公開了一種形變驅動梯度冶金沉積的復合涂層及其制備方法和應用,屬于材料加工與表面處理技術領域。該復合涂層包括從內到外依次附著于鋼板基體表面的表面強化層、過渡層和材料涂層;所述材料涂層采用鋁合金棒料或鋁基復合材料棒料,解決了現有技術中的復...
          • 本發明涉及半導體技術領域,具體涉及一種Ta?C?N擴散阻擋層及其制備方法與應用。所述方法主要包括三大步驟:基體預處理與Ta層沉積、微波等離子體原位碳/氮化處理、以及表面微納結構刻蝕成形。所述Ta?C?N擴散阻擋層由Ta、TaC、TaN及Ta...
          • 本申請涉及導光板加工的技術領域,公開了一種導光板反光層附著工藝及其蒸發鍍膜設備,導光板反光層蒸發鍍膜設備包括機體,內部中空形成操作腔;靶材掛架,設置于機體中,用于安裝并蒸發靶材;轉動架,轉動連接于機體中,并圍合靶材掛架;安裝機構,于轉動架上...
          • 本發明涉及深紫外膜鍍膜的技術領域,特別是涉及一種深紫外膜鍍膜設備及工藝,包括鍍膜機,鍍膜機頂端設置有蒸汽口;還包括移動裝置、支撐裝置、清潔裝置、吸氣裝置、輸送帶、第一氣缸、吸盤、多邊形筒和定位槽,多組吸盤分別設置在多組第一氣缸的移動端上,多...
          • 本發明提供了一種用于小口徑金屬管內壁涂層制備的電爆噴涂裝置,涉及電爆噴涂領域,其包括低壓導電管,其連接于電容器的低壓端;金屬管驅動機構,用于驅動金屬管沿低壓導電管內部軸向移動;金屬管驅動機構上設置有低壓電極;高壓導電管,其連接于電容器的高壓...
          • 本發明提供一種GH4169工件表面復合功能層及其制備方法。本發明的GH4169工件表面復合功能層的制備方法,包括:采用MEVVA離子源對GH4169工件表面進行金屬鉻離子或金屬鎳離子注入,形成過渡金屬層;通過磁控濺射法在過渡金屬層上依次循環...
          • 本發明的課題是提供一種能夠適用于半導體制造裝置的構成部件且耐腐蝕性優異的金屬材料。本發明涉及的層疊體具有金屬基材、在所述金屬基材上形成的含鎳鍍敷被膜層、以及在所述含鎳鍍敷被膜層上形成的鍍金被膜層,并且,所述鍍金被膜層的針孔被厚度為8nm以上...
          • 本發明公開了一種銅摻雜高熵合金氮化物復合涂層及其制備方法,本發明涂層包括設置在基體上的中間過渡層和表面工作層,所述過渡層自內而外依次為打底層TiAlCrV合金層和中間層TiAlCrVN氮化物層,表面的(TiAlCrV)?Cu?N高熵合金氮化...
          • 本發明公開了一種連續鍍鋅帶鋼用輥式表面鈍化處理裝置,包括工作臺、位于工作臺頂部左側的第一導輥架和位于工作臺頂部右側的第二導輥架,所述工作臺的底部設置有調整單元帶動第一導輥架和第二導輥架相對或者相離運動,所述工作臺的頂部中間固定有鈍化液箱,本...
          • 本發明屬于光學薄膜技術領域,具體涉及一種紫外寬波段低反射薄膜及其制備方法。本發明提供的紫外寬波段低反射薄膜包括交替層疊設置的低折射率材料和高折射率材料,低折射率材料包括SiO2、Al2O...
          • 本發明屬于營養組合物技術領域,具體涉及一種促進生長發育和改善感冒癥狀的組合物及其制備方法和應用。所述組合物包括:脫脂乳粉、全脂乳粉、脫鹽乳清粉、乳糖、低聚異麥芽糖、結晶果糖、牛初乳粉、乳礦物鹽、低聚半乳糖、低聚果糖、初乳堿性蛋白、水解蛋黃粉...
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