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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種用于電磁抹鋅裝置的冷卻組合管，包括電磁產(chǎn)生裝置、端部冷卻組合管，外周冷卻組合管；外周冷卻組合管整體呈圓環(huán)形的中空管狀結(jié)構(gòu)；其包含有螺旋纏繞的多個(gè)獨(dú)立的冷卻分管；冷卻分管改變制冷劑的流動(dòng)軌跡，產(chǎn)生二次流增加制冷劑的湍流程度，使...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及粉體鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多級(jí)孿生靶粉體外循環(huán)連續(xù)輸送鍍膜設(shè)備，包括支撐架、鍍膜裝置、進(jìn)料裝置、循環(huán)裝置和收集裝置，所述支撐架上安裝有鍍膜裝置，所述鍍膜裝置用于通過(guò)孿生等離子對(duì)靶實(shí)現(xiàn)粉體的薄膜沉積實(shí)現(xiàn)對(duì)粉體的鍍膜；所述進(jìn)料裝置...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種用于金屬薄膜的智能化高真空鍍膜機(jī)，應(yīng)用于金屬薄膜真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，其中殼體一、真空外殼、殼體二和滑移板，殼體一的內(nèi)部設(shè)置有蒸發(fā)車，殼體二的內(nèi)部設(shè)置有卷繞車，蒸發(fā)車和卷繞車均與滑移板為滑動(dòng)連接，蒸發(fā)車上設(shè)置有蒸發(fā)組件；蒸發(fā)組件...
								
            
							
            
							
						
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								      一種通過(guò)原子層沉積(ALD)或ALD樣工藝沉積含硅和氮的介電膜的方法。該方法包括以下步驟：a)將至少一個(gè)襯底提供到反應(yīng)器中和將反應(yīng)器加熱至約25℃至約600℃范圍的至少一個(gè)溫度，并任選地將反應(yīng)器保持在約100托或更低的壓力下；b)將形成含硅...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)用新型公開(kāi)了一種應(yīng)用于顯示面板蒸鍍工藝的坩堝，包括外殼、堝體和加熱組件。外殼內(nèi)設(shè)置有安裝腔，堝體設(shè)置于安裝腔內(nèi)，堝體用于容納蒸鍍材料。加熱組件設(shè)置于安裝腔內(nèi)，加熱組件包括發(fā)熱元件，發(fā)熱元件環(huán)繞在堝體的外部，發(fā)熱元件沿堝體的軸線方向往復(fù)彎...
								
            
							
            
							
