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          五金工具產(chǎn)品及配附件制造技術(shù)
          • 本發(fā)明的基板的處理方法包括:在對(duì)基板進(jìn)行清洗處理;在所述基板上沉積氮化硅層;在所述氮化硅層上沉積金剛石樣品膜;采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積在所述金剛石樣品膜上進(jìn)行沉積類金剛石碳層;以及對(duì)所述類金剛石碳層進(jìn)行退火及拋光。該方法簡(jiǎn)單高效、成本低...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種圖形化襯底及其制備方法和應(yīng)用,屬于微納加工技術(shù)領(lǐng)域。圖形化襯底的制備方法包括以下步驟:將襯底進(jìn)行清洗、干燥去除表面有機(jī)污染物,得到預(yù)處理襯底;在預(yù)處理襯底上涂覆光刻膠,進(jìn)行光刻處理,得到光刻后的襯底;光刻后的襯底進(jìn)行顯影處理...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種金屬表面的鍍膜方法,包括:對(duì)金屬基體的表面進(jìn)行第一次清潔處理;將第一次清潔后的金屬基體置于真空室內(nèi),對(duì)第一次清潔后的金屬基體的表面進(jìn)行第二次清潔處理;在第二次清潔后的金屬基體的表面上沉積第一金屬膜;對(duì)所述第一金屬膜的表面進(jìn)行...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種刀具涂層及其制備方法,包括涂層基體和沉積于基體上的多層涂層,所述多層涂層由刀具基體側(cè)朝向所述刀具涂層的表面?zhèn)纫来伟谢A(chǔ)層、支撐層與功能層。所述基礎(chǔ)層由金屬化合物Al1?a?bTia
          • 本發(fā)明提供一種制備SiC涂層的PVT裝置及制備方法。所述制備SiC涂層的PVT裝置包括具有PVT腔室的外殼、安裝于所述外殼底板上的固定底托、通過(guò)旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)于所述PVT腔室上端的旋轉(zhuǎn)料臺(tái)、及豎向設(shè)于所述PVT腔室內(nèi)的石墨電極,所述固定底托伸...
          • 本發(fā)明涉及一種涉及膜層技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及仿鈦膜層及其制備方法和復(fù)合結(jié)構(gòu)。所述仿鈦膜層包括層疊的內(nèi)打底層和裝飾外層;所述內(nèi)打底層用于與待加工基體連接,所述內(nèi)打底層的材料包括過(guò)渡金屬元素;所述裝飾外層的材料包括鎢元素和碳元素,且所述鎢元素與碳元...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種物理氣相沉積輔助裝置及其使用方法,涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域,其技術(shù)要點(diǎn)為:包括機(jī)體、真空泵、電子生成系統(tǒng)、反應(yīng)氣體倉(cāng)和清潔氣體倉(cāng)基礎(chǔ)部件,以及靶材清潔模塊、氣體分布優(yōu)化系統(tǒng)和多軸旋轉(zhuǎn)工件臺(tái)三大功能模塊;靶材清潔模塊采用同軸嵌套...
          • 一種鐵硼共摻雜氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池透明導(dǎo)電薄膜領(lǐng)域。本發(fā)明的目的在于提供一種高透光率,高導(dǎo)電性,寬帶隙的共摻雜氧化鋅薄膜。方法:先以Fe2O3粉末、B
          • 本發(fā)明涉及靶材技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種離子注入摻雜IGZO薄膜的制備方法。該制備方法包括以下步驟:(1)通過(guò)高溫固相反應(yīng)法制備IGZO靶材;(2)利用磁控濺射技術(shù)在氬氣氣氛下制備IGZO薄膜;(3)采用離子注入技術(shù),利用錫離子和鎵離子對(duì)薄膜進(jìn)...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種耐高溫氧化MCrAlY涂層的制備方法,涉及熱障涂層技術(shù)領(lǐng)域;該制備方法包括以下步驟向MCrAlY粉末中按1%~50%的比例添加摻雜粉末形成摻雜粉,將摻雜粉置入球磨機(jī)進(jìn)行5~24h的濕磨或干磨,進(jìn)行混粉,使MCrAlY粉末與摻...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種超耐磨光學(xué)復(fù)合膜層及制備方法,光學(xué)復(fù)合膜層包括:依次疊設(shè)于基底的第一表面上的保護(hù)膜層和AF膜層;所述保護(hù)膜層包括第一非晶碳膜層,所述保護(hù)膜層具有用于提高所述第一非晶碳膜層硬度和耐磨度的第一膜層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明克服了傳統(tǒng)采用AR膜...
