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								      本申請?zhí)峁┝苏Z義召回模型的訓練方法、裝置和計算機存儲介質(zhì)。該方法包括：獲取訓練樣本集，訓練樣本集包括多個樣本對及其樣本標簽；針對訓練樣本集中每一個樣本對，將查詢文本和標題文本分別輸入到語義召回模型的第一語義編碼器和第二語義編碼器，以得到查詢...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種冪等性測試方法、裝置、電子設備及計算機可讀存儲介質(zhì)，涉及軟件測試領域。該方法包括創(chuàng)建樁服務，配置業(yè)務服務傳輸?shù)臉I(yè)務消息通過樁服務轉發(fā)；獲取測試用例在業(yè)務服務系統(tǒng)中觸發(fā)業(yè)務場景后的調(diào)用鏈路；根據(jù)調(diào)用鏈路生成中斷重入規(guī)則，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬醫(yī)學檢驗和生物學技術領域，涉及一種系統(tǒng)性硬化癥生物標志物及其檢測方法與應用，所述生物標志物為抗PRMT5抗體。本發(fā)明還提供了PRMT5在制備檢測或者治療系統(tǒng)性硬化癥藥物或者試劑中的應用，通過檢測抗PRMT5抗體水平區(qū)分系統(tǒng)性硬化癥與...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于控制堿性電解槽的溫度的系統(tǒng)，其中，所述系統(tǒng)包括至少一個電解槽、氧氣分離器、氫氣分離器、堿液冷卻器、堿液循環(huán)泵，所述氧氣分離器和氫氣分離器位于所述電解槽的下游，從所述氧氣分離器和氫氣分離器分離出來的堿液流動到所述堿液冷卻器，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種多晶硅薄膜及其制備方法和應用。該多晶硅薄膜的制備方法包括如下步驟：在基底上制備非晶硅層，制備中間體；在氧氣、水蒸氣以及溫度為400℃條件下，對中間體進行第一退火處理，制備中間體I；在氧氣、水蒸氣以及溫度為400℃～550℃條件...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例提供了一種陣列基板，屬于顯示技術領域。陣列基板具有顯示區(qū)和周邊區(qū)，周邊區(qū)包括第一綁定區(qū)。陣列基板包括依次層疊的襯底基板、驅動電路層、第一電極層、絕緣層和第二電極層。驅動電路層包括位于周邊區(qū)的多根信號走線，第二電極層包括位于第一綁...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種MIS柵極結構器件、芯片及相關設備，其中，該MIS柵極結構器件包括：襯底、襯底上的柵介質(zhì)層、源極、漏極和柵極；其中，柵介質(zhì)層、源極和漏極均設置在襯底表面上，且柵介質(zhì)層設置于源極和漏極之間；在柵介質(zhì)層遠離襯底一側層疊有柵...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體結構、制備方法及電子裝置，包括基底、介質(zhì)層、柵極層、第一隔離層和第一隔離結構，所述介質(zhì)層位于所述基底與所述柵極層之間，所述第一隔離層位于所述柵極層上；所述基底上具有多個鰭式結構，所述鰭式結構穿過所述介質(zhì)層延伸至所述柵極...
								
            
							
            
							
