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								      本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種驅(qū)動(dòng)裝置和顯示設(shè)備，驅(qū)動(dòng)裝置包括：發(fā)光控制電路、驅(qū)動(dòng)電路和閾值電壓補(bǔ)償電路；閾值電壓補(bǔ)償電路與驅(qū)動(dòng)電路相連接，用于通過輸入的第一調(diào)制信號(hào)對(duì)從驅(qū)動(dòng)電路獲取的第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，得到第二驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以及輸出第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種像素驅(qū)動(dòng)電路和顯示面板。該像素驅(qū)動(dòng)電路包括第一驅(qū)動(dòng)模塊、第二驅(qū)動(dòng)模塊、發(fā)光模塊和補(bǔ)償模塊；第一驅(qū)動(dòng)模塊和第二驅(qū)動(dòng)模塊并連連接后，與發(fā)光模塊連接于第一電源輸入端和第二電源輸入端之間，補(bǔ)償模塊與第一驅(qū)動(dòng)模塊的控制端連接，第二驅(qū)動(dòng)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法及顯示裝置，顯示面板包括多個(gè)發(fā)光器件以及與發(fā)光器件對(duì)應(yīng)的像素電路，像素電路包括驅(qū)動(dòng)晶體管，驅(qū)動(dòng)晶體管和對(duì)應(yīng)的發(fā)光器件串聯(lián)連接于第一電源端和第二電源端之間；顯示面板的驅(qū)動(dòng)方法包括：在預(yù)點(diǎn)亮階段，向各個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體...
								
            
							
            
							
						
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								      本說明書公開了一種音素與字母的對(duì)齊方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備，其中方法包括：獲取待對(duì)齊的目標(biāo)輸入序列，將目標(biāo)輸入序列輸入至預(yù)先訓(xùn)練好的音素與字母對(duì)齊模型中，基于音素與字母對(duì)齊模型對(duì)輸入序列進(jìn)行分步預(yù)測(cè)處理，得到各分步的預(yù)測(cè)字符，基于各分...
								
            
							
            
							
						
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								      本說明書公開了一種特征構(gòu)建方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及電子設(shè)備，其中方法包括：獲取文本數(shù)據(jù)的音素序列和音素序列對(duì)應(yīng)的參考時(shí)長(zhǎng)特征，將音素序列輸入至聲學(xué)模型，得到音素序列對(duì)應(yīng)的預(yù)測(cè)時(shí)長(zhǎng)特征和第一預(yù)測(cè)聲學(xué)特征，在預(yù)測(cè)時(shí)長(zhǎng)特征中獲取預(yù)測(cè)時(shí)長(zhǎng)特征片段，在...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開一種語音降噪方法及相關(guān)裝置，應(yīng)用于人工智能等場(chǎng)景。方法包括：在提取目標(biāo)帶噪語音在預(yù)設(shè)尺度下的多個(gè)預(yù)設(shè)語音幀對(duì)應(yīng)的多個(gè)預(yù)設(shè)時(shí)頻特征的基礎(chǔ)上；按照小于預(yù)設(shè)尺度、不同尺度的多個(gè)目標(biāo)尺度分幀每個(gè)預(yù)設(shè)語音幀，得到每個(gè)預(yù)設(shè)語音幀在多個(gè)目標(biāo)尺度...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種語音去噪方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備、可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品。本申請(qǐng)可以獲取樣本語音信號(hào)對(duì)，語音信號(hào)樣本對(duì)包括含噪語音信號(hào)和無噪語音信號(hào)；對(duì)樣本語音信號(hào)對(duì)進(jìn)行時(shí)頻轉(zhuǎn)換，得到樣本頻域特征；通過噪聲識(shí)別模型對(duì)樣本頻域特征進(jìn)行噪聲識(shí)別，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種存儲(chǔ)器的操作方法、存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)系統(tǒng)及電子系統(tǒng)。該方法包括：獲取數(shù)據(jù)輸出命令；響應(yīng)于數(shù)據(jù)輸出命令，利用多個(gè)存儲(chǔ)面各自對(duì)應(yīng)的電荷泵單元將多個(gè)存儲(chǔ)面各自對(duì)應(yīng)的全部字線上的電壓提升至導(dǎo)通電壓，以完成多個(gè)存儲(chǔ)面的預(yù)充電；其中，數(shù)據(jù)輸出...
								
