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          • 本公開(kāi)涉及一種語(yǔ)音識(shí)別模型訓(xùn)練、語(yǔ)音識(shí)別方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì),其中,語(yǔ)音識(shí)別模型訓(xùn)練方法包括:獲取訓(xùn)練數(shù)據(jù)集,訓(xùn)練數(shù)據(jù)集包括第一訓(xùn)練數(shù)據(jù)集和第二訓(xùn)練數(shù)據(jù)集,第一訓(xùn)練數(shù)據(jù)集中每個(gè)訓(xùn)練數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的訓(xùn)練標(biāo)簽為人工標(biāo)注得到的,第二訓(xùn)練數(shù)據(jù)集中每個(gè)訓(xùn)...
          • 本申請(qǐng)涉及一種語(yǔ)音識(shí)別方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)、電子設(shè)備及車輛,涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域,其中方法包括:對(duì)待識(shí)別的語(yǔ)音信息進(jìn)行音頻解析,得到多個(gè)候選文本;依據(jù)候選文本中每個(gè)詞語(yǔ)與其在候選文本中上下文之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系進(jìn)行分析計(jì)算,得到候選文本中每個(gè)詞語(yǔ)...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了多聯(lián)機(jī)控制系統(tǒng),包括:線控器,其用于將采集到的語(yǔ)音指令進(jìn)行編碼以生成語(yǔ)音編碼數(shù)據(jù),并發(fā)送至集控器;還用于根據(jù)接收到的控制指令運(yùn)行;集控器,其用于接收線控器發(fā)送的語(yǔ)音編碼數(shù)據(jù),識(shí)別發(fā)出語(yǔ)音編碼數(shù)據(jù)時(shí)間最早的線控器,作為目標(biāo)線控器,...
          • 本公開(kāi)涉及一種音頻處理方法、裝置、可讀介質(zhì)及電子設(shè)備,可以增強(qiáng)指定方向的音頻信號(hào),并提高音頻信號(hào)的質(zhì)量,所述音頻處理方法包括:獲取骨傳導(dǎo)麥克風(fēng)采集的骨傳導(dǎo)信號(hào)以及氣傳導(dǎo)麥克風(fēng)采集的氣傳導(dǎo)信號(hào);根據(jù)所述氣傳導(dǎo)信號(hào)和第一信號(hào)處理模型得到定向波束...
          • 本公開(kāi)涉及一種語(yǔ)音分離方法、模型訓(xùn)練方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及車輛。通過(guò)獲取當(dāng)前幀的多通道語(yǔ)音信號(hào)以及車內(nèi)各個(gè)人員的聲紋頻域特征向量,對(duì)當(dāng)前幀的多通道語(yǔ)音信號(hào)進(jìn)行頻域變換,得到多通道語(yǔ)音頻域信號(hào),將車內(nèi)各個(gè)人員的聲紋頻域特征向量與多通道語(yǔ)音頻...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種光源單元,其應(yīng)用于熱輔助磁頭,熱輔助磁頭的滑塊與光源單元之間設(shè)有焊接層和止動(dòng)結(jié)構(gòu),在光源單元與滑塊接合時(shí),光源單元能隨焊接層熔化而移動(dòng)并被止動(dòng)結(jié)構(gòu)精確限位在預(yù)設(shè)位置,這樣,光源單元的發(fā)射口與波導(dǎo)可以精確對(duì)準(zhǔn),從而提高了光源單...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種I/O驅(qū)動(dòng)器、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,用于提高I/O驅(qū)動(dòng)器的性能。I/O驅(qū)動(dòng)器包括上拉電路、下拉電路以及輸入/輸出端。上拉電路耦接于電源電壓端和輸入/輸出端之間,用于根據(jù)第一控制信號(hào)生成上拉電壓。下拉電路耦接于參考...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器的操作方法、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)系統(tǒng),屬于存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域。該存儲(chǔ)器的操作方法包括:在存儲(chǔ)器所處的編程溫度小于溫度閾值的情況下,在對(duì)第一選定字線所耦合的選定存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程的過(guò)程中,對(duì)第一選定字線施加第一編程電壓,對(duì)第一目標(biāo)字線施...
          • 一種數(shù)據(jù)片段比對(duì)方法、裝置以及設(shè)備,本申請(qǐng)中,對(duì)比裝置獲取基因片段集合中的索引,基因片段集合包括未發(fā)生變異的參考基因片段及發(fā)生變異的參考基因片段。對(duì)比裝置根據(jù)目標(biāo)基因片段查詢基因片段集合中的索引,確定基因片段集合是否存在與目標(biāo)基因片段相同的...
          • 根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例,提供了用于排除原子對(duì)庫(kù)倫勢(shì)計(jì)算的方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)。該方法包括:針對(duì)目標(biāo)排除原子對(duì)列表中的原子對(duì),確定原子對(duì)之間的距離是否超過(guò)截?cái)喟霃剑⑶掖_定原子對(duì)之間庫(kù)倫相互作用的類型為長(zhǎng)程相互作用,目標(biāo)排除原子對(duì)列表中的原子對(duì)...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種脊柱健康狀態(tài)評(píng)估模型的構(gòu)建方法和系統(tǒng),該方法包括:根據(jù)脊柱健康狀態(tài)印象因素和脊柱側(cè)彎情形,定義脊柱健康狀態(tài)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和脊柱健康狀態(tài)評(píng)估模型結(jié)構(gòu),根據(jù)所述脊柱健康狀態(tài)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu),獲取脊柱健康狀態(tài)評(píng)估數(shù)據(jù),并對(duì)所述脊柱健康狀態(tài)評(píng)估數(shù)...
