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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種足底健康篩查方法，屬于足底篩查技術(shù)領(lǐng)域，先站立在光學(xué)足底鏡上，區(qū)分出腳掌與透明玻璃面的接觸部位與未接觸部位，即采用光學(xué)足底鏡獲取足底印記圖，通過(guò)攝像頭采集足底印記圖上傳至云端；對(duì)采集到的圖像進(jìn)行圖像處理，分割出來(lái)整個(gè)足底區(qū)域...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于孕產(chǎn)婦睡眠監(jiān)測(cè)的iRBD篩查系統(tǒng)及方法，涉及醫(yī)療健康監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，該方法通過(guò)穿戴設(shè)備連續(xù)采集ACC和PPG信號(hào)；將預(yù)處理后的特征輸入預(yù)訓(xùn)練的Transformer模型，實(shí)時(shí)輸出睡眠階段標(biāo)簽，實(shí)時(shí)識(shí)別REM睡眠期；計(jì)算RE...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及醫(yī)療器械技術(shù)領(lǐng)域，內(nèi)窺鏡包括操作部、插入部和彎曲部，其中，操作部包括支撐組件、軸套、第二轉(zhuǎn)軸和第二彈性件，支撐組件設(shè)置有安裝部；軸套固定于安裝部的開(kāi)口處，軸套形成有第一限位部；第二轉(zhuǎn)軸設(shè)有與第一限位部相匹配的第二限位部，第一限位部...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及醫(yī)療器械技術(shù)領(lǐng)域，提供一種電控內(nèi)窺鏡。電控內(nèi)窺鏡包括鏡體、水氣插頭和光電插頭，鏡體的操作部的表面設(shè)有第一光電通信接口和水氣接口；水氣插頭包括連接座和水氣導(dǎo)管，水氣導(dǎo)管連接于連接座的一端，連接座的另一端用于與水氣接口可拆卸連接；光電...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種多規(guī)格煙支輸送及外觀檢測(cè)設(shè)備，包括機(jī)架、煙堆輸送機(jī)構(gòu)、分開(kāi)取煙機(jī)構(gòu)、煙支縱向定位機(jī)構(gòu)、煙支輸送機(jī)構(gòu)、煙支旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)、外觀檢測(cè)組件、剔除機(jī)構(gòu)。所述煙堆輸送機(jī)構(gòu)對(duì)儲(chǔ)煙框內(nèi)的煙堆進(jìn)行輸送，供給分開(kāi)取煙機(jī)構(gòu)煙支。所述分開(kāi)取煙機(jī)構(gòu)通過(guò)取煙...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種ZJ17型卷煙機(jī)飛煙檢測(cè)系統(tǒng)及方法，該系統(tǒng)包括：紅外傳感模塊，包括安裝在蜘蛛手旋轉(zhuǎn)路徑上的第一紅外傳感器、接煙輪檢測(cè)區(qū)域的第二紅外傳感器以及吸爪計(jì)數(shù)區(qū)的第三紅外傳感器；信號(hào)處理模塊及電源適配模塊；邏輯控制模塊，控制實(shí)現(xiàn)飛煙檢...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于農(nóng)業(yè)病蟲(chóng)害防治技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種防治軟體動(dòng)物的含磷酸鐵的組合物，包括磷酸鐵和抗壞血酸，磷酸鐵和抗壞血酸的質(zhì)量比為5:1?1:20。上述組合物可用于防治軟體動(dòng)物，所述軟體動(dòng)物選自蝸牛、蛞蝓。本發(fā)明提供的組合物以抗壞血酸為增效劑，能...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種圖像傳感器產(chǎn)品的第一重側(cè)墻制造方法，提供半導(dǎo)體襯底，在襯底上形成有邏輯器件區(qū)域，其包括輸入/輸出器件的N型阱區(qū)與P型阱區(qū)，以及核心器件的N型阱區(qū)與P型阱區(qū)，不同阱區(qū)之間通過(guò)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)進(jìn)行隔離；在襯底上依次形成柵極氧化層和柵...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種改善CMOS圖像傳感器暗電流及可靠性性能的方法，在完成第一介質(zhì)層上已形成金屬互連結(jié)構(gòu)并經(jīng)過(guò)平坦化后的晶圓表面，形成第一SiCN層；在SiCN層上形成第二介質(zhì)層；通過(guò)光刻工藝在第二介質(zhì)層表面形成重分布通孔圖形；執(zhí)行刻蝕工藝形成重...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種EOS防護(hù)器件。包括中心區(qū)域和鄰近區(qū)域。中心區(qū)域含第一、二導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)，僅形成有第二導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s區(qū)，位于兩種阱區(qū)內(nèi)。鄰近區(qū)域含第一、二導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)，兩種阱區(qū)內(nèi)均形成有第一和第二導(dǎo)電類(lèi)型的重?fù)诫s區(qū)。通過(guò)控制鄰近區(qū)域阱間距D2大...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種可控硅整流器靜電保護(hù)器件，包括：第一導(dǎo)電類(lèi)型襯底；第一導(dǎo)電類(lèi)型外延層(PEPI)；以及設(shè)置在PEPI內(nèi)的第一導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)(PW)和第二導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)(NW)。關(guān)鍵在于，器件還包括設(shè)置在PW內(nèi)且至少一部分橫跨PW/PEPI結(jié)區(qū)的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種雙向可控硅整流器器件。