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          • 本申請(qǐng)涉及電池技術(shù)領(lǐng)域,提供一種電池包系統(tǒng)及其檢測(cè)方法和控制方法、電池管理裝置、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及用電設(shè)備,電池包系統(tǒng)至少包括電池包以及冷卻裝置;電池包適于在電池包內(nèi)的氣壓值大于預(yù)設(shè)氣壓閾值時(shí)為冷卻裝置供電或進(jìn)行熱失控預(yù)警,冷卻裝置用于為...
          • 本發(fā)明提供一種即使在投影值更小的范圍內(nèi)也能夠提高投影值的校正精度的PCCT裝置及其控制方法。一種PCCT裝置,其具備:掃描器,使向受檢體照射X射線的X射線源和按多個(gè)能量區(qū)間的每一個(gè)檢測(cè)透射了所述受檢體的X射線的光子計(jì)數(shù)型檢測(cè)器在所述受檢體的...
          • 本發(fā)明涉及阻氫材料技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了環(huán)氧樹(shù)脂基阻氫涂料及其制備方法和應(yīng)用、阻氫涂層及其制備方法。該方法包括:(1)將含有羧甲基殼聚糖的混合液和含有氧化石墨烯的分散液進(jìn)行混合反應(yīng)Ⅰ,得到改性氧化石墨烯;(2)將所述改性氧化石墨烯和水性環(huán)氧樹(shù)脂、...
          • 本發(fā)明屬于基因工程技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及白花泡桐PfD27基因啟動(dòng)子及其核心區(qū)的鑒定與應(yīng)用,啟動(dòng)子的核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示。本發(fā)明基于熒光素酶報(bào)告基因,分析白花泡桐PfD27基因的啟動(dòng)子及其核心區(qū),為研究白花泡桐PfD27基因轉(zhuǎn)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N低噪音的出風(fēng)件,包括:外殼,后側(cè)設(shè)有進(jìn)風(fēng)口,前側(cè)設(shè)有出風(fēng)口,所述外殼內(nèi)設(shè)有筒體;電機(jī)組件,固定收容于所述筒體;風(fēng)扇組件,固定于所述筒體和所述電機(jī)組件,且至少部分收容于所述筒體內(nèi);吸音組件,收容于所述外殼內(nèi);其中,所述吸音組件設(shè)...
          • 本發(fā)明屬于火力發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了煤粉鍋爐焦粉摻燒系統(tǒng),包括:焦粉倉(cāng),所述焦粉倉(cāng)頂端固定安裝有倉(cāng)頂除塵器,所述焦粉倉(cāng)頂端位于倉(cāng)頂除塵器外側(cè)固定安裝有倉(cāng)頂安全閥,所述焦粉倉(cāng)底端邊部固定安裝有星型卸料器,所述星型卸料器一側(cè)嵌入安裝有傳感器,所述...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種事務(wù)的處理方法、存儲(chǔ)介質(zhì)、電子裝置及產(chǎn)品,該方法包括:對(duì)接收的事務(wù)請(qǐng)求進(jìn)行解析,確定事務(wù)請(qǐng)求的類(lèi)型和優(yōu)先級(jí),在存在未被使用的一致性隊(duì)列的資源的情況下,根據(jù)事務(wù)請(qǐng)求的類(lèi)型和優(yōu)先級(jí)調(diào)度事務(wù)進(jìn)入對(duì)應(yīng)的處理流程;對(duì)事務(wù)進(jìn)入對(duì)應(yīng)...
          • 本發(fā)明涉及一種用于安裝到工程機(jī)械處的轉(zhuǎn)動(dòng)和/或擺動(dòng)裝置,轉(zhuǎn)動(dòng)和/或擺動(dòng)裝置包括聯(lián)接件(1)和以能活動(dòng)的方式布置在聯(lián)接件(1)處的用于工具的支架(6)或用于聯(lián)接工具或附加裝置的快速更換器(8),其中,支架(6)以能電動(dòng)地通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置(8)...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種基于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的約束多航天器微分圖形博弈控制方法、裝置、介質(zhì)和設(shè)備,通過(guò)耦合協(xié)同博弈哈密爾頓?雅克比HJ方程構(gòu)建;參數(shù)化代數(shù)黎卡提方程構(gòu)建;基于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的反饋增益求解;約束多航天器自適應(yīng)最優(yōu)編隊(duì)跟蹤控制策略設(shè)計(jì),本申請(qǐng)基于數(shù)據(jù)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N正極片、電池和用電設(shè)備。涉及電池技術(shù)領(lǐng)域。正極片包括集流體、導(dǎo)電涂層、第一補(bǔ)鋰層、活性材料層和第二補(bǔ)鋰層。第一補(bǔ)鋰層設(shè)置于集流體厚度方向的至少一側(cè)。活性材料層設(shè)置于第一補(bǔ)鋰層背離集流體方向的一側(cè)。第二補(bǔ)鋰層設(shè)置于活性材料層背...
