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          • 本申請涉及一種負極極片及其制備方法、電池、用電設(shè)備。一種負極極片,負極極片包括:負極集流體以及鋰金屬層。負極集流體具有第一表面和相對的第二表面;鋰金屬層負載在負極集流體的第一表面和第二表面。上述技術(shù)方案,在負極集流體的表面負載鋰金屬作為負極...
          • 本發(fā)明提供了一種復(fù)合正極片及其制備方法、鈉離子電池,涉及電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的復(fù)合正極片,包括集流體和涂布于集流體上的正極活性物質(zhì)層;正極活性物質(zhì)層包括正極主材、導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑正極主材包括復(fù)合磷酸鐵鈉和O3相層狀氧化物;復(fù)合磷酸鐵鈉和O...
          • 本申請公開了一種工藝監(jiān)測系統(tǒng),屬于芯片工藝監(jiān)測領(lǐng)域。本申請?zhí)峁┑墓に嚤O(jiān)測系統(tǒng)包括:設(shè)置在芯片的目標區(qū)域的工藝監(jiān)測單元,包括基本單元為與非門電路的第一環(huán)形振蕩器,以及基本單元為或非門電路的第二環(huán)形振蕩器;與第一環(huán)形振蕩器和第二環(huán)形振蕩器的輸出...
          • 本申請公開了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲系統(tǒng)。該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括:基板;半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu),包括多個沿第一方向依次堆疊于所述基板一側(cè)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);以及熱管結(jié)構(gòu),其至少一部分位于最靠近所述基板的所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中,至少另外一部分沿所述第一...
          • 本申請?zhí)峁┮环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備,涉及封裝技術(shù)領(lǐng)域,能夠解決因連接器的設(shè)置而導(dǎo)致轉(zhuǎn)接板的面積增大的問題。該芯片封裝結(jié)構(gòu)包括轉(zhuǎn)接板、至少一個第一芯片、至少一個第二芯片、支撐結(jié)構(gòu)、連接器。第一芯片設(shè)置在轉(zhuǎn)接板的正面、并與轉(zhuǎn)接板電連接。第二芯...
          • 一種將微導(dǎo)電柱體置入微孔的方法,其包括:提供基板,基板具有多個微孔,微孔的深度與孔徑的比例范圍為0.5至12。置放多個微導(dǎo)電柱體于多個微孔的上方,每一微導(dǎo)電柱體具有磁性。提供磁力于基板的下方,每一微導(dǎo)電柱體朝向基板的方向受磁力吸引。以水平方...
          • 本申請公開了一種工藝腔室及半導(dǎo)體設(shè)備,屬于半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域。所公開的半導(dǎo)體設(shè)備包括工藝腔室,工藝腔室包括腔室本體以及設(shè)于腔室本體內(nèi)的安裝件、加熱燈和基座;其中,安裝件與腔室本體的內(nèi)壁相連,加熱燈通過安裝件固定于腔室本體內(nèi)、并與安裝件活動連...
          • 本發(fā)明提供了一種下電極組件及等離子體處理裝置,其中所述下電極組件包括:靜電卡盤,用于在等離子體處理裝置的反應(yīng)腔中支撐待處理基片;若干個氣體傳輸通道,其貫穿所述靜電卡盤設(shè)置;每個所述氣體傳輸通道包括相互連通的第一通氣孔、第二通氣孔和第一安裝槽...
          • 本發(fā)明公開了CVD金剛石晶格尺寸預(yù)測方法、裝置、設(shè)備和存儲介質(zhì),所述方法包括步驟:取包含有多種已知晶格尺寸大小的CVD金剛石的信息數(shù)據(jù),并根據(jù)信息數(shù)據(jù)生成紫外拉曼光譜數(shù)據(jù)庫;以信息數(shù)據(jù)為訓(xùn)練數(shù)據(jù),通過卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進行訓(xùn)練,以獲取紫外拉曼光譜...
          • 一種分子結(jié)構(gòu)生成模型的訓(xùn)練方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì),涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:獲取第一訓(xùn)練樣本,第一訓(xùn)練樣本包括第一加噪點云;通過分子結(jié)構(gòu)生成模型對第一加噪點云去噪,得到第一去噪點云;基于第一去噪點云中的各個原子的位置,確定分子結(jié)...
