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            拖動滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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								      本申請公開一種光學裝置，其包含一電子構件、一透光層及夾持于所述電子構件與所述透光層之間的一環(huán)形支撐體。所述電子構件的頂面包含有一光學區(qū)域及圍繞于所述光學區(qū)域的一承載區(qū)域。所述環(huán)形支撐體包含一黏著層及不完全相溶于所述黏著層的一添加物模塊。所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及光纖光度測定技術，根據(jù)一個實施例的光學腦信號測定裝置100可以包括光源部110、激發(fā)濾光片部120、第一分割拼接部130、第二分割拼接部140、發(fā)射濾光片部150以及測定部160。光學腦信號測定裝置100通過具有方向性的光纖將光信...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于農藥殺螨技術領域，公開了一種殺螨組合物及其應用，所述的殺螨組合物包含活性成分A和活性成分B，所述的活性成分A為式I所示的化合物：
							  2025-09-26
							
            
						
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								      本公開提供一種乘客輸送機的地板裝置，其能夠抑制維護檢修作業(yè)的作業(yè)效率的降低。在自動扶梯的下部地板裝置(11)中，滑動部件(232)能夠相對于固定引導部件(231)在沿著長孔(234)的方向上在長孔(234)中滑動。連結部件(233)將可動地...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的目的在于提供一種即使不處于待機狀態(tài)也能夠更新分析參數(shù)從而處理能力較高的自動分析裝置。為此，本發(fā)明的自動分析裝置包括：分析模塊，該分析模塊分析檢體；存儲部，該存儲部存儲所述分析模塊中的分析結果；顯示部，該顯示部顯示存儲于所述存儲部的分...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種流量控制方法，其包括：根據(jù)預設的至少一個預取數(shù)量等級從虛擬設備獲取對應的至少一組報文描述符，其中，虛擬設備對應至少一個隊列，每個隊列對應一個預取數(shù)量等級；將至少一組報文描述符分別存儲至與至少一個預取數(shù)量等級對應的至少一個隊列...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種離子液埋底界面的鈣鈦礦發(fā)光二極管及其制備方法和應用。該制備方法包括在ITO導電基板表面旋涂電子傳輸層，并將埋底界面材料醋酸甲脒(FAAc)離子液沉積在電子傳輸層上，經(jīng)退火后得到FAAc埋底界面，再基于FAAc埋底界面旋涂鈣鈦...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開內容涉及新的化合物和包含其的有機發(fā)光器件。
								
            
							
            
							
						
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								      提供搭載了能夠將PCB配置于HDD的殼體側面的連接器的盤裝置。實施方式的盤裝置具有多個磁盤、構成為使多個磁盤旋轉的主軸馬達、以及殼體。殼體具有安裝有主軸馬達的底壁、和與底壁一體成型的側壁。還具有安裝于側壁的第1基板、和安裝于第1基板并與外部...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明具體涉及一種交流驅動的鈣鈦礦發(fā)光二極管及其制備方法和應用。該制備方法包括：將電子傳輸層材料旋涂在清洗后的導電玻璃基板上，并將鈣鈦礦前驅液溶液旋涂在電子傳輸層上，經(jīng)退火處理得到致密且均一的鈣鈦礦薄膜；在鈣鈦礦薄膜上旋涂空穴傳輸層材料，然...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于農藥技術領域，涉及一種含噠螨靈的殺螨組合物及其應用，所述的殺螨組合物包含活性成分A和活成成分B；所述的活性成分A為噠螨靈，所述的活性成分B為聯(lián)苯硫醚類化合物。所述的殺螨組合物能夠防治多種害螨，在一定比例范圍內表現(xiàn)出增效作用，能夠擴...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及納米光子高光譜成像。提供了圖像傳感器像素及其構建方法。該圖像傳感器像素包括第一光電探測器、第二光電探測器、第一光譜路由器和第二光譜路由器。該第一光譜路由器定位在該第一光電探測器和該第二光電探測器上方。該第一光譜路由器被配置為將第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供電梯的層站地坎裝置，其在水從層站侵入地坎槽時堵塞地坎槽的貫通孔。具備層站地坎(6)和堵塞部件(12)，層站地坎(6)構成將井道(1)和層站(2)連接起來的層站出入口(4)的高度的下部，并且設置有地坎槽(6c)和貫通孔(6d)，地坎...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N單元式平板幕墻建模方法、存儲介質和計算機設備，方法應用于三維建模平臺，包括：將多重曲面作為幕墻基面；幕墻基面的頂邊高度平齊、底邊高度平齊；通過三維建模平臺的可視化編程模塊輸入建模參數(shù)，根據(jù)幕墻基面、建模參數(shù)的層間橫板厚度、分板...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例涉及用于自動放置約束生成、適配器插入過程以及局部和全局擁塞捕獲的設計工具。公開了自動生成用于放置網(wǎng)絡元件的約束的工具，該工具可以被遵循該約束的后端工具理解。該工具還將放置約束在給定范圍內，導致后端工具更快的運行時間。此外，該工具...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種電池模塊，所述電池模塊包括：電芯疊層，該電芯疊層包括多個電池電芯；模塊殼體，該模塊殼體被配置為容納所述電芯疊層并且在所述模塊殼體的一側具有至少一個排氣孔，從電池電芯排放的排放氣體通過該至少一個排氣孔被排放；頂蓋，該頂蓋聯(lián)接到所...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種甲氧基萘類熒光化合物在同時觀測pH和黏度中的應用。本發(fā)明所述熒光化合物能夠同時檢測溶液和細胞內pH和黏度變化。將其作為熒光探針使用時，相較于現(xiàn)有的單獨檢測探針，可以用一個探針代替兩個探針來解決相同的問題，這不僅可以降低成本，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種苯并吲哚類熒光化合物在同時觀測pH和黏度中的應用。本發(fā)明熒光化合物能夠同時檢測溶液和細胞內pH和黏度變化。將其作為熒光探針使用時，相較于現(xiàn)有的單獨檢測探針，可以用一個探針代替兩個探針來解決相同的問題，這不僅可以降低成本，同時...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基于模型預測控制算法的四電平飛跨電容變換器（4L?SFC），上述變換器定義了一個單目標代價函數(shù)來控制輸出電流，電容電壓平衡是通過重構4L?SFC逆變器所選擇的相位電壓電平來實現(xiàn)的。本發(fā)明通過重構4L?SFC變換器所選擇的相位電...
								
            
							
            
							
						
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								      本揭示內容提供一種半導體裝置。半導體裝置包括基板、電子保險絲及開關晶體管。電子保險絲在基板上。開關晶體管在基板上及電子保險絲旁邊。電子保險絲下方的基板的第一摻雜區(qū)域具有第一導電類型，開關晶體管下方的基板的第二摻雜區(qū)域具有第二導電類型，以及第...
								
            
							
            
							
						
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