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								      本發(fā)明公開一種防止反插功能型復合式接口電連接器，其包括復數(shù)個端子、一絕緣結(jié)構(gòu)以及一金屬殼體。絕緣結(jié)構(gòu)結(jié)合于該復數(shù)個端子，絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座、連接于基座的一舌板以及連接于基座且位于舌板的相對兩側(cè)的第一容置結(jié)構(gòu)，端子的對接部設置于舌板相對設置的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種絕緣結(jié)構(gòu)外包式直立型電連接器，包括一絕緣結(jié)構(gòu)、復數(shù)個端子、一金屬中隔件以及一金屬殼體。絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座、一舌板以及兩個限位壁，舌板與兩個限位壁設置于基座，舌板位于兩個限位壁之間。每個端子包括一對接部、一固定部以及一焊接部，固...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種絕緣結(jié)構(gòu)外包式直立型電連接器，其包括一絕緣結(jié)構(gòu)、復數(shù)個端子以及一金屬殼體。絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座、一舌板以及兩個限位壁，舌板與兩個限位壁設置于基座，舌板位于兩個限位壁之間。每個端子包括一對接部、一固定部以及一焊接部，固定部結(jié)合于絕...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種電連接器組合及電子卡與公端電連接器擇一使用復合型母端電連接器。復合型母端電連接器包括一第一絕緣結(jié)構(gòu)、復數(shù)個第一端子、復數(shù)個第二端子以及一金屬殼體。第一絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座以及一舌板，舌板從基座的一側(cè)沿一第一方向延伸，舌板包括一舌...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種電連接器組合及電子卡與公端電連接器雙容置復合型母端電連接器。復合型母端電連接器包括一第一絕緣結(jié)構(gòu)、復數(shù)個第一端子、復數(shù)個第二端子以及一金屬殼體。第一絕緣結(jié)構(gòu)包括一基座以及一舌板，舌板從基座的一側(cè)沿一第一方向延伸，舌板包括一舌板...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種電連接器組合及電子卡與公端電連接器擇一使用復合型母端電連接器。復合型母端電連接器包括一第一絕緣結(jié)構(gòu)、復數(shù)個第一端子、復數(shù)個第二端子以及一金屬殼體。第一絕緣結(jié)構(gòu)包括一結(jié)構(gòu)本體、一舌板、一第一容置槽以及一第二容置槽，第一容置槽與第...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種用于車輛的電池包和車輛。該電池包包括電池模組和殼體。殼體包括沿橫向設置的第一端部梁和側(cè)部梁。第一端部梁包括沿縱向延伸的第一連接段。側(cè)部梁沿縱向延伸并且包括與第一連接段相匹配的第二連接段；第二連接段與相應的第一連接段沿橫向彼此...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請的實施例提供一種電池、電池包及儲能裝置，電池包括殼體、多個電芯以及設在多個電芯中任意相鄰兩個電芯之間的隔板，多個電芯層疊設置在殼體內(nèi)；隔板包括依次層疊設置的導熱層、隔熱層和導熱層，導熱層用于導熱，沿多個電芯的層疊方向，隔板的導熱層位于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用于電池極片或固態(tài)電池的氣體等靜壓方法和裝置。所述等靜壓方法包括以下步驟：將極片或固態(tài)電池電芯裝入鋁塑袋內(nèi)，并對鋁塑袋進行抽真空和密封處理；將密封后的鋁塑袋放入施壓倉組件中，設定施壓壓力和維持時間；啟動施壓功能，壓縮氣源供給...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種摻雜C3N4的銅金屬有機骨架電催化材料及其制備方法。步驟如下：首先將銅金屬有機骨架（Cu?MOF）與三聚氰胺反應，保證在水熱前提下，干燥之后生成前驅(qū)體。然后在氮氣氣氛中設置溫度為6...