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          • 本申請(qǐng)涉及一種帶有護(hù)筒結(jié)構(gòu)的橋梁灌注樁施工結(jié)構(gòu)及施工方法,屬于鉆孔灌注樁施工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,其包括筒體和導(dǎo)向件,所述筒體包括主體和連接環(huán),所述連接環(huán)設(shè)于主體的兩端,所述導(dǎo)向件包括導(dǎo)向環(huán)和若干導(dǎo)向桿,若干導(dǎo)向桿沿導(dǎo)向環(huán)的環(huán)向均勻布設(shè),若干所述導(dǎo)...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種印刷抗靜電型聚酯離型膜及其制備方法,所述離型膜由PET基膜以及與PET基膜牢固結(jié)合的離型劑層構(gòu)成,所述PET基膜由添加有復(fù)合添加劑的PET顆粒共混熔融擠出后拉伸而成,離型劑層由離型劑固化而成;其中,所述復(fù)合添加劑由聚乙烯吡咯...
          • 本發(fā)明提供一種負(fù)極片、電池、電池組及用電設(shè)備,所述負(fù)極片包括負(fù)極集流體、以及位于所述負(fù)極集流體的至少一側(cè)表面的負(fù)極涂層,所述負(fù)極涂層包括非包覆型石墨,且所述負(fù)極涂層中的所述非包覆型石墨的OI值為0.06~2。本發(fā)明能夠降低電池阻抗,提高電池...
          • 本公開(kāi)的一些實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述半導(dǎo)體器件包括:第一半導(dǎo)體芯片,所述第一半導(dǎo)體芯片包括第一接合焊盤(pán)以及一個(gè)或更多個(gè)第一虛設(shè)圖案;以及第二半導(dǎo)體芯片,所述第二半導(dǎo)體芯片位于所述第一半導(dǎo)體芯片上,包括第二接合焊盤(pán)和以及一個(gè)或更...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種物理通道映射關(guān)系的配置方法、存儲(chǔ)介質(zhì)、電子裝置和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,該方法包括:獲取多個(gè)控制器的對(duì)應(yīng)的物理通道信息;其中,物理通道信息包括預(yù)設(shè)的特定通道和最大使用場(chǎng)景下的多個(gè)控制器的每個(gè)控制器所使用的物理通道;確定目標(biāo)控制...
          • 本申請(qǐng)內(nèi)容揭露一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含第一芯片、第二芯片、第一接合層及電源管理晶粒。第一芯片中具有第一3D電容器結(jié)構(gòu)。第二芯片中具有第二3D電容器結(jié)構(gòu)。第一接合層將第一芯片與第二芯片接合。電源管理晶粒與第二芯...
          • 本發(fā)明提供了反義寡核苷酸(ASO),反義寡核苷酸與CREPT基因序列互補(bǔ),且能有效抑制CREPT的表達(dá),反義寡核苷酸選自具有如SEQ ID No.1~3任一所示的核苷酸序列的反義寡核苷酸。該反義寡核苷酸(ASO)能高效且特異性靶向CREPT...
          • 本發(fā)明揭示了一種耐沖擊耐腐蝕異氰酸酯/硅酸鹽涂層及其制備方法,涂層包括以下重量份數(shù)的各組分:異氰酸酯樹(shù)脂30?90份,硅酸鹽10?50份,硅烷偶聯(lián)劑0.5?1份,有機(jī)酯0.5?1份,消泡劑0.5?1份,增稠劑0.5?1份,分散劑0.5?1份...
          • 一種樹(shù)脂組成物包含樹(shù)脂組分、交聯(lián)劑、無(wú)機(jī)填充材、分散劑及翹曲抑制劑。樹(shù)脂組分包括液態(tài)熱固性樹(shù)脂、固態(tài)熱固性樹(shù)脂及熱塑性樹(shù)脂。翹曲抑制劑包括聚硅氧烷類(lèi)化合物及磷腈類(lèi)化合物中至少一者,以樹(shù)脂組成物的總量為100wt%計(jì),翹曲抑制劑的含量范圍為1...
          • 本發(fā)明涉及:圓柱形電池,該圓柱形電池包括接納電極組件的圓柱形罐,安裝在圓柱形罐的開(kāi)口部分上的蓋組件,以及插置在圓柱形罐與蓋組件之間的襯墊,其中,圓柱形罐在其上部部分處設(shè)置有壓接部分,該壓接部分包裹襯墊的外周緣,在該壓接部分的末端處設(shè)置有進(jìn)一...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N紅土鎳礦高壓浸出礦漿濃度調(diào)控系統(tǒng)及方法,屬于冶金技術(shù)領(lǐng)域,該系統(tǒng)包括:濃密機(jī)、高壓反應(yīng)釜、循環(huán)浸出槽和自動(dòng)調(diào)控裝置;濃密機(jī)的底流與高壓反應(yīng)釜的進(jìn)料端連接,高壓反應(yīng)釜的出料端與循環(huán)浸出槽連接;自動(dòng)調(diào)控裝置,用于獲取循環(huán)浸出槽內(nèi)的...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種紅土鎳礦洗礦線(xiàn)的均勻出料控制系統(tǒng)及方法,紅土鎳礦洗礦線(xiàn)的均勻出料控制系統(tǒng)包括:電流信號(hào)采集模塊、判斷模塊以及給料速度控制模塊,所述電流信號(hào)采集模塊用于連接皮帶機(jī)的電機(jī),以獲得皮帶機(jī)的電機(jī)電流值;所述判斷模塊用于判斷皮帶機(jī)的電...
