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          五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
          • 本發(fā)明公開了一種爐鼻子裙邊內(nèi)部吹渣裝置及其使用方法,包括外接進(jìn)氣口、裙邊外部的吹渣管、裙邊本體,鋁鍋本體和鋁鍋工作液面;鋁鍋本體為基礎(chǔ)容器,盛裝高溫鋁液,是帶鋼熱浸鍍鋁的核心區(qū)域,呈池狀開口向上;裙邊本體屬于爐鼻子設(shè)備的組成部分,位于在鋁鍋...
          • 本發(fā)明涉及不銹鋼氣動(dòng)缸技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種耐磨損腐蝕的氣動(dòng)缸用不銹鋼及其制備方法,首先對不銹鋼基體預(yù)處理,提升不銹鋼基體表面與涂層間的結(jié)合性能,接著在基體表面沉積防止基體中的鐵擴(kuò)散的過渡層后,依次沉積增韌的鎳鈷合金層、高硬度的超晶格涂層...
          • 本申請涉及一種鍍膜設(shè)備及鍍膜方法。鍍膜設(shè)備包括真空鍍膜室、工件架、靶組機(jī)構(gòu)以及驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu),真空鍍膜室;工件架設(shè)置于真空鍍膜室內(nèi);多個(gè)靶組機(jī)構(gòu)環(huán)繞工件架設(shè)置于真空鍍膜室內(nèi),靶組機(jī)構(gòu)用于向待鍍膜工件的表面濺射鍍膜材料顆粒;驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)設(shè)置于靶...
          • 本發(fā)明公開了一種用于電磁抹鋅裝置的冷卻組合管,包括電磁產(chǎn)生裝置、端部冷卻組合管,外周冷卻組合管;外周冷卻組合管整體呈圓環(huán)形的中空管狀結(jié)構(gòu);其包含有螺旋纏繞的多個(gè)獨(dú)立的冷卻分管;冷卻分管改變制冷劑的流動(dòng)軌跡,產(chǎn)生二次流增加制冷劑的湍流程度,使...
          • 本發(fā)明涉及粉體鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多級孿生靶粉體外循環(huán)連續(xù)輸送鍍膜設(shè)備,包括支撐架、鍍膜裝置、進(jìn)料裝置、循環(huán)裝置和收集裝置,所述支撐架上安裝有鍍膜裝置,所述鍍膜裝置用于通過孿生等離子對靶實(shí)現(xiàn)粉體的薄膜沉積實(shí)現(xiàn)對粉體的鍍膜;所述進(jìn)料裝置...
          • 本發(fā)明公開了一種用于金屬薄膜的智能化高真空鍍膜機(jī),應(yīng)用于金屬薄膜真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,其中殼體一、真空外殼、殼體二和滑移板,殼體一的內(nèi)部設(shè)置有蒸發(fā)車,殼體二的內(nèi)部設(shè)置有卷繞車,蒸發(fā)車和卷繞車均與滑移板為滑動(dòng)連接,蒸發(fā)車上設(shè)置有蒸發(fā)組件;蒸發(fā)組件...
          • 一種通過原子層沉積(ALD)或ALD樣工藝沉積含硅和氮的介電膜的方法。該方法包括以下步驟:a)將至少一個(gè)襯底提供到反應(yīng)器中和將反應(yīng)器加熱至約25℃至約600℃范圍的至少一個(gè)溫度,并任選地將反應(yīng)器保持在約100托或更低的壓力下;b)將形成含硅...
          • 本實(shí)用新型公開了一種應(yīng)用于顯示面板蒸鍍工藝的坩堝,包括外殼、堝體和加熱組件。外殼內(nèi)設(shè)置有安裝腔,堝體設(shè)置于安裝腔內(nèi),堝體用于容納蒸鍍材料。加熱組件設(shè)置于安裝腔內(nèi),加熱組件包括發(fā)熱元件,發(fā)熱元件環(huán)繞在堝體的外部,發(fā)熱元件沿堝體的軸線方向往復(fù)彎...
          • 一種襯底處理室包括井、設(shè)置在井中的基座以及設(shè)置在井中圍繞基座的擋板。井是由底部以及從底部豎直向上延伸的側(cè)壁限定。井包括靠近井的底部的多個(gè)排放口。基座包括底座部和桿部。擋板包括側(cè)壁和在側(cè)壁上的多組開孔。擋板被配置為引導(dǎo)供應(yīng)到襯底處理室的氣體的...
          • 本發(fā)明公開了一種基于二維量子隧穿力敏機(jī)制的柔性壓力傳感器,由頂部電極、中間介電層、底部電極和柔性襯底層組成;所述頂部電極為共形碳納米薄膜,所述中間介電層為六方氮化硼(HBN),所述底部電極為單層石墨烯;所述共形碳納米薄膜由具有微結(jié)構(gòu)的石墨烯...
