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								      本發明的基板的處理方法包括：在對基板進行清洗處理；在所述基板上沉積氮化硅層；在所述氮化硅層上沉積金剛石樣品膜；采用等離子體增強化學氣相沉積在所述金剛石樣品膜上進行沉積類金剛石碳層；以及對所述類金剛石碳層進行退火及拋光。該方法簡單高效、成本低...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種圖形化襯底及其制備方法和應用，屬于微納加工技術領域。圖形化襯底的制備方法包括以下步驟：將襯底進行清洗、干燥去除表面有機污染物，得到預處理襯底；在預處理襯底上涂覆光刻膠，進行光刻處理，得到光刻后的襯底；光刻后的襯底進行顯影處理...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種金屬表面的鍍膜方法，包括：對金屬基體的表面進行第一次清潔處理；將第一次清潔后的金屬基體置于真空室內，對第一次清潔后的金屬基體的表面進行第二次清潔處理；在第二次清潔后的金屬基體的表面上沉積第一金屬膜；對所述第一金屬膜的表面進行...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種刀具涂層及其制備方法，包括涂層基體和沉積于基體上的多層涂層，所述多層涂層由刀具基體側朝向所述刀具涂層的表面側依次包含有基礎層、支撐層與功能層。所述基礎層由金屬化合物Al1?a?bTia
							
            
							
						
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								      本發明提供一種制備SiC涂層的PVT裝置及制備方法。所述制備SiC涂層的PVT裝置包括具有PVT腔室的外殼、安裝于所述外殼底板上的固定底托、通過旋轉軸轉動設于所述PVT腔室上端的旋轉料臺、及豎向設于所述PVT腔室內的石墨電極，所述固定底托伸...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種涉及膜層技術領域，特別涉及仿鈦膜層及其制備方法和復合結構。所述仿鈦膜層包括層疊的內打底層和裝飾外層；所述內打底層用于與待加工基體連接，所述內打底層的材料包括過渡金屬元素；所述裝飾外層的材料包括鎢元素和碳元素，且所述鎢元素與碳元...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種物理氣相沉積輔助裝置及其使用方法，涉及半導體工藝技術領域，其技術要點為：包括機體、真空泵、電子生成系統、反應氣體倉和清潔氣體倉基礎部件，以及靶材清潔模塊、氣體分布優化系統和多軸旋轉工件臺三大功能模塊；靶材清潔模塊采用同軸嵌套...
								
            
							
            
							
						
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								      一種鐵硼共摻雜氧化鋅透明導電薄膜及其制備方法和應用。本發明屬于太陽能電池透明導電薄膜領域。本發明的目的在于提供一種高透光率，高導電性，寬帶隙的共摻雜氧化鋅薄膜。方法：先以Fe2O3粉末、B
							
            
							
						
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								      本發明涉及靶材技術領域，具體涉及一種離子注入摻雜IGZO薄膜的制備方法。該制備方法包括以下步驟：(1)通過高溫固相反應法制備IGZO靶材；(2)利用磁控濺射技術在氬氣氣氛下制備IGZO薄膜；(3)采用離子注入技術，利用錫離子和鎵離子對薄膜進...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種耐高溫氧化MCrAlY涂層的制備方法，涉及熱障涂層技術領域；該制備方法包括以下步驟向MCrAlY粉末中按1％～50％的比例添加摻雜粉末形成摻雜粉，將摻雜粉置入球磨機進行5～24h的濕磨或干磨，進行混粉，使MCrAlY粉末與摻...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種超耐磨光學復合膜層及制備方法，光學復合膜層包括：依次疊設于基底的第一表面上的保護膜層和AF膜層；所述保護膜層包括第一非晶碳膜層，所述保護膜層具有用于提高所述第一非晶碳膜層硬度和耐磨度的第一膜層結構。本發明克服了傳統采用AR膜...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種分氣裝置及薄膜沉積設備，分氣裝置安裝在薄膜沉積設備反應腔室的底部，分氣裝置包括主體，主體設有進氣通道和與進氣通道連通的第一出氣孔，進氣通道由主體下表面貫通至上表面，第一出氣孔設于主體的側壁且開口朝向反應腔室的底部；其中，吹掃氣...
								
            
							
            
							
						
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								      本實用新型屬于光伏焊帶加工技術領域，尤其為一種不停機清理錫灰風刀開門裝置，包括風刀座本體，所述風刀座本體的內部開設有高壓氮氣出氣口，所述風刀座本體的內部開設有內腔，所述風刀座本體的內部開設有兩個氣體通道，所述風刀座本體的頂端固定連接有兩個噴...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于橋索鋼絲的熱浸鍍液，其化學成分組成及wt%為：Al：5~20%，RE：0.05~1.0%，Si：0.05~3.0%；制備方法：將鋅錠、鋁塊預熱；預熱熔煉爐；將鋅錠放入并加熱融化；分三批次加入鋁塊；加入RE及硅；將熱浸鍍液溫度自然冷卻...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開一種鈣鈦礦氣態分子真空噴繪沉積成膜設備，包括真空腔，配合門板形成密閉空間，真空腔內設置三坐標運動控制裝置和基底承載臺，三坐標運動控制裝置置于真空腔底部，三坐標運動控制裝置上設置至少一噴繪裝置，底承載臺置于噴繪裝置上方，噴繪裝置通過...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種基于模板印刷的預圖案化材料激光誘導轉移方法，將模板印刷和激光誘導轉移相結合，包括：步驟1、在透明載體上用模板印刷形成圖案化的非牛頓流體漿料；步驟2、在透明載體上貼附聚酰亞胺膠帶，與受體板形成可調節間隙；步驟3、調整Z軸位移平臺...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種MOCVD反應腔室壓力控制方法及裝置，屬于半導體氣相沉積技術領域，本發明的MOCVD反應腔室壓力控制方法，通過實時采集對MOCVD反應時反應腔室外的運行參數，并與更新后的對照表進行對比，可以避免這些間接參數存在的延時性影響，可...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于電子元器件的技術領域，公開了一種含鉿前驅體在薄膜沉積技術中的應用、含鉿薄膜及其形成方法和應用。本發明提供了含鉿前驅體在薄膜沉積技術中的應用，該所述含鉿前驅體包括式(1)所示的化合物，通過環戊烯基以及二烷基膦基在結構中的引入，賦予其...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種高親水性的DLC膜的制備方法，包括：制備原始DLC膜；在真空環境下，將氮氣或者氧氣注入所述原始DLC膜的表面，并維持第一預設時間，獲得第一DLC膜；在水蒸氣環境下，保持預設溫度和預設相對濕度，將所述第一DLC膜放置第二預設時...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了控制生產熱鍍鋅帶鋼冷卻速率的冷卻設備及方法，移動載具通過第一導軌滑動連接在主支架上，框架固定在移動載具上，在框架上設有第二導軌；風箱結構分為的左側風箱結構和右側風箱結構，風箱結構通過第二導軌滑動連接在框架上，在左、右風箱結構之間...
								
            
							
            
							
						
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