該器件為對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，包括中央第一導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)(接第一端)及兩側(cè)的側(cè)翼第一導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)(接第二端)，并設(shè)置有內(nèi)側(cè)和外側(cè)第二導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)。關(guān)鍵在于，在第一導(dǎo)電類(lèi)型阱區(qū)內(nèi)設(shè)置浮空的第一導(dǎo)電類(lèi)型重?fù)诫s區(qū)域，用于提...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種雙極晶體管與場(chǎng)效應(yīng)晶體管的集成方法，在半導(dǎo)體襯底上執(zhí)行雙極晶體管埋層離子注入，之后在襯底上形成外延層并在外延層上形成器件隔離結(jié)構(gòu)；在襯底上執(zhí)行場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件制造工藝；在場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件制造完成后，通過(guò)多步不同能量梯度的離子注...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制備方法，制備方法中，通過(guò)在濕法刻蝕去除低壓器件區(qū)的第二柵氧化層和第一柵氧化層之前，采用LPCVD工藝形成一層致密的第二柵氧化層，致密的第二柵氧化層和第一柵氧化層的組合可以避免在濕法過(guò)刻蝕時(shí)，濕法藥液誤蝕刻襯底進(jìn)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法。該方法包括：提供襯底，依次形成絕緣層和下電極金屬層，并對(duì)下電極金屬層進(jìn)行第一熱退火；在下電極金屬層上形成電介質(zhì)層，并在含氧氣氛下對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行第二熱退火；在電介質(zhì)層上形成上電極金屬層，并對(duì)上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供的一種分柵快閃存儲(chǔ)器及其形成方法，通過(guò)將浮置柵極的一部分置于溝槽內(nèi)，并在其側(cè)旁形成源極線路多晶硅，構(gòu)建了立體的源極?浮置柵極耦合結(jié)構(gòu)。這種設(shè)計(jì)能夠在不犧牲甚至優(yōu)化耦合系數(shù)的前提下，有效減小浮置柵極在平面上的尺寸，從而極大地有利于實(shí)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N閃存器件及其制備方法，在制備方法中，通過(guò)刻蝕淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，使得超出所述襯底表面的所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)在橫向上的關(guān)鍵尺寸進(jìn)一步收縮，接著繼續(xù)向下刻蝕部分淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，以形成第二溝槽，然后在第二溝槽中淀積ONO膜層并填充控制柵層...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種數(shù)據(jù)中心的液冷系統(tǒng)。液冷系統(tǒng)包括機(jī)柜和連接于機(jī)柜的液冷機(jī)構(gòu)；液冷機(jī)構(gòu)包括至少部分安裝在機(jī)柜內(nèi)的一次側(cè)循環(huán)管路、循環(huán)路徑獨(dú)立于一次側(cè)循環(huán)管路的二次側(cè)循環(huán)管路及連接在一次側(cè)循環(huán)管路和二次側(cè)循環(huán)管路上的板換；板換固定于機(jī)柜內(nèi)，用于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種高可靠性半孔槽AI算力卡PCB的制造方法，先進(jìn)行前工序處理，包括基板開(kāi)料等；接著激光鉆孔，控制孔徑公差±12.5um，經(jīng)等離子清洗后填孔電鍍，形成18μm銅層，再減銅；之后外層鉆孔，控制孔位精度±0.075mm，經(jīng)板電鍍銅、外...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)的一種基于大語(yǔ)言模型的粒子加速器系統(tǒng)環(huán)路參數(shù)在線智能調(diào)控方法及裝置，包括：實(shí)時(shí)獲取射頻腔的腔體運(yùn)行數(shù)據(jù)，計(jì)算出當(dāng)前腔體的系統(tǒng)狀態(tài)參數(shù)，并判斷是否滿足調(diào)優(yōu)終止條件，不滿足則繼續(xù)；將系統(tǒng)狀態(tài)參數(shù)以及PI參數(shù)調(diào)優(yōu)目標(biāo)轉(zhuǎn)化為自然語(yǔ)言描述的...
								
            
							
            
							
						
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          技術(shù)分類(lèi)
          
                  
          
                      
                  
          
                
          
            
          
          
          
      
          
    
          
    
    

























































































































































 
 
    







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