          • 本發(fā)明提供一種分氣裝置及薄膜沉積設(shè)備,分氣裝置安裝在薄膜沉積設(shè)備反應(yīng)腔室的底部,分氣裝置包括主體,主體設(shè)有進(jìn)氣通道和與進(jìn)氣通道連通的第一出氣孔,進(jìn)氣通道由主體下表面貫通至上表面,第一出氣孔設(shè)于主體的側(cè)壁且開(kāi)口朝向反應(yīng)腔室的底部;其中,吹掃氣...
          • 本實(shí)用新型屬于光伏焊帶加工技術(shù)領(lǐng)域,尤其為一種不停機(jī)清理錫灰風(fēng)刀開(kāi)門(mén)裝置,包括風(fēng)刀座本體,所述風(fēng)刀座本體的內(nèi)部開(kāi)設(shè)有高壓氮?dú)獬鰵饪冢鲲L(fēng)刀座本體的內(nèi)部開(kāi)設(shè)有內(nèi)腔,所述風(fēng)刀座本體的內(nèi)部開(kāi)設(shè)有兩個(gè)氣體通道,所述風(fēng)刀座本體的頂端固定連接有兩個(gè)噴...
          • 一種用于橋索鋼絲的熱浸鍍液,其化學(xué)成分組成及wt%為:Al:5~20%,RE:0.05~1.0%,Si:0.05~3.0%;制備方法:將鋅錠、鋁塊預(yù)熱;預(yù)熱熔煉爐;將鋅錠放入并加熱融化;分三批次加入鋁塊;加入RE及硅;將熱浸鍍液溫度自然冷卻...
          • 本發(fā)明公開(kāi)一種鈣鈦礦氣態(tài)分子真空噴繪沉積成膜設(shè)備,包括真空腔,配合門(mén)板形成密閉空間,真空腔內(nèi)設(shè)置三坐標(biāo)運(yùn)動(dòng)控制裝置和基底承載臺(tái),三坐標(biāo)運(yùn)動(dòng)控制裝置置于真空腔底部,三坐標(biāo)運(yùn)動(dòng)控制裝置上設(shè)置至少一噴繪裝置,底承載臺(tái)置于噴繪裝置上方,噴繪裝置通過(guò)...
          • 本發(fā)明提供一種基于模板印刷的預(yù)圖案化材料激光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移方法,將模板印刷和激光誘導(dǎo)轉(zhuǎn)移相結(jié)合,包括:步驟1、在透明載體上用模板印刷形成圖案化的非牛頓流體漿料;步驟2、在透明載體上貼附聚酰亞胺膠帶,與受體板形成可調(diào)節(jié)間隙;步驟3、調(diào)整Z軸位移平臺(tái)...
          • 本發(fā)明提供一種MOCVD反應(yīng)腔室壓力控制方法及裝置,屬于半導(dǎo)體氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明的MOCVD反應(yīng)腔室壓力控制方法,通過(guò)實(shí)時(shí)采集對(duì)MOCVD反應(yīng)時(shí)反應(yīng)腔室外的運(yùn)行參數(shù),并與更新后的對(duì)照表進(jìn)行對(duì)比,可以避免這些間接參數(shù)存在的延時(shí)性影響,可...
          • 本發(fā)明屬于電子元器件的技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種含鉿前驅(qū)體在薄膜沉積技術(shù)中的應(yīng)用、含鉿薄膜及其形成方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供了含鉿前驅(qū)體在薄膜沉積技術(shù)中的應(yīng)用,該所述含鉿前驅(qū)體包括式(1)所示的化合物,通過(guò)環(huán)戊烯基以及二烷基膦基在結(jié)構(gòu)中的引入,賦予其...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種高親水性的DLC膜的制備方法,包括:制備原始DLC膜;在真空環(huán)境下,將氮?dú)饣蛘哐鯕庾⑷胨鲈糄LC膜的表面,并維持第一預(yù)設(shè)時(shí)間,獲得第一DLC膜;在水蒸氣環(huán)境下,保持預(yù)設(shè)溫度和預(yù)設(shè)相對(duì)濕度,將所述第一DLC膜放置第二預(yù)設(shè)時(shí)...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了控制生產(chǎn)熱鍍鋅帶鋼冷卻速率的冷卻設(shè)備及方法,移動(dòng)載具通過(guò)第一導(dǎo)軌滑動(dòng)連接在主支架上,框架固定在移動(dòng)載具上,在框架上設(shè)有第二導(dǎo)軌;風(fēng)箱結(jié)構(gòu)分為的左側(cè)風(fēng)箱結(jié)構(gòu)和右側(cè)風(fēng)箱結(jié)構(gòu),風(fēng)箱結(jié)構(gòu)通過(guò)第二導(dǎo)軌滑動(dòng)連接在框架上,在左、右風(fēng)箱結(jié)構(gòu)之間...
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