            
							
            
							
						
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								      一種分子結(jié)構(gòu)生成模型的訓(xùn)練方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取第一訓(xùn)練樣本，第一訓(xùn)練樣本包括第一加噪點(diǎn)云；通過分子結(jié)構(gòu)生成模型對(duì)第一加噪點(diǎn)云去噪，得到第一去噪點(diǎn)云；基于第一去噪點(diǎn)云中的各個(gè)原子的位置，確定分子結(jié)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了CVD金剛石晶格尺寸預(yù)測(cè)方法、裝置、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，所述方法包括步驟：取包含有多種已知晶格尺寸大小的CVD金剛石的信息數(shù)據(jù)，并根據(jù)信息數(shù)據(jù)生成紫外拉曼光譜數(shù)據(jù)庫；以信息數(shù)據(jù)為訓(xùn)練數(shù)據(jù)，通過卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行訓(xùn)練，以獲取紫外拉曼光譜...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種下電極組件及等離子體處理裝置，其中所述下電極組件包括：靜電卡盤，用于在等離子體處理裝置的反應(yīng)腔中支撐待處理基片；若干個(gè)氣體傳輸通道，其貫穿所述靜電卡盤設(shè)置；每個(gè)所述氣體傳輸通道包括相互連通的第一通氣孔、第二通氣孔和第一安裝槽...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種工藝腔室及半導(dǎo)體設(shè)備，屬于半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域。所公開的半導(dǎo)體設(shè)備包括工藝腔室，工藝腔室包括腔室本體以及設(shè)于腔室本體內(nèi)的安裝件、加熱燈和基座；其中，安裝件與腔室本體的內(nèi)壁相連，加熱燈通過安裝件固定于腔室本體內(nèi)、并與安裝件活動(dòng)連...
								
            
							
            
							
						
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								      一種將微導(dǎo)電柱體置入微孔的方法，其包括：提供基板，基板具有多個(gè)微孔，微孔的深度與孔徑的比例范圍為0.5至12。置放多個(gè)微導(dǎo)電柱體于多個(gè)微孔的上方，每一微導(dǎo)電柱體具有磁性。提供磁力于基板的下方，每一微導(dǎo)電柱體朝向基板的方向受磁力吸引。以水平方...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備，涉及封裝技術(shù)領(lǐng)域，能夠解決因連接器的設(shè)置而導(dǎo)致轉(zhuǎn)接板的面積增大的問題。該芯片封裝結(jié)構(gòu)包括轉(zhuǎn)接板、至少一個(gè)第一芯片、至少一個(gè)第二芯片、支撐結(jié)構(gòu)、連接器。第一芯片設(shè)置在轉(zhuǎn)接板的正面、并與轉(zhuǎn)接板電連接。第二芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)。該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括：基板；半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu)，包括多個(gè)沿第一方向依次堆疊于所述基板一側(cè)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；以及熱管結(jié)構(gòu)，其至少一部分位于最靠近所述基板的所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，至少另外一部分沿所述第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種工藝監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，屬于芯片工藝監(jiān)測(cè)領(lǐng)域。本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓に嚤O(jiān)測(cè)系統(tǒng)包括：設(shè)置在芯片的目標(biāo)區(qū)域的工藝監(jiān)測(cè)單元，包括基本單元為與非門電路的第一環(huán)形振蕩器，以及基本單元為或非門電路的第二環(huán)形振蕩器；與第一環(huán)形振蕩器和第二環(huán)形振蕩器的輸出...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種復(fù)合正極片及其制備方法、鈉離子電池，涉及電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的復(fù)合正極片，包括集流體和涂布于集流體上的正極活性物質(zhì)層；正極活性物質(zhì)層包括正極主材、導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑正極主材包括復(fù)合磷酸鐵鈉和O3相層狀氧化物；復(fù)合磷酸鐵鈉和O...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種負(fù)極極片及其制備方法、電池、用電設(shè)備。一種負(fù)極極片，負(fù)極極片包括：負(fù)極集流體以及鋰金屬層。負(fù)極集流體具有第一表面和相對(duì)的第二表面；鋰金屬層負(fù)載在負(fù)極集流體的第一表面和第二表面。上述技術(shù)方案，在負(fù)極集流體的表面負(fù)載鋰金屬作為負(fù)極...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種高比例活性物質(zhì)負(fù)極漿料及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明提供的負(fù)極漿料包括活性物質(zhì)、導(dǎo)電劑和復(fù)合粘結(jié)劑；所述復(fù)合粘結(jié)劑由羧甲基纖維素鈉、丁苯橡膠乳液和聚丙烯酸類粘結(jié)劑按照質(zhì)量比1：(1.5?2)：(1.5?2)組成。本發(fā)明通過添加聚...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種氫耗的確定方法、裝置及電子設(shè)備。其中，該方法包括：確定預(yù)定時(shí)間段內(nèi)第一氫氣的第一消耗量，以及，第二氫氣在預(yù)定時(shí)間段內(nèi)的多個(gè)時(shí)間間隔分別對(duì)應(yīng)的第二消耗量，其中，第一氫氣為儲(chǔ)氫系統(tǒng)中存儲(chǔ)的氫氣，第二氫氣為被轉(zhuǎn)化為電能消耗的氫氣；...
								
            
							
            
							
						
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