          • 本發(fā)明提供一種微米銀漿的無(wú)壓燒結(jié)方法,包括:制備微米銀漿;將所述微米銀漿涂覆在元器件待連接的兩個(gè)連接面之間;將所述元器件放置于加熱設(shè)備,所述加熱設(shè)備發(fā)出預(yù)設(shè)波長(zhǎng)的紅外線加熱所述微米銀漿,以在兩個(gè)連接面之間形成導(dǎo)電銀層。本發(fā)明的無(wú)壓燒結(jié)方法,...
          • 本發(fā)明涉及電氣傳輸領(lǐng)域,尤其涉及大功率電纜和新能源汽車充電領(lǐng)域。一種液冷電纜,包括內(nèi)置彈簧的液冷管線和導(dǎo)線,彈簧可以支撐液冷管線,使電纜折彎時(shí)能保持液冷管線的暢通。彈簧與液冷管線的管壁可以是分離的,一方面液冷管線單獨(dú)加工更容易,另一方面彈簧...
          • 本發(fā)明提供了一種復(fù)合稀土類粘結(jié)磁粉及其制備方法和應(yīng)用。所述制備方法包括:將鐵氧體磁粉、釹鐵硼磁粉、環(huán)氧樹(shù)脂和有機(jī)溶劑進(jìn)行第一混合后,經(jīng)烘干,得到所述復(fù)合稀土類粘結(jié)磁粉;對(duì)所述鐵氧體磁粉進(jìn)行預(yù)處理,所述預(yù)處理的方法包括:對(duì)鐵氧體磁粉原料進(jìn)行燒...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種無(wú)機(jī)?有機(jī)雙層包覆的磁粉及其制備方法和應(yīng)用。所述無(wú)機(jī)?有機(jī)雙層包覆的磁粉包括磁粉內(nèi)核以及由內(nèi)至外依次包覆在磁粉內(nèi)核表面的無(wú)機(jī)絕緣包覆層和酚醛型氰酸酯樹(shù)脂層。本發(fā)明利用無(wú)機(jī)絕緣包覆層和有機(jī)絕緣包覆層對(duì)磁粉進(jìn)行協(xié)同改性,其中,有...
          • 本發(fā)明涉及一種用于隔離開(kāi)關(guān)的操作機(jī)構(gòu),包括:第一外殼、第二外殼、主動(dòng)模塊、從動(dòng)模塊,主動(dòng)模塊、從動(dòng)模塊均設(shè)于第一外殼、第二外殼形成的腔體內(nèi);主動(dòng)模塊包括:第一支架、第一彈簧、第一齒輪、第二齒輪、第一軸、第二軸;從動(dòng)模塊包括:第三軸、夾板、擋...
          • 本發(fā)明提供了離子漏斗及其裝配方法、質(zhì)譜分析系統(tǒng),離子漏斗的裝配方法包括以下步驟:(A1)將通孔孔徑逐漸減小的第一組電極片層疊地卡在承載件的圓柱外,圓柱的直徑和電極片的孔徑相等;自下而上地,承載件具有多個(gè)直徑逐漸變小的共軸的圓柱,圓柱的高度大...
          • 本發(fā)明提供FOSB晶圓盒管理方法和晶圓搬運(yùn)系統(tǒng)。FOSB晶圓盒用于收納測(cè)試用晶圓,F(xiàn)OSB晶圓盒管理方法包括:建立多個(gè)由參數(shù)表示的FOSB晶圓盒模型而生成模型庫(kù)的模型庫(kù)建立步驟;對(duì)于搬運(yùn)到半導(dǎo)體工廠的各個(gè)FOSB晶圓盒指定對(duì)應(yīng)的模型,使所述...
          • 本發(fā)明提供一種EPI工藝環(huán)中的晶圓生產(chǎn)控制方法及系統(tǒng),包括:設(shè)定額定加工晶圓數(shù);獲取已進(jìn)入EPI機(jī)臺(tái)的晶圓總數(shù)和已進(jìn)入EPI機(jī)臺(tái)但未加工的晶圓數(shù)量;若已進(jìn)入EPI機(jī)臺(tái)的晶圓總數(shù)大于額定加工晶圓數(shù),則禁止下一待加工晶圓批次進(jìn)入EPI工藝環(huán);若...
          • 一種晶圓及其制造方法、封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法,晶圓包括:基底;介電層,位于基底上,介電層背向基底一側(cè)的面為鍵合面;鍵合層,位于介電層中,鍵合層包括第一鍵合層以及位于第一鍵合層頂部的第二鍵合層,第二鍵合層露出鍵合面,第二鍵合層的熱膨脹系數(shù)大于第一...
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