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          五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
          • 本發(fā)明提供了一種利用PS?PVD對(duì)熱障涂層進(jìn)行表面前處理方法和熱障涂層的制備方法,涉及熱障涂層技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將將待處理基體預(yù)熱至300~800℃,能夠避免高溫條件下O2與葉片表面優(yōu)先發(fā)生反應(yīng)生成預(yù)氧化層;在PS?PV...
          • 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體設(shè)備的加熱控制方法及控制系統(tǒng),本發(fā)明的加熱控制方法中,通過(guò)步驟Si得到第一加熱區(qū)和第二加熱區(qū)各自的第i最佳升溫功率以進(jìn)行第i升溫過(guò)程,并且步驟S(i+n)根據(jù)目標(biāo)溫度相關(guān)參數(shù),步驟Si中的預(yù)測(cè)溫度相關(guān)參數(shù),以及第一加熱...
          • 本發(fā)明涉及氣相包覆回轉(zhuǎn)窯技術(shù)領(lǐng)域,本申請(qǐng)公開(kāi)了一種硅碳?xì)庀喑练e用氣相包覆回轉(zhuǎn)窯,包括回轉(zhuǎn)窖主體,所述回轉(zhuǎn)窖主體外側(cè)等距套設(shè)有若干個(gè)定位支撐組件,用于支撐回轉(zhuǎn)窖主體,本發(fā)明通過(guò)進(jìn)料端的導(dǎo)料板和分散撥板,可以對(duì)充入回轉(zhuǎn)窖主體內(nèi)部多孔碳顆粒和硅烷...
          • 本發(fā)明公開(kāi)一種惠斯通電橋膜片及其制備方法、壓力傳感器,涉及惠斯通電橋膜片技術(shù)領(lǐng)域,其包括底座和鋼薄片,鋼薄片表面設(shè)置納米薄膜槽,在納米薄膜槽表面設(shè)置納米薄膜層?;菟雇姌蚰て闹苽浞椒ǎ篠1.預(yù)處理:在不銹鋼薄片上加工出納米薄膜槽,納米薄膜...
          • 本發(fā)明提出了一種臥式鍍膜生產(chǎn)線,包括托盤(pán)和循環(huán)輸送組件、第一升降組件、進(jìn)片室、鍍膜室、出片室和第二升降組件;托盤(pán)包括安裝板和托板,托板轉(zhuǎn)動(dòng)安裝于安裝板底部;第一升降組件從低到高設(shè)有收發(fā)位、進(jìn)入位和回傳位;進(jìn)片室包括第一機(jī)架,第一機(jī)架上設(shè)有入...
          • 本發(fā)明屬于生物醫(yī)用材料領(lǐng)域,公開(kāi)了一種磷酸鋅/羥基磷灰石復(fù)合涂層制備方法,包括如下步驟:鈦合金表面預(yù)處理;將預(yù)處理好的樣品放入轉(zhuǎn)化液中電偶誘導(dǎo)化學(xué)轉(zhuǎn)化;在轉(zhuǎn)化涂層(過(guò)渡層磷酸鋅)表面噴涂羥基磷灰石;本發(fā)明以磷酸鋅為過(guò)渡層噴涂羥基磷灰石,能夠...
          • 本實(shí)用新型提出一種環(huán)狀產(chǎn)品氮化防傾倒工裝,包括立柱、防護(hù)桿和底盤(pán),立柱底部與底盤(pán)中心固定連接,立柱和底盤(pán)共同確定出可供使用的氮化熱處理空間;防護(hù)桿有多個(gè),每個(gè)防護(hù)桿的底部與底盤(pán)連接,并相對(duì)底盤(pán)中心均勻分布,通過(guò)防護(hù)桿以限定環(huán)狀產(chǎn)品的碼放高度...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種利用共滲控制系統(tǒng)提高金屬滲鋅效果的方法,涉及金屬多元合金共滲防腐技術(shù)領(lǐng)域,滲鋅開(kāi)始前,將工件尺寸、材質(zhì)、滲層深度(按客戶(hù)要求的滲層深度,也可通過(guò)客戶(hù)要求的中性鹽霧時(shí)間折算)、鋅粉參數(shù)、助滲劑、滲灌轉(zhuǎn)速等參數(shù)按實(shí)際值輸入工控機(jī)...
          • 本實(shí)用新型涉及鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種濺射鍍膜真空室用防護(hù)裝置,包括真空室腔體,所述真空室腔體的一側(cè)固設(shè)有保護(hù)罩,所述保護(hù)罩與真空室腔體之間設(shè)有透光玻璃,所述透光玻璃嵌設(shè)在所述保護(hù)罩的內(nèi)部,所述保護(hù)罩遠(yuǎn)離所述真空室腔體的一側(cè)設(shè)有通孔,...