          • 本申請公開了一種存儲器的操作方法、存儲器、存儲系統(tǒng)及電子系統(tǒng)。該方法包括:獲取數(shù)據(jù)輸出命令;響應(yīng)于數(shù)據(jù)輸出命令,利用多個存儲面各自對應(yīng)的電荷泵單元將多個存儲面各自對應(yīng)的全部字線上的電壓提升至導(dǎo)通電壓,以完成多個存儲面的預(yù)充電;其中,數(shù)據(jù)輸出...
          • 本申請公開了一種語音去噪方法、裝置、計算機設(shè)備、可讀存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品。本申請可以獲取樣本語音信號對,語音信號樣本對包括含噪語音信號和無噪語音信號;對樣本語音信號對進行時頻轉(zhuǎn)換,得到樣本頻域特征;通過噪聲識別模型對樣本頻域特征進行噪聲識別,...
          • 本申請公開一種語音降噪方法及相關(guān)裝置,應(yīng)用于人工智能等場景。方法包括:在提取目標帶噪語音在預(yù)設(shè)尺度下的多個預(yù)設(shè)語音幀對應(yīng)的多個預(yù)設(shè)時頻特征的基礎(chǔ)上;按照小于預(yù)設(shè)尺度、不同尺度的多個目標尺度分幀每個預(yù)設(shè)語音幀,得到每個預(yù)設(shè)語音幀在多個目標尺度...
          • 本說明書公開了一種特征構(gòu)建方法、裝置、存儲介質(zhì)及電子設(shè)備,其中方法包括:獲取文本數(shù)據(jù)的音素序列和音素序列對應(yīng)的參考時長特征,將音素序列輸入至聲學(xué)模型,得到音素序列對應(yīng)的預(yù)測時長特征和第一預(yù)測聲學(xué)特征,在預(yù)測時長特征中獲取預(yù)測時長特征片段,在...
          • 本說明書公開了一種音素與字母的對齊方法、裝置、存儲介質(zhì)及電子設(shè)備,其中方法包括:獲取待對齊的目標輸入序列,將目標輸入序列輸入至預(yù)先訓(xùn)練好的音素與字母對齊模型中,基于音素與字母對齊模型對輸入序列進行分步預(yù)測處理,得到各分步的預(yù)測字符,基于各分...
          • 本發(fā)明公開了一種顯示面板的驅(qū)動方法及顯示裝置,顯示面板包括多個發(fā)光器件以及與發(fā)光器件對應(yīng)的像素電路,像素電路包括驅(qū)動晶體管,驅(qū)動晶體管和對應(yīng)的發(fā)光器件串聯(lián)連接于第一電源端和第二電源端之間;顯示面板的驅(qū)動方法包括:在預(yù)點亮階段,向各個驅(qū)動晶體...
          • 本發(fā)明公開了一種像素驅(qū)動電路和顯示面板。該像素驅(qū)動電路包括第一驅(qū)動模塊、第二驅(qū)動模塊、發(fā)光模塊和補償模塊;第一驅(qū)動模塊和第二驅(qū)動模塊并連連接后,與發(fā)光模塊連接于第一電源輸入端和第二電源輸入端之間,補償模塊與第一驅(qū)動模塊的控制端連接,第二驅(qū)動...
          • 本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種驅(qū)動裝置和顯示設(shè)備,驅(qū)動裝置包括:發(fā)光控制電路、驅(qū)動電路和閾值電壓補償電路;閾值電壓補償電路與驅(qū)動電路相連接,用于通過輸入的第一調(diào)制信號對從驅(qū)動電路獲取的第一驅(qū)動信號進行補償,得到第二驅(qū)動信號,以及輸出第二...
          • 本發(fā)明涉及工業(yè)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于圖像識別的儀表信息識別方法及裝置。該方法包括以下步驟:首先,通過拍攝設(shè)備將待識別儀表設(shè)備的信息顯示面拍攝成信息框圖;然后,將信息框圖截取為固定尺寸的目標框圖;接著,基于訓(xùn)練圖像集進行儀表信息識別,并輸...
          • 本發(fā)明涉及無人機巡檢技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于油氣場站的無人機智能巡檢系統(tǒng)的巡檢方法、裝置及設(shè)備。該系統(tǒng)利用激光點云技術(shù),在油氣場站建立地球坐標系并對目標區(qū)域進行模型構(gòu)建。通過預(yù)設(shè)的若干巡檢目標制定巡檢計劃,并根據(jù)計劃制定無人機巡檢航線,實...
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