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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明涉及三乙酸甘油酯技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種三乙酸甘油酯精制加工反應裝置及其加工方法，該裝置包括精制釜、冷凝器和接收罐，所述精制釜通過蒸餾管和冷凝器連通，所述冷凝器通過餾分導料管和接收罐連通，所述精制釜的外側(cè)套設裝配有導熱套，所述導熱套底部一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種與稻米品質(zhì)相關(guān)的蛋白及其生物材料的應用，屬于水稻育種、分子生物學以及基因工程技術(shù)領(lǐng)域。前述蛋白為OsMYB99。本發(fā)明通過實驗證明，與野生型植株的水稻籽粒相比，將基因OsMYB99敲除得到的突變體osmyb99a和osmyb...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及市政管道施工工程技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種高效管道地下埋設施工系統(tǒng)及其施工方法，解決了目前地下管道埋設工作效率低的技術(shù)問題，施工系統(tǒng)由以下兩部分構(gòu)成：溝槽支護單元和牽引單元，溝槽防護單元包括左支護側(cè)板、右支護側(cè)板和底部支撐板；牽引單元...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及半導體柵極結(jié)構(gòu)及其形成方法。一種方法包括：在第一溝道區(qū)域上沉積柵極電介質(zhì)層；在柵極電介質(zhì)層上沉積p型功函數(shù)調(diào)整層；將p型功函數(shù)調(diào)整層暴露于硅基前體一段時間；以及在p型功函數(shù)調(diào)整層上沉積n型功函數(shù)調(diào)整層。將p型功函數(shù)調(diào)整層暴露于硅基...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種電極生產(chǎn)裝置、包括由該電極生產(chǎn)裝置生產(chǎn)的電極的電池電芯、以及包括電池電芯的電池組和車輛。根據(jù)本發(fā)明的實施方式的電極生產(chǎn)裝置是用于通過輸送其上形成有涂層的涂覆部分和無涂層的未涂覆部分的電極箔來生產(chǎn)電極的電極生產(chǎn)裝置，所述電極生產(chǎn)裝置...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種負極以及包括該負極的鋰離子二次電池，所述負極包含集電體和活性材料層，其中，所述活性材料層包含碳材料顆粒和金屬硫化物顆粒，所述金屬硫化物包含選自由Ag2S、MnS和GeS組成的組中的至少一種。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種提高腈水解酶熱穩(wěn)定性的定向進化方法，屬于酶工程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明熱穩(wěn)定性提高的祖先酶通過以下方法得到：收集腈水解酶的序列進行進化樹分析獲得進化景觀，結(jié)合祖先酶重構(gòu)算法獲得祖先酶的氨基酸序列，構(gòu)建祖先酶一級結(jié)構(gòu)序列文庫；隨后對所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種芯粒、芯粒的測試方法、芯片、計算機程序產(chǎn)品，涉及半導體可測性設計的技術(shù)領(lǐng)域，其中，該芯粒包括通道切換模塊；其中，所述通道切換模塊包括：至少一個輸入接口，用于接收多個測試數(shù)據(jù)；至少一個輸出接口，用于與所述輸入接口形成至少...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種散熱結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的一方面的散熱結(jié)構(gòu)，包括：印刷電路板，在一表面上設置有具有規(guī)定面積的散熱墊；發(fā)熱元件，通過結(jié)合部結(jié)合在所述散熱墊上且具有與所述散熱墊相鄰配置的一表面和與所述一表面相對的另一表面；散熱器，具有與所述發(fā)熱元件的另一表...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實施例提供了一種芯片powermap溫度分布的測量方法及測量裝置，其中，該方法包括：確定黑體輻射量和溫度的對應關(guān)系；采集芯片在多個不同第二溫度下各像素點的第一輻射量；對于各像素點中的每個像素點，確定該像素點的第一發(fā)射率；根據(jù)每個像素點...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基于結(jié)構(gòu)參數(shù)修正和疲勞仿真分析的車燈開發(fā)方法。該方法包括燈具結(jié)構(gòu)參數(shù)修正和燈具疲勞仿真分析兩部分，其中在燈具結(jié)構(gòu)參數(shù)修正階段包括依次進行的建立目標模態(tài)、模型簡化、設置初始參數(shù)、模態(tài)分析、仿真模態(tài)與目標模態(tài)確認、模態(tài)分析結(jié)果處理...
								