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種硅碳顆粒負極材料及其制備方法與應用，一種硅碳顆粒負極材料，硅碳顆粒負極材料包括：多孔碳基體，包覆于多孔碳基體的孔隙中和外表面的含硅包覆層，以及包覆于硅包覆層的外表面的碳包覆層；含硅包覆層為硅和/或硅的氧化物；硅的氧化物的化學通...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種鉛酸蓄電池極板浸泡設備，屬于鉛酸蓄電池的制造技術(shù)領域，解決了現(xiàn)有技術(shù)中鉛酸蓄電池使用壽命短的問題。本發(fā)明包括浸泡池和輸送機構(gòu)，所述輸送機構(gòu)的至少一部分位于所述浸泡池內(nèi)，且從所述浸泡池的第一端延伸至第二端；還包括吸附機構(gòu)，所述吸...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及集流體技術(shù)領域，具體為一種增韌納米涂層集流體的制備方法。步驟1：(1)將小分子RAFT試劑、功能性單體、硬單體制備得到大分子RAFT試劑；(2)將大分子RAFT試劑先嵌段軟單體，然后嵌段硬單體，得到嵌段彈性體；步驟2：將導電劑、嵌...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體結(jié)構(gòu)、形成方法、半導體器件及電子裝置，包括基底和位于所述基底上的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中設有多個焊墊；所述焊墊的至少一個轉(zhuǎn)角為弧形墊角，所述弧形墊角具有能夠分散應力的曲面。本申請在介質(zhì)層中設置多個焊墊，該焊墊的至少一個轉(zhuǎn)角...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種積層結(jié)構(gòu)，包含基底、第一金屬圖案層、模封層以及第二金屬圖案層。第一金屬圖案層形成于基底上。模封層的至少一部分與第一金屬圖案層位于同一層。第二金屬圖案層形成于第一金屬圖案層上，且第二金屬圖案層具有顯露模封層的開口圖案。第二金屬圖...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N半導體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導體結(jié)構(gòu)，涉及半導體技術(shù)領域，旨在簡化半導體結(jié)構(gòu)中將通孔做成″酒杯狀″的工藝流程，減小晶圓被污染的風險。該方法包括提供襯底。在襯底的表面形成介質(zhì)層。在介質(zhì)層遠離襯底的表面形成凹槽。利用反應氣體，至少在凹...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N原位去除銅氧化物的方法，包括以下步驟：將次磷酸水溶液噴灑至銅氧化物的表面，所述次磷酸與所述銅氧化物反應生成氫化亞銅；加熱分解所述氫化亞銅，原位形成銅單質(zhì)。本申請利用還原性的次磷酸與銅氧化物反應生成固體氫化亞銅，生成的氫化亞銅...
								
            
							
            
							
						
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								      一種具有不同儲存框架的晶圓盒，所述晶圓盒包括一底座、一第一儲存框架、一第二儲存框架及一蓋體；所述第一儲存框架配置為儲存至少一第一晶圓片，所述第二儲存框架配置為儲存至少一第二晶圓片，所述第一晶圓片投影至所述底座的一圓周定義為一第一圓弧輪廓，所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N半導體器件的檢測方法、計算機設備、計算機可讀存儲介質(zhì)及計算機程序產(chǎn)品，半導體器件的檢測方法包括：獲取晶圓的晶圓殘差圖，所述晶圓殘差圖包括所述晶圓的多個檢測區(qū)域的灰度成像；獲取所述晶圓殘差圖上的至少一條灰度曲線段，所述灰度曲線段...
								
            
							
            
							
						
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								      一種激光輔助鍵合方法包括：將半導體芯片放置于基板上，其中所述半導體芯片在其前表面具有針對紅外光線的抗反射層，并且在所述基板與所述半導體芯片之間形成有焊料凸塊；以及將紅外激光束通過所述抗反射層照射到所述半導體芯片，以通過被所述半導體芯片吸收的...
								
            
							
            
							
						
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