          • 一種MOS晶體管的制造方法,其具備:在將SiC基板加熱至1200℃以上的溫度的狀態(tài)下通過(guò)氫氣對(duì)所述SiC基板的表面進(jìn)行蝕刻的工序;在實(shí)施了采用氫氣的所述蝕刻后在所述SiC基板的所述表面上形成無(wú)定形硅層的工序;通過(guò)化學(xué)氣相沉積法在所述無(wú)定形硅...
          • 本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體器件。一種保護(hù)單元具有由多個(gè)第一MISFET構(gòu)成的第一MISFET組和由多個(gè)第二MISFET構(gòu)成的第二MISFET組。第一MISFET組和第二MISFET組彼此分開(kāi)設(shè)置。第一MISFET組電連接到第一電源布線組和第一接地布線...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了容器化環(huán)境中用于透明快照數(shù)據(jù)保護(hù)的存儲(chǔ)無(wú)關(guān)數(shù)據(jù)路徑攔截。被配置為執(zhí)行諸如數(shù)據(jù)保護(hù)操作之類(lèi)的操作的保護(hù)容器被封裝為設(shè)備接口。作為操作對(duì)象的主應(yīng)用程序的配置被改變?yōu)橹赶虮Wo(hù)容器的設(shè)備接口。這允許保護(hù)容器位于主容器和所分配的存儲(chǔ)器之間...
          • 本公開(kāi)涉及一種車(chē)門(mén)控制裝置。多個(gè)檢測(cè)區(qū)域被布置在車(chē)廂中包括門(mén)口和與門(mén)口相鄰的部分的范圍內(nèi)。當(dāng)檢測(cè)單元檢測(cè)到在多個(gè)檢測(cè)區(qū)域中的最靠近門(mén)口的特定檢測(cè)區(qū)域中存在乘員時(shí),控制單元執(zhí)行防止乘員與門(mén)之間的接觸的接觸防止控制,使得門(mén)的打開(kāi)和關(guān)閉速度低于當(dāng)...
          • 本發(fā)明提供一種開(kāi)關(guān)式支撐機(jī)構(gòu),適用于雙層光罩容器的內(nèi)盒基座。開(kāi)關(guān)式支撐機(jī)構(gòu)與內(nèi)盒基座之間建立一靜電消散導(dǎo)通路徑的開(kāi)關(guān),當(dāng)開(kāi)關(guān)式支撐機(jī)構(gòu)的支撐件受到光罩下壓并接觸到內(nèi)盒基座的瞬間,即開(kāi)啟靜電消散導(dǎo)通路徑,使光罩正面所累積靜電荷進(jìn)行導(dǎo)通消散。反...
          • 本發(fā)明涉及在數(shù)據(jù)保護(hù)期間使用更改塊列表構(gòu)建潛在受感染文件列表。一個(gè)示例方法包括:創(chuàng)建或訪問(wèn)目錄文件列表,所述目錄文件列表包括文件列表,并且對(duì)于每個(gè)文件,還包括所述文件的相應(yīng)塊列表;識(shí)別自所述文件的先前備份以來(lái)任何已更改的塊;將所述目錄文件列...
          • 提供了輸出控制電路、柵極發(fā)射驅(qū)動(dòng)器、顯示裝置和電子設(shè)備。輸出控制電路可包括配置為將發(fā)射信號(hào)轉(zhuǎn)換為反相發(fā)射信號(hào)的反相器電路和配置為基于使能信號(hào)、發(fā)射信號(hào)和反相發(fā)射信號(hào)來(lái)生成輸出控制信號(hào)的輸出確定電路。
          • 提供了顯示設(shè)備。顯示設(shè)備包括:顯示面板,該顯示面板包括像素;以及顯示面板驅(qū)動(dòng)器,該顯示面板驅(qū)動(dòng)器在活動(dòng)時(shí)段中通過(guò)數(shù)據(jù)線將活動(dòng)數(shù)據(jù)電壓提供到像素,并且在消隱時(shí)段中將消隱數(shù)據(jù)電壓施加到數(shù)據(jù)線,像素包括:發(fā)光元件;第一晶體管,該第一晶體管將驅(qū)動(dòng)電...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種節(jié)能型MnCr系冷鍛鋼,其含有Fe和不可避免的雜質(zhì),其還含有質(zhì)量百分含量如下的下述各化學(xué)元素:C:0.16~0.19%、Si:0.10~0.30%、Mn:1.0~1.3%、Cr:0.80~1.10%、S:0.01~0.02%...
          • 本申請(qǐng)涉及一種橋梁柱墩鋼板樁圍堰結(jié)構(gòu),屬于橋梁工程的領(lǐng)域,其包括外圍樁板和內(nèi)圍樁板,所述內(nèi)圍樁板位于外圍樁板的內(nèi)側(cè),所述內(nèi)圍樁板和外圍樁板的板面均為豎直方向,所述內(nèi)圍樁板和外圍樁板之間形成有均勻間隙,還包括斜撐樁體,所述斜撐樁體的長(zhǎng)度方向相...
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