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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本公開提供一種薄膜晶體管，包括設(shè)置在襯底基板上的柵極和有源層，所述柵極與所述有源層絕緣間隔；所述有源層包括與所述柵極相對設(shè)置的溝道部，所述溝道部包括：第一半導體層和第二半導體層，所述第二半導體層位于所述第一半導體層靠近所述柵極的一側(cè)；所述第...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N半導體器件及其制作方法、電子設(shè)備，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域。半導體器件包括基于GaN的HEMT器件，其中HEMT器件包括：襯底、寄生溝道層、外延層和電極層；寄生溝道層和外延層沿襯底的厚度方向且遠離襯底的方向依次設(shè)置于襯底上；電極層設(shè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N數(shù)據(jù)處理方法、電子設(shè)備及可讀存儲介質(zhì)，涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域。本申請?zhí)峁┑臄?shù)據(jù)處理方法中，在第一模型的第一網(wǎng)絡(luò)層對其輸入數(shù)據(jù)進行第一運算的過程中，如果第一運算得到的運算結(jié)果超出電子設(shè)備采用的浮點格式所對應的數(shù)據(jù)范圍，則將第一運...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種文本處理方法、裝置、設(shè)備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及計算機技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取限制詞庫；基于限制詞庫對待分析文本進行查找，從待分析文本中匹配得到文本限制詞匯；根據(jù)限制詞匯在限制詞組中表達的情感狀態(tài)，對文本限制詞匯進行負向...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于知識挖掘技術(shù)的高效縫洞型油藏知識管理系統(tǒng)及方法，該系統(tǒng)包括知識獲取模塊、知識存儲模塊、應用輔助模塊、應用管理模塊和可視化展示模塊，知識存儲模塊包括專業(yè)詞詞庫，提供設(shè)定開發(fā)工藝和配套工藝的多類型專業(yè)詞匯，為系統(tǒng)實現(xiàn)文件處理...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種機器人交互控制方法、服務器、客戶端和機器人，屬于人工智能技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：客戶端接收用戶行為信息，將用戶行為信息發(fā)送至服務器；服務器根據(jù)用戶行為信息識別交互的場景類型，將與場景類型匹配的提示信息和用戶行為信息輸入至預設(shè)的語...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明是一種基于多池注意力機制的預訓練問答事件抽取方法。該方法包括以下步驟：獲取事件提及描述，得到事件類型分類，并檢索事件類型對應的所有事件角色；通過構(gòu)建預訓練問答文本，并使用預訓練模型對其編碼；使用多池注意力機制獲取特征向量；使用特征向量...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種離子儲存材料及其制備方法和應用，所述離子儲存材料包括式(I)所示的化合物：SnxAyMzOmRn；通過將特定的M元素...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于藥物輸送技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體及其制備方法與應用。本發(fā)明提供的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體，以單價磺酸鹽為內(nèi)水相，將鹽酸米托蒽醌高效、穩(wěn)定地包封在脂質(zhì)體內(nèi)水相中，通過調(diào)節(jié)內(nèi)水相中磺酸鹽的濃度，可使所制備的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種有機光電子二極管和顯示裝置，有機光電子二極管包括：彼此面對的陽極和陰極、位于陽極和陰極之間的發(fā)光層、位于陽極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層以及位于空穴傳輸層和發(fā)光層之間的空穴傳輸輔助層，其中空穴傳輸輔助層包括與空穴傳輸層鄰近的第一空...
								
            
							
            
							
						
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								      提供能夠在將鐵芯片一體化后可靠地調(diào)整層疊高度的層疊鐵芯的制造方法。層疊多個鐵芯片(3)，層疊的鐵芯片(3)由通過遍及突起(15)間的第一焊接形成的第一焊接部(5)結(jié)合而被一體化，測定被一體化的鐵芯片(3)的層疊高度，基于測定的層疊高度，在被...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種敏感度檢測系統(tǒng)，該敏感度檢測系統(tǒng)準確高效地確定基于用戶瀏覽活動的信息何時無意地揭露了關(guān)于所述用戶的私有或其他敏感信息。例如，敏感度檢測系統(tǒng)生成和利用機器學習模型來檢測敏感度，以準確地檢測敏感用戶信息何時從諸如用戶簡檔等用戶信息...
								
            
							
            
							
						
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								      一種顯示面板，包括：襯底、多個子像素、多條數(shù)據(jù)線、多個柵極驅(qū)動電路、第一組數(shù)據(jù)扇出線、第二組數(shù)據(jù)扇出線、第一組控制信號線、第二組控制信號線、第一組靜電釋放電路和第二組靜電釋放電路。第一組數(shù)據(jù)扇出線與第一組控制信號線在襯底的正投影存在交疊，第...
								
            
							
            
							
						
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								      顯示模組包括電路板、油墨層、LED芯片和封裝層。油墨層的材料至少包括丙烯酸脂、環(huán)氧樹脂和有機顏料，油墨膜片貼附于電路板，油墨層具有開窗；LED芯片，固晶于開窗；封裝層覆蓋于電路板、油墨層及LED芯片。
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結(jié)構(gòu)單元及其形成方法、半導體結(jié)構(gòu)，半導體結(jié)構(gòu)單元包括：襯底，包括第一區(qū)和第二區(qū)；位于襯底上的若干第一柵極結(jié)構(gòu)和若干第二柵極結(jié)構(gòu)，第一柵極結(jié)構(gòu)位于相鄰的第二柵極結(jié)構(gòu)之間；位于第一區(qū)第一柵極結(jié)構(gòu)上和第二柵極結(jié)構(gòu)上的若干第一金屬層，第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例提供一種半導體器件及其制備方法，所述方法包括：在襯底上形成柵極層；在所述柵極層上形成第一掩膜層；利用所述第一掩膜層對所述柵極層進行刻蝕，形成柵極；對所述襯底進行離子摻雜，以在所述柵極兩側(cè)形成源/漏區(qū)；去除所述第一掩膜層；形成覆蓋...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種半導體器件及其制作方法、集成電路、存儲系統(tǒng)，涉及半導體芯片技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決低電壓晶體管背柵漏電的問題。所述半導體器件包括襯底、第一絕緣層、第二絕緣層、半導體層、第一晶體管和第二晶體管。第一絕緣層設(shè)置于襯底一側(cè)，包括第一部分...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導體薄膜；對非晶態(tài)半導體薄膜進行熱處理，以使非晶態(tài)半導體薄膜轉(zhuǎn)換...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導體薄膜；對非晶態(tài)半導體薄膜進行離子注入，以將3A族離子注入非晶...
								
            
							
            
							
						
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								      提供半導體裝置及其形成方法。半導體裝置包括碳化硅基板、外延層、第一電極、分離柵極結(jié)構(gòu)以及源極接觸。碳化硅基板具有第一、第二以及第三區(qū)，且具有第一導電類型。外延層設(shè)置于碳化硅基板的頂面上。外延層具有第一導電類型。第一電極設(shè)置于第一區(qū)的外延層中...
								
            
							
            
							
						
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