						
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								      一種氮化鎵高電子遷移率晶體管及其制造方法，氮化鎵高電子遷移率晶體管包含晶體管結構、散熱結構及導電結構。晶體管結構包括復合半導體層及電極單元。復合半導體層具有氮化鎵層部。散熱結構包括散熱絕緣層及設置于散熱絕緣層遠離復合半導體層的一側面的散熱金...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導體器件的制造方法，先對有源區(qū)進行預非晶化注入以破壞有源區(qū)表面晶格并增強后續(xù)表面處理效果，再將有源區(qū)邊界處的器件隔離結構的頂角進行刻蝕去除以暴露出有源區(qū)的邊界頂角表面(包括頂角的頂面及側壁)，之后在低于100℃的含氧氛圍中對...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種算力引擎容災節(jié)能方法、通信設備、存儲介質(zhì)和程序產(chǎn)品，包括：獲取主用引擎節(jié)點的節(jié)點狀態(tài)、所開通的目標特性服務和服務終端數(shù)量；根據(jù)目標特性服務確定主用引擎節(jié)點中的第一目標服務組件；根據(jù)節(jié)點狀態(tài)和服務終端數(shù)量控制第一目標服務...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種網(wǎng)絡性能監(jiān)測方法、裝置、核心網(wǎng)設備、存儲介質(zhì)及計算機程序產(chǎn)品，其中，方法包括：屬于終端的HPLMN的第一核心網(wǎng)設備在終端通過衛(wèi)星接入VPLMN的情況下，接收VPLMN的第二核心網(wǎng)設備上報的所述VPLMN相關的網(wǎng)絡性能監(jiān)測數(shù)據(jù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開是關于一種攝像方法、攝像裝置、電子設備及存儲介質(zhì)。攝像方法包括：響應于接收到進行攝像的指令，獲取相機中棱鏡的當前旋轉角度信息，并獲取初始成像數(shù)據(jù)，所述初始成像數(shù)據(jù)為原始圖像信號經(jīng)過圖像信號處理后得到的圖像數(shù)據(jù)。根據(jù)所述當前旋轉角度信息...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種請求響應方法、裝置、設備及存儲介質(zhì)，涉及計算機技術領域。該方法包括：響應于接收到的由目標客戶端發(fā)送的服務請求，獲取目標客戶端的標識和服務內(nèi)容信息；根據(jù)目標客戶端的標識，查詢到目標服務節(jié)點的服務接口，其中，目標服務節(jié)點表征與目...
								
            
							
            
							
						
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								      本實施例提供了集群接口板卡、業(yè)務轉發(fā)設備、業(yè)務轉發(fā)方法及集群系統(tǒng)，該集群接口板卡包括轉發(fā)交換芯片、多個第一串行解串器接口和多個第二串行解串器接口。轉發(fā)交換芯片分別與多個第一串行解串器接口和多個第二串行解串器接口連接。多個第一串行解串器接口用...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種流量鏡像的處理方法、裝置、計算機設備、存儲介質(zhì)和計算機程序產(chǎn)品。該方法可以應用于云計算技術領域，該方法包括：獲取與流量鏡像任務相關的地址集合，遍歷地址集合中的各地址，從當前遍歷至的地址所指向的端側獲取實時流量；若當前遍歷至的地...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請的實施例提供了一種網(wǎng)絡故障診斷方法、裝置、計算機可讀介質(zhì)及電子設備，該方法包括：在獲取到網(wǎng)絡通信流量信息之后，確定與網(wǎng)絡通信流量信息匹配的網(wǎng)絡通信場景信息，并根據(jù)網(wǎng)絡通信流量信息和網(wǎng)絡通信場景信息確定目標網(wǎng)元設備的地址信息；確定各目標...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開是關于一種中框組件及電子設備，所述中框組件包括：框體，所述框體包括相對的第一邊和第二邊；多個天線，所述多個天線的至少一部分分別設置于所述第一邊和所述第二邊，所述多個天線輻射和/或接收第一頻段信號，其中，所述多個天線環(huán)繞所述框體設置以使...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N部分屏蔽半導體器件及其形成方法。所述方法包括：提供半導體封裝件；分配墨水組合物以在所述半導體封裝件的表面上形成阻擋結構，所述阻擋結構將所述半導體封裝件的表面劃分為至少第一部分和第二部分；將包括金屬前體的流體分配到所述半導體封...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種芯片的阱邊界效應優(yōu)化方法、裝置及電子設備，針對原始芯片版圖中的每個阱執(zhí)行，根據(jù)阱中N阱、高壓標記層及原始襯底層的存在狀態(tài)，確定阱的阱類型；確定預設范圍內(nèi)不存在除該阱類型之外的其他阱類型的相關層，且，不存在與該阱類型對應的目標...
								
            
							
            
							
						
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