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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N參數(shù)辨識(shí)方法、電池狀態(tài)估計(jì)方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，涉及儲(chǔ)能技術(shù)；其中，參數(shù)辨識(shí)方法包括：確定待估計(jì)電池的電池模型及電池模型包含的待辨識(shí)參數(shù)；采用改進(jìn)郊狼優(yōu)化算法對(duì)電池模型進(jìn)行參數(shù)辨識(shí)，得到待辨識(shí)參數(shù)的目標(biāo)取值；改進(jìn)郊狼優(yōu)化算法...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，提供一種傳感器組件、電池、電池包及用電設(shè)備，傳感器組件包括傳感器、引出線以及信號(hào)解析傳輸板；傳感器包括：傳感器本體以及設(shè)置于傳感器本體上的至少一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)；檢測(cè)點(diǎn)與引出線的第一端電連接，引出線的第二端與信號(hào)解析傳輸板電...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體襯底；設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上的層間絕緣膜；設(shè)置在所述層間絕緣膜上的第一電極；設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底下的第二電極；多個(gè)柵極區(qū)域，在第一方向上從所述層間絕緣膜延伸以到達(dá)所述半導(dǎo)體襯底，所述第一方向是所述半...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種能夠防止水分向?qū)盈B體的內(nèi)部浸入的層疊陶瓷電容器。層疊陶瓷電容器（1）具備：層疊體（2），具有層疊了多個(gè)電介質(zhì)層（4）和多個(gè)內(nèi)部電極層（5）的內(nèi)層部（6）、在層疊方向上相對(duì)的兩個(gè)主面（A）、在與層疊方向交叉的寬度方向上相對(duì)的兩個(gè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種融合Transformer模型的城市多模式混合道路網(wǎng)分解與分類(lèi)預(yù)測(cè)裝置。該方法綜合運(yùn)用了經(jīng)典的地理學(xué)分區(qū)分層思想，通過(guò)地理空間與地物屬性?xún)蓚€(gè)維度，顯著提升道路網(wǎng)模式分解的準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性。同時(shí)，通過(guò)自主研發(fā)的特征向量提取算法，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明創(chuàng)新性地提出了一種基于圖注意力網(wǎng)絡(luò)（GAT）與Transformer模型的居民地形狀分類(lèi)方法及系統(tǒng)。包括：讀取Shapefile格式的地理數(shù)據(jù)文件，提取多邊形的節(jié)點(diǎn)特征和全局特征；提取的特征進(jìn)行均值和方差標(biāo)準(zhǔn)化后，隨機(jī)分配到訓(xùn)練集、驗(yàn)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種橋梁柱墩鋼板樁圍堰結(jié)構(gòu)，屬于橋梁工程的領(lǐng)域，其包括外圍樁板和內(nèi)圍樁板，所述內(nèi)圍樁板位于外圍樁板的內(nèi)側(cè)，所述內(nèi)圍樁板和外圍樁板的板面均為豎直方向，所述內(nèi)圍樁板和外圍樁板之間形成有均勻間隙，還包括斜撐樁體，所述斜撐樁體的長(zhǎng)度方向相...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種節(jié)能型MnCr系冷鍛鋼，其含有Fe和不可避免的雜質(zhì)，其還含有質(zhì)量百分含量如下的下述各化學(xué)元素：C：0.16～0.19％、Si：0.10～0.30％、Mn：1.0～1.3％、Cr：0.80～1.10％、S：0.01～0.02％...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了顯示設(shè)備。顯示設(shè)備包括：顯示面板，該顯示面板包括像素；以及顯示面板驅(qū)動(dòng)器，該顯示面板驅(qū)動(dòng)器在活動(dòng)時(shí)段中通過(guò)數(shù)據(jù)線將活動(dòng)數(shù)據(jù)電壓提供到像素，并且在消隱時(shí)段中將消隱數(shù)據(jù)電壓施加到數(shù)據(jù)線，像素包括：發(fā)光元件；第一晶體管，該第一晶體管將驅(qū)動(dòng)電...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了輸出控制電路、柵極發(fā)射驅(qū)動(dòng)器、顯示裝置和電子設(shè)備。輸出控制電路可包括配置為將發(fā)射信號(hào)轉(zhuǎn)換為反相發(fā)射信號(hào)的反相器電路和配置為基于使能信號(hào)、發(fā)射信號(hào)和反相發(fā)射信號(hào)來(lái)生成輸出控制信號(hào)的輸出確定電路。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及在數(shù)據(jù)保護(hù)期間使用更改塊列表構(gòu)建潛在受感染文件列表。一個(gè)示例方法包括：創(chuàng)建或訪問(wèn)目錄文件列表，所述目錄文件列表包括文件列表，并且對(duì)于每個(gè)文件，還包括所述文件的相應(yīng)塊列表；識(shí)別自所述文件的先前備份以來(lái)任何已更改的塊；將所述目錄文件列...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種開(kāi)關(guān)式支撐機(jī)構(gòu)，適用于雙層光罩容器的內(nèi)盒基座。開(kāi)關(guān)式支撐機(jī)構(gòu)與內(nèi)盒基座之間建立一靜電消散導(dǎo)通路徑的開(kāi)關(guān)，當(dāng)開(kāi)關(guān)式支撐機(jī)構(gòu)的支撐件受到光罩下壓并接觸到內(nèi)盒基座的瞬間，即開(kāi)啟靜電消散導(dǎo)通路徑，使光罩正面所累積靜電荷進(jìn)行導(dǎo)通消散。反...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及一種車(chē)門(mén)控制裝置。多個(gè)檢測(cè)區(qū)域被布置在車(chē)廂中包括門(mén)口和與門(mén)口相鄰的部分的范圍內(nèi)。當(dāng)檢測(cè)單元檢測(cè)到在多個(gè)檢測(cè)區(qū)域中的最靠近門(mén)口的特定檢測(cè)區(qū)域中存在乘員時(shí)，控制單元執(zhí)行防止乘員與門(mén)之間的接觸的接觸防止控制，使得門(mén)的打開(kāi)和關(guān)閉速度低于當(dāng)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了容器化環(huán)境中用于透明快照數(shù)據(jù)保護(hù)的存儲(chǔ)無(wú)關(guān)數(shù)據(jù)路徑攔截。被配置為執(zhí)行諸如數(shù)據(jù)保護(hù)操作之類(lèi)的操作的保護(hù)容器被封裝為設(shè)備接口。作為操作對(duì)象的主應(yīng)用程序的配置被改變?yōu)橹赶虮Ｗo(hù)容器的設(shè)備接口。這允許保護(hù)容器位于主容器和所分配的存儲(chǔ)器之間...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體器件。一種保護(hù)單元具有由多個(gè)第一MISFET構(gòu)成的第一MISFET組和由多個(gè)第二MISFET構(gòu)成的第二MISFET組。第一MISFET組和第二MISFET組彼此分開(kāi)設(shè)置。第一MISFET組電連接到第一電源布線組和第一接地布線...
								