          • 一種用于基板處理的方法,包括:使一種或多種工藝反應(yīng)性氣體流入處理腔室的上容積中;使清潔氣體流入該處理腔室的下容積中;測量該處理腔室的該下容積的內(nèi)表面的溫度;以及基于測量的溫度來調(diào)整該處理腔室的該下容積的該內(nèi)表面的溫度。
          • 本申請公開了利用偏壓輔助脈沖激光沉積技術(shù)制備氧化物薄膜的方法、氧化物薄膜。采用脈沖激光沉積方法在襯底上沉積氧化物薄膜,在沉積過程中,所述襯底連接電壓源,通過所述電壓源施加偏壓△E,以調(diào)控氧化物薄膜中的有效氧分壓,△E不為0。由此,在采用PL...
          • 本發(fā)明公開了一種形變驅(qū)動(dòng)梯度冶金沉積的復(fù)合涂層及其制備方法和應(yīng)用,屬于材料加工與表面處理技術(shù)領(lǐng)域。該復(fù)合涂層包括從內(nèi)到外依次附著于鋼板基體表面的表面強(qiáng)化層、過渡層和材料涂層;所述材料涂層采用鋁合金棒料或鋁基復(fù)合材料棒料,解決了現(xiàn)有技術(shù)中的復(fù)...
          • 本實(shí)用新型涉及鈍化槽技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種熱鍍鋅無鉻鈍化槽,其包括槽體、防護(hù)件以及保護(hù)件,所述防護(hù)件設(shè)在槽體上,所述防護(hù)件包括有對槽體上方罩起進(jìn)行防護(hù)的風(fēng)琴罩,保護(hù)件設(shè)在槽體上,所述保護(hù)件包括有對收疊的風(fēng)琴罩進(jìn)行保護(hù)的保護(hù)殼;本實(shí)用新型有效...
          • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種Ta?C?N擴(kuò)散阻擋層及其制備方法與應(yīng)用。所述方法主要包括三大步驟:基體預(yù)處理與Ta層沉積、微波等離子體原位碳/氮化處理、以及表面微納結(jié)構(gòu)刻蝕成形。所述Ta?C?N擴(kuò)散阻擋層由Ta、TaC、TaN及Ta...
          • 本申請涉及導(dǎo)光板加工的技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種導(dǎo)光板反光層附著工藝及其蒸發(fā)鍍膜設(shè)備,導(dǎo)光板反光層蒸發(fā)鍍膜設(shè)備包括機(jī)體,內(nèi)部中空形成操作腔;靶材掛架,設(shè)置于機(jī)體中,用于安裝并蒸發(fā)靶材;轉(zhuǎn)動(dòng)架,轉(zhuǎn)動(dòng)連接于機(jī)體中,并圍合靶材掛架;安裝機(jī)構(gòu),于轉(zhuǎn)動(dòng)架上...
          • 本發(fā)明涉及深紫外膜鍍膜的技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種深紫外膜鍍膜設(shè)備及工藝,包括鍍膜機(jī),鍍膜機(jī)頂端設(shè)置有蒸汽口;還包括移動(dòng)裝置、支撐裝置、清潔裝置、吸氣裝置、輸送帶、第一氣缸、吸盤、多邊形筒和定位槽,多組吸盤分別設(shè)置在多組第一氣缸的移動(dòng)端上,多...
          • 本發(fā)明提供了一種用于小口徑金屬管內(nèi)壁涂層制備的電爆噴涂裝置,涉及電爆噴涂領(lǐng)域,其包括低壓導(dǎo)電管,其連接于電容器的低壓端;金屬管驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu),用于驅(qū)動(dòng)金屬管沿低壓導(dǎo)電管內(nèi)部軸向移動(dòng);金屬管驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)上設(shè)置有低壓電極;高壓導(dǎo)電管,其連接于電容器的高壓...
          • 本發(fā)明提供一種GH4169工件表面復(fù)合功能層及其制備方法。本發(fā)明的GH4169工件表面復(fù)合功能層的制備方法,包括:采用MEVVA離子源對GH4169工件表面進(jìn)行金屬鉻離子或金屬鎳離子注入,形成過渡金屬層;通過磁控濺射法在過渡金屬層上依次循環(huán)...
          • 本發(fā)明的課題是提供一種能夠適用于半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)成部件且耐腐蝕性優(yōu)異的金屬材料。本發(fā)明涉及的層疊體具有金屬基材、在所述金屬基材上形成的含鎳鍍敷被膜層、以及在所述含鎳鍍敷被膜層上形成的鍍金被膜層,并且,所述鍍金被膜層的針孔被厚度為8nm以上...
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