          • 本發(fā)明提供一種數(shù)字混音器,能夠在數(shù)字混音器中包含AFV功能在內(nèi)對(duì)來(lái)自一個(gè)外部控制端子的輸入設(shè)定多個(gè)功能或動(dòng)作,支援用戶(hù)設(shè)定多個(gè)功能或動(dòng)作。在由操作件(18)設(shè)定為外部控制端子的設(shè)定模式的情況下,數(shù)字混音器(10)的處理器(20)在顯示器(2...
          • 本發(fā)明提出了一種基于多尺度時(shí)空學(xué)習(xí)和自適應(yīng)選擇神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的心律失常分類(lèi)方法。針對(duì)心電信號(hào)具有各種尺度不同的復(fù)雜波段信息,在時(shí)序上病變具有短暫性、間歇性的特點(diǎn),在空間上不同的通道中包含著不同病變信息的問(wèn)題,在發(fā)明中我們引入了多尺度的思想來(lái)提取復(fù)...
          • 提供一種硅樹(shù)脂墊,該硅樹(shù)脂墊為通過(guò)固化包含二甲基硅氧烷和甲基乙烯基硅氧烷的液態(tài)硅樹(shù)脂而制造的硅樹(shù)脂墊,其特征在于,固化后所述硅樹(shù)脂墊的伸長(zhǎng)率(%)具有400至500的范圍,壓縮永久變形率(%)為0.5至0.6,所述硅樹(shù)脂墊的重均分子量(g/...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了多級(jí)螺旋纏結(jié)互鎖壓電傳感彈力紗線(xiàn),以氨綸為彈性基體紗芯,將鍍銀長(zhǎng)絲螺旋包覆在氨綸外作為電極,同時(shí)靜電紡絲PVDF納米纖維和靜電噴霧ZnO顆粒包覆在鍍銀長(zhǎng)絲外層形成壓電層,所得紗線(xiàn)具有螺旋結(jié)構(gòu)、芯殼結(jié)構(gòu)和纏結(jié)互鎖結(jié)構(gòu),具有高彈力和...
          • 本發(fā)明涉及一種(2S,6S)?2,6?二甲基?1?哌嗪羧酸叔丁酯的制備方法。具體地,本發(fā)明公開(kāi)了一種采用價(jià)格便宜的L?蘇氨酸為原料制備(2S,6S)?2,6?二甲基?1?哌嗪羧酸叔丁酯的方法,該方法操作簡(jiǎn)單,原料易得,反應(yīng)收率高,純度好,易...
          • 根據(jù)本發(fā)明的袋型二次電池包括:電極組件:電極組件;外部材料,外部材料包括用于容納電極組件的容納部分以及平臺(tái)部分,平臺(tái)部分沿著容納部分的周緣形成并且具有使寬度的一部分密封的密封部分;電極引線(xiàn),電極引線(xiàn)電連接至電極組件并且突出至外部材料的外部;...
          • 一種半導(dǎo)體器件包括:下導(dǎo)電線(xiàn),在基板上并在平行于基板的上表面的第一方向上彼此間隔開(kāi);以及通路結(jié)構(gòu),在下導(dǎo)電線(xiàn)上并電連接到下導(dǎo)電線(xiàn)當(dāng)中的至少兩條對(duì)應(yīng)的下導(dǎo)電線(xiàn)。通路結(jié)構(gòu)包括在第一方向上延伸并電連接到所述至少兩條對(duì)應(yīng)的下導(dǎo)電線(xiàn)的通路接觸以及在通...
          • 本申請(qǐng)涉及一種鋼管沉樁整體式導(dǎo)向架,屬于橋梁施工工程領(lǐng)域,其包括基礎(chǔ)主架,所述基礎(chǔ)主架中部開(kāi)設(shè)有供鋼樁體穿過(guò)的豎直通道,所述基礎(chǔ)主架轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置有多個(gè)接觸輪,所述接觸輪的轉(zhuǎn)動(dòng)軸線(xiàn)和豎直通道的長(zhǎng)度方向垂直,所述接觸輪的輪面和鋼樁體側(cè)壁接觸。本申請(qǐng)...
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