						
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								      一種襯底處理室包括井、設(shè)置在井中的基座以及設(shè)置在井中圍繞基座的擋板。井是由底部以及從底部豎直向上延伸的側(cè)壁限定。井包括靠近井的底部的多個(gè)排放口。基座包括底座部和桿部。擋板包括側(cè)壁和在側(cè)壁上的多組開(kāi)孔。擋板被配置為引導(dǎo)供應(yīng)到襯底處理室的氣體的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種基于二維量子隧穿力敏機(jī)制的柔性壓力傳感器，由頂部電極、中間介電層、底部電極和柔性襯底層組成；所述頂部電極為共形碳納米薄膜，所述中間介電層為六方氮化硼（HBN），所述底部電極為單層石墨烯；所述共形碳納米薄膜由具有微結(jié)構(gòu)的石墨烯...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于基板處理的方法，包括：使一種或多種工藝反應(yīng)性氣體流入處理腔室的上容積中；使清潔氣體流入該處理腔室的下容積中；測(cè)量該處理腔室的該下容積的內(nèi)表面的溫度；以及基于測(cè)量的溫度來(lái)調(diào)整該處理腔室的該下容積的該內(nèi)表面的溫度。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了利用偏壓輔助脈沖激光沉積技術(shù)制備氧化物薄膜的方法、氧化物薄膜。采用脈沖激光沉積方法在襯底上沉積氧化物薄膜，在沉積過(guò)程中，所述襯底連接電壓源，通過(guò)所述電壓源施加偏壓△E，以調(diào)控氧化物薄膜中的有效氧分壓，△E不為0。由此，在采用PL...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種形變驅(qū)動(dòng)梯度冶金沉積的復(fù)合涂層及其制備方法和應(yīng)用，屬于材料加工與表面處理技術(shù)領(lǐng)域。該復(fù)合涂層包括從內(nèi)到外依次附著于鋼板基體表面的表面強(qiáng)化層、過(guò)渡層和材料涂層；所述材料涂層采用鋁合金棒料或鋁基復(fù)合材料棒料，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的復(fù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本實(shí)用新型涉及鈍化槽技術(shù)領(lǐng)域，且公開(kāi)了一種熱鍍鋅無(wú)鉻鈍化槽，其包括槽體、防護(hù)件以及保護(hù)件，所述防護(hù)件設(shè)在槽體上，所述防護(hù)件包括有對(duì)槽體上方罩起進(jìn)行防護(hù)的風(fēng)琴罩，保護(hù)件設(shè)在槽體上，所述保護(hù)件包括有對(duì)收疊的風(fēng)琴罩進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)殼；本實(shí)用新型有效...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種Ta?C?N擴(kuò)散阻擋層及其制備方法與應(yīng)用。所述方法主要包括三大步驟：基體預(yù)處理與Ta層沉積、微波等離子體原位碳/氮化處理、以及表面微納結(jié)構(gòu)刻蝕成形。所述Ta?C?N擴(kuò)散阻擋層由Ta、TaC、TaN及Ta...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及導(dǎo)光板加工的技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種導(dǎo)光板反光層附著工藝及其蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，導(dǎo)光板反光層蒸發(fā)鍍膜設(shè)備包括機(jī)體，內(nèi)部中空形成操作腔；靶材掛架，設(shè)置于機(jī)體中，用于安裝并蒸發(fā)靶材；轉(zhuǎn)動(dòng)架，轉(zhuǎn)動(dòng)連接于機(jī)體中，并圍合靶材掛架；安裝機(jī)構(gòu)，于轉(zhuǎn)動(dòng)架上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及深紫外膜鍍膜的技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種深紫外膜鍍膜設(shè)備及工藝，包括鍍膜機(jī)，鍍膜機(jī)頂端設(shè)置有蒸汽口；還包括移動(dòng)裝置、支撐裝置、清潔裝置、吸氣裝置、輸送帶、第一氣缸、吸盤(pán)、多邊形筒和定位槽，多組吸盤(pán)分別設(shè)置在多組第一氣缸的移動(dòng)端上，多...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種用于小口徑金屬管內(nèi)壁涂層制備的電爆噴涂裝置，涉及電爆噴涂領(lǐng)域，其包括低壓導(dǎo)電管，其連接于電容器的低壓端；金屬管驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于驅(qū)動(dòng)金屬管沿低壓導(dǎo)電管內(nèi)部軸向移動(dòng)；金屬管驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)上設(shè)置有低壓電極；高壓導(dǎo)電管，其連接于電容器的高壓...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種GH4169工件表面復(fù)合功能層及其制備方法。本發(fā)明的GH4169工件表面復(fù)合功能層的制備方法，包括：采用MEVVA離子源對(duì)GH4169工件表面進(jìn)行金屬鉻離子或金屬鎳離子注入，形成過(guò)渡金屬層；通過(guò)磁控濺射法在過(guò)渡金屬層上依次循環(huán)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的課題是提供一種能夠適用于半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)成部件且耐腐蝕性優(yōu)異的金屬材料。本發(fā)明涉及的層疊體具有金屬基材、在所述金屬基材上形成的含鎳鍍敷被膜層、以及在所述含鎳鍍敷被膜層上形成的鍍金被膜層，并且，所述鍍金被膜層的針孔被厚度為8nm以上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種連續(xù)鍍鋅帶鋼用輥式表面鈍化處理裝置，包括工作臺(tái)、位于工作臺(tái)頂部左側(cè)的第一導(dǎo)輥架和位于工作臺(tái)頂部右側(cè)的第二導(dǎo)輥架，所述工作臺(tái)的底部設(shè)置有調(diào)整單元帶動(dòng)第一導(dǎo)輥架和第二導(dǎo)輥架相對(duì)或者相離運(yùn)動(dòng)，所述工作臺(tái)的頂部中間固定有鈍化液箱，本...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種銅摻雜高熵合金氮化物復(fù)合涂層及其制備方法，本發(fā)明涂層包括設(shè)置在基體上的中間過(guò)渡層和表面工作層，所述過(guò)渡層自內(nèi)而外依次為打底層TiAlCrV合金層和中間層TiAlCrVN氮化物層，表面的(TiAlCrV)?Cu?N高熵合金氮化...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于光學(xué)薄膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種紫外寬波段低反射薄膜及其制備方法。本發(fā)明提供的紫外寬波段低反射薄膜包括交替層疊設(shè)置的低折射率材料和高折射率材料，低折射率材料包括SiO2、Al2O...
								
            
							
            
							
						
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