            
							
            
							
						
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								      實施方式提供提高成品率的半導體存儲裝置。實施方式的半導體存儲裝置具備：具有第一區(qū)域、以及從上方觀察時包圍第一區(qū)域的外側(cè)的第二區(qū)域的基板；將設于基板的阱區(qū)域以及從上方觀察時以包圍阱區(qū)域的方式設置的基板的區(qū)域在與基板平行的方向上分離的第一部件；...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的目的在于抑制存儲器設備的面積增加。一個實施方式的存儲器設備具備：第1芯片，包含具有字線及位線的存儲單元陣列；第2芯片，包含第1襯底及設置在第1襯底上的第1電路，與第1芯片相接；第3芯片，包含第2襯底及設置在第2襯底上的第2電路，與第...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種碳罐安裝結(jié)構(gòu)。燃油系統(tǒng)和車輛，所述碳罐安裝結(jié)構(gòu)包括第一支架、第二支架和碳罐，所述第一支架和所述第二支架沿車身的高度方向間隔設在所述車身的輪罩內(nèi)，所述第一支架鄰近所述輪罩的頂部設置，所述第一支架具有第一插接部，所述第二支架位于...
								
            
							
            
							
						
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								      可以利用RAW數(shù)據(jù)檢測地上物體等對象物。學習模型使用教師數(shù)據(jù)進行學習，所述教師數(shù)據(jù)是將基于照射到學習區(qū)域的電磁波被反射的反射電磁波的第一合成孔徑雷達接收信號的特征量作為輸入且將對象物在學習區(qū)域中的第一對象物信息作為輸出的數(shù)據(jù)，使計算機實現(xiàn)以...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種老化測試驗證結(jié)構(gòu)及測試方法，涉及半導體設計的技術(shù)領(lǐng)域，其中，所述老化測試驗證結(jié)構(gòu)包括：至少一層高速板材層，設置有高速鏈路，用于傳輸高速信號；至少一層低速板材層，位于所述高速板材層的一側(cè)，設置有低速鏈路，用于傳輸?shù)退傩盘?..
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例涉及一種設備省電方法、通信設備及通信系統(tǒng)。所述設備省電方法包括：第一設備在第一超時時間內(nèi)未接收到物理層開始接收指示信息，或所述第一設備在第一間隔時間內(nèi)未向所述第二設備發(fā)送第一無線幀，則所述第一設備在第一傳輸時延內(nèi)從第一能力模式切...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種多色光源裝置及其制造方法，多色光源裝置包括基板、發(fā)光框體、多個發(fā)光納米柱及至少一波長轉(zhuǎn)換層。發(fā)光框體配置于基板上，且圍繞出至少一容置空間。這些發(fā)光納米柱配置于基板上，且位于容置空間中，其中發(fā)光框體與這些發(fā)光納米柱為相同發(fā)光顏色...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的實施方式提供降低了由毛刺引起的品質(zhì)降低的風險的半導體元件、半導體裝置以及半導體元件的制造方法。本實施方式的半導體元件具備在正面形成有電路圖案的半導體層、配置于上述半導體層的背面的電極層、覆蓋上述電極層的背面和上述半導體層的側(cè)面以及上...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了儲能裝置的監(jiān)測方法、用電裝置以及儲能裝置，儲能裝置包括殼體、儲能單元組和溫濕度傳感器，儲能單元組和溫濕度傳感器設置于殼體內(nèi)部，監(jiān)測方法包括：通過溫濕度傳感器檢測殼體內(nèi)部的實時溫度和實時濕度。確定與實時濕度相匹配的露點溫度，并比較...
								
            
							
            
							
						
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