          • 本發(fā)明涉及納米薄膜的技術(shù)領(lǐng)域,具體公開(kāi)了一種稀貴金屬合金納米薄膜的原子層沉積制備方法。其包括以下步驟:S1、沉積第一層稀貴金屬納米薄膜:采用原子層沉積(ALD)技術(shù),將稀貴金屬反應(yīng)源加熱后通過(guò)載氣脈沖引入反應(yīng)腔室,再將共反應(yīng)劑引入反應(yīng)腔室,...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種多功能寬密度等離子體放電方法,涉及等離子體技術(shù)領(lǐng)域,包括步驟:S1、系統(tǒng)設(shè)計(jì)與構(gòu)建;S2、等離子體放電模式切換;S3、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積;S4、等離子體輔助原子層沉積;S5、系統(tǒng)性能優(yōu)化與驗(yàn)證。該多功能寬密度等離子體放...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化物固態(tài)電解質(zhì)薄膜的磁控濺射制備工藝,涉及電解質(zhì)制備領(lǐng)域,包括以下步驟:襯底預(yù)處理、動(dòng)態(tài)溫度控制濺射、梯度多層結(jié)構(gòu)沉積、原位退火處理與后處理。本發(fā)明通過(guò)多步驟優(yōu)化提升氧化物固態(tài)電解質(zhì)薄膜性能:襯底預(yù)處理提升清潔度與結(jié)合強(qiáng)度...
          • 本發(fā)明涉及一種高硬度模具鋼洗銑刀具用涂層及其制備,屬于銑刀涂層技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供一種高硬度模具鋼洗銑刀具用涂層的制備方法,其步驟包括,將銑刀超聲清洗清洗后,去離子水漂洗并干燥,預(yù)熱,得到處理后的基材,接著采用多弧離子鍍對(duì)處理后的基材進(jìn)行底...
          • 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種熱鍍鋅帶鋼邊部粘渣處理裝置,涉及熱鍍鋅氣刀系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域,包括:氣刀邊部擋板和粘渣處理裝置,氣刀邊部擋板設(shè)置有陶瓷輪,陶瓷輪用于與帶鋼接觸并保證帶鋼與氣刀邊部擋板的標(biāo)定距離,陶瓷輪的下方設(shè)置有粘渣處理裝置安裝工位;粘渣處理...
          • 本實(shí)用新型涉及微納米粉末表面沉積包覆設(shè)備領(lǐng)域,提供了一種微納米粉末表面沉積包覆回轉(zhuǎn)窯爐,包括爐體及爐體回轉(zhuǎn)管和多孔分散板及擋板組成的隔倉(cāng)、工作氣體系統(tǒng)和加料裝置,工作氣體系統(tǒng)包括若干流化包覆材料或氣態(tài)包覆前驅(qū)體材料進(jìn)氣管、比例閥組,比例閥組...
          • 本發(fā)明涉及氧化硅高阻隔膜真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,具體公開(kāi)了一種氧化硅高阻隔膜用真空鍍膜設(shè)備,包括基座,所述基座的頂部固定安裝有真空鍍膜箱,所述真空鍍膜箱的頂部固定安裝有加熱裝置,本發(fā)明通過(guò)疏導(dǎo)機(jī)構(gòu)與定位機(jī)構(gòu)的聯(lián)動(dòng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了氣流調(diào)控與動(dòng)力傳導(dǎo)的協(xié)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N陶瓷基低頻吸波涂層及其制備方法和應(yīng)用,其中,陶瓷基低頻吸波涂層的制備方法包括:對(duì)金屬基底進(jìn)行倒角、去油、噴砂處理后,采用等離子噴涂工藝在所述金屬基底上制備粘結(jié)層;采用等離子噴涂工藝在所述粘結(jié)層上制備陶瓷層,再將鋁膜膠帶貼在所...
          • 本實(shí)用新型涉及微波等離子體技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種樣品臺(tái)組件及MPCVD裝置,所述樣品臺(tái)組件包括底座和鉬臺(tái),還包括銅板,所述鉬臺(tái)套設(shè)在銅板上,所述銅板套設(shè)在底座上,所述銅板設(shè)置有凹槽,所述凹槽與底座形成通道,所述底座設(shè)置有冷卻介質(zhì)入口和...
          • 本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種鍍膜設(shè)備,包括:等離子體組件,包括:第一電極組件;第二電極組件,與第一電極組件的間隙形成沉積空間,物料位于沉積空間;熱絲組件,用于利用溫度場(chǎng)使反應(yīng)物分解。本發(fā)明的技術(shù)方案中,同時(shí)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積和熱絲化學(xué)...
          • 本實(shí)用新型涉及一種用于安裝卡盤(pán)和玻璃基板的裝配設(shè)備,包括殼體、輸送組件、第一除塵組件、第二除塵組件和裝配組件。殼體內(nèi)形成有裝配腔室,輸送組件包括多個(gè)滾輪。第一除塵組件包括吸塵罩和磁鐵,吸塵罩罩設(shè)于滾輪的外圍,磁鐵設(shè)置于吸塵罩上,磁鐵和/或吸...
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