            
							
            
							
						
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								      一種MOS晶體管的制造方法，其具備：在將SiC基板加熱至1200℃以上的溫度的狀態(tài)下通過(guò)氫氣對(duì)所述SiC基板的表面進(jìn)行蝕刻的工序；在實(shí)施了采用氫氣的所述蝕刻后在所述SiC基板的所述表面上形成無(wú)定形硅層的工序；通過(guò)化學(xué)氣相沉積法在所述無(wú)定形硅...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N正極片、電池和用電設(shè)備。涉及電池技術(shù)領(lǐng)域。正極片包括集流體、導(dǎo)電涂層、第一補(bǔ)鋰層、活性材料層和第二補(bǔ)鋰層。第一補(bǔ)鋰層設(shè)置于集流體厚度方向的至少一側(cè)。活性材料層設(shè)置于第一補(bǔ)鋰層背離集流體方向的一側(cè)。第二補(bǔ)鋰層設(shè)置于活性材料層背...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種基于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的約束多航天器微分圖形博弈控制方法、裝置、介質(zhì)和設(shè)備，通過(guò)耦合協(xié)同博弈哈密爾頓?雅克比HJ方程構(gòu)建；參數(shù)化代數(shù)黎卡提方程構(gòu)建；基于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的反饋增益求解；約束多航天器自適應(yīng)最優(yōu)編隊(duì)跟蹤控制策略設(shè)計(jì)，本申請(qǐng)基于數(shù)據(jù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于安裝到工程機(jī)械處的轉(zhuǎn)動(dòng)和/或擺動(dòng)裝置，轉(zhuǎn)動(dòng)和/或擺動(dòng)裝置包括聯(lián)接件(1)和以能活動(dòng)的方式布置在聯(lián)接件(1)處的用于工具的支架(6)或用于聯(lián)接工具或附加裝置的快速更換器(8)，其中，支架(6)以能電動(dòng)地通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置(8)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種事務(wù)的處理方法、存儲(chǔ)介質(zhì)、電子裝置及產(chǎn)品，該方法包括：對(duì)接收的事務(wù)請(qǐng)求進(jìn)行解析，確定事務(wù)請(qǐng)求的類(lèi)型和優(yōu)先級(jí)，在存在未被使用的一致性隊(duì)列的資源的情況下，根據(jù)事務(wù)請(qǐng)求的類(lèi)型和優(yōu)先級(jí)調(diào)度事務(wù)進(jìn)入對(duì)應(yīng)的處理流程；對(duì)事務(wù)進(jìn)入對(duì)應(yīng)...
								
            
							
            
							
						
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