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								      根據本發(fā)明的實施方案的負極活性物質包含硅基活性物質，所述硅基活性物質包含核顆粒以及覆蓋核顆粒的表面的碳涂層。通過熱重分析法測量的硅基活性物質的起始溫度為超過350℃且低于390℃，通過導數熱重分析法測量的硅基活性物質的重量減少率變化值與溫度...
								
            
							
            
							
						
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								      根據本發(fā)明的實施方案的負極活性物質包含硅氧化物顆粒。硅氧化物顆粒的拉曼光譜中測量的500nm?1至530nm?1區(qū)域中的峰強度與450nm?1至490nm?1
							
            
							
						
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								      本申請涉及用于裸片附接參考的獨特裸片圖案化。一種晶片襯底可包含多個個別半導體裸片及沿著所述晶片襯底的邊緣布置的多個不完整裸片。所述個別半導體裸片中的每一個及所述不完整裸片中的每一個可包含接合襯墊陣列。所述不完整裸片的子集中的每一個還可包含可...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及垂直GAN裝置。一種芯片封裝包括：GaN芯片，具有第一側和與第一側相對的第二側。第一側包括芯片焊盤。芯片封裝還包括：引線框架，具有第一主要側和與第一主要側相對的第二主要側。引線框架的第一主要側朝向GaN芯片的第一側，并且被附接到芯...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了半導體器件和制作具有集成無源器件的互連橋的方法。半導體器件具有第一基板。第一半導體管芯和第二半導體管芯被部署在基板上方。互連橋被部署在第一半導體管芯和第二半導體管芯上方。互連橋具有第二基板。導電跡線被形成在第二基板的第一表面上方。導電...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于電子封裝體(110)的包封材料(100)，其中，所述包封材料(100)包括電絕緣基質材料(102)以及所述基質材料(102)中的應力抑制填料顆粒(104)，所述應力抑制填料顆粒(104)具有不大于6ppm/K的熱膨脹系數值以及不大于...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了具有裂紋阻止結構的半導體器件及制造方法，其中，半導體器件(900)包括半導體部(100)，該半導體部(100)包括中心區(qū)域(610)和將中心區(qū)域(610)與側向芯片邊緣(109)分隔開的外圍區(qū)域(690)。在半導體部(100)的水平第...
								
            
							
            
							
						
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								      半導體裝置及制造半導體裝置的方法。在一個實例中，半導體裝置可包含第一介電層，所述第一介電層包括限定通孔的內壁。晶種層可安置在所述第一介電層上方和所述通孔中。第一導體可安置在所述晶種層上方和所述通孔中，且所述第一導體可具有圓柱形幾何形狀。第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種電感組件，包括集成電感和信號組件，所述信號組件包括信號電連接件和屏蔽層；本發(fā)明通過將屏蔽層設置在信號電連接件和集成電感之間，使得信號回路免受功率回路的干擾。另一方面提供一種VRM模塊，包括電感組件、頂部組件和底部組件；所述頂部...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供線圈部件和具備其的通信器件，其目的在于，在具有至少一部分被埋入樹脂層的線圈圖案的線圈部件中，同時實現電特性和物理特性，線圈部件(100)包括包含絕緣性的無機填料(F1～F3)和粘合劑樹脂(R)的樹脂層(130)和至少一部分被埋入樹...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及變壓器組件和跨電感電壓調節(jié)。本文中所討論的組件包括導磁材料的層、第一變壓器繞組對、第二變壓器繞組對和第一導電路徑。第一繞組對包括延伸通過導磁材料的第一初級繞組路徑和第一次級繞組路徑。第二繞組對包括延伸通過導磁材料的第二初級繞組路徑...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種磁線材，其包含合金，該合金含有質量百分比為40%以上且50%以下的Ni，余量為Fe和不可避免的雜質，其中，在線材的沿其軸向方向的橫截面中，軸向方向與<111>方向之間的角度差為10°以下的晶體結構的比例為20%以上。
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種即使施加高頻也兼具高導磁率和低鐵損的優(yōu)異效率的高頻特性優(yōu)異的磁性粉體、及其制造方法。一種含α?Fe相稀土類?鐵?氮系磁性粉體，其為具有隱晶質結構的稀土類?鐵?氮系磁性粉體，所述磁性粉體具有芯區(qū)域、和存在于所述芯區(qū)域外側的含α?Fe相...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種顯示控制裝置、顯示控制方法以及計算機程序產品，能夠抑制在用戶確認多個解析結果的顯示時花費工夫。顯示控制裝置具備：設定部，設定將針對放射線圖像的多個解析結果顯示到顯示部的顯示順序；以及控制部，根據所設定的顯示順序，以將多個解析結果分成...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及微電子裝置及相關方法和存儲器裝置。一種微電子裝置包含存儲器陣列結構、在所述存儲器陣列結構之上并附接到其上的額外存儲器陣列結構，及在所述額外存儲器陣列結構之上并附接到其上的控制電路系統(tǒng)結構。所述存儲器陣列結構包含具有存儲器單元的陣列...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請案涉及微電子裝置及相關方法及存儲器裝置。一種微電子裝置包含：存儲器陣列結構；額外存儲器陣列結構，其在存儲器陣列結構之上且附接到存儲器陣列結構；及控制電路系統(tǒng)結構，其在額外存儲器陣列結構之上且附接到額外存儲器陣列結構。存儲器陣列結構包含...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供驅動器和電光裝置。驅動液晶面板的驅動器包含：第1端子～第n端子，它們的各端子與液晶面板的區(qū)段電極電連接；以及第1區(qū)段驅動電路～第n區(qū)段驅動電路，它們對第1端子～第n端子輸出靜態(tài)驅動或占空比驅動的驅動信號。第1區(qū)段驅動電路～第n區(qū)段...
								
            
							
            
							
						
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								      一些實施方案涉及一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示表面和單色圖像生成器。所述生成器可設計成結合主光源和半穿透半反射式空間光調制器來產生用于顯示的單色視覺信息。所述顯示裝置可包括空間可尋址背光生成器，所述空間可尋址背光生成器配置成對所述半穿透...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種顯示裝置。該顯示裝置包括顯示面板，該顯示面板包括有源區(qū)域和非有源區(qū)域。在有源區(qū)域中設置有多個柵極線、多個數據線和多個單位像素。該顯示裝置還包括：數據驅動電路，該數據驅動電路連接至多個數據線；以及一個或更多個數據鏈接線，所述一個或更...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種顯示裝置，包括：載體板(2)，該載體板(2)有布置于其上的一個或多個電子部件(3)；用于顯示器(13)的載體(4)；顯示器(13)，該顯示器(13)布置在載體(4)上；以及蓋(16)，該蓋(16)至少在覆蓋所述顯示器(13)的...
								
            
							
            
							
						
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