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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      一些實(shí)施方案涉及一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示表面和單色圖像生成器。所述生成器可設(shè)計(jì)成結(jié)合主光源和半穿透半反射式空間光調(diào)制器來產(chǎn)生用于顯示的單色視覺信息。所述顯示裝置可包括空間可尋址背光生成器，所述空間可尋址背光生成器配置成對(duì)所述半穿透...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供驅(qū)動(dòng)器和電光裝置。驅(qū)動(dòng)液晶面板的驅(qū)動(dòng)器包含：第1端子～第n端子，它們的各端子與液晶面板的區(qū)段電極電連接；以及第1區(qū)段驅(qū)動(dòng)電路～第n區(qū)段驅(qū)動(dòng)電路，它們對(duì)第1端子～第n端子輸出靜態(tài)驅(qū)動(dòng)或占空比驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。第1區(qū)段驅(qū)動(dòng)電路～第n區(qū)段...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)案涉及微電子裝置及相關(guān)方法及存儲(chǔ)器裝置。一種微電子裝置包含：存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)；額外存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)，其在存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)之上且附接到存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)；及控制電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，其在額外存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)之上且附接到額外存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)包含...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及微電子裝置及相關(guān)方法和存儲(chǔ)器裝置。一種微電子裝置包含存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)、在所述存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)之上并附接到其上的額外存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)，及在所述額外存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)之上并附接到其上的控制電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。所述存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)包含具有存儲(chǔ)器單元的陣列...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種顯示控制裝置、顯示控制方法以及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，能夠抑制在用戶確認(rèn)多個(gè)解析結(jié)果的顯示時(shí)花費(fèi)工夫。顯示控制裝置具備：設(shè)定部，設(shè)定將針對(duì)放射線圖像的多個(gè)解析結(jié)果顯示到顯示部的顯示順序；以及控制部，根據(jù)所設(shè)定的顯示順序，以將多個(gè)解析結(jié)果分成...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種即使施加高頻也兼具高導(dǎo)磁率和低鐵損的優(yōu)異效率的高頻特性優(yōu)異的磁性粉體、及其制造方法。一種含α?Fe相稀土類?鐵?氮系磁性粉體，其為具有隱晶質(zhì)結(jié)構(gòu)的稀土類?鐵?氮系磁性粉體，所述磁性粉體具有芯區(qū)域、和存在于所述芯區(qū)域外側(cè)的含α?Fe相...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種磁線材，其包含合金，該合金含有質(zhì)量百分比為40%以上且50%以下的Ni，余量為Fe和不可避免的雜質(zhì)，其中，在線材的沿其軸向方向的橫截面中，軸向方向與<111>方向之間的角度差為10°以下的晶體結(jié)構(gòu)的比例為20%以上。
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及變壓器組件和跨電感電壓調(diào)節(jié)。本文中所討論的組件包括導(dǎo)磁材料的層、第一變壓器繞組對(duì)、第二變壓器繞組對(duì)和第一導(dǎo)電路徑。第一繞組對(duì)包括延伸通過導(dǎo)磁材料的第一初級(jí)繞組路徑和第一次級(jí)繞組路徑。第二繞組對(duì)包括延伸通過導(dǎo)磁材料的第二初級(jí)繞組路徑...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供線圈部件和具備其的通信器件，其目的在于，在具有至少一部分被埋入樹脂層的線圈圖案的線圈部件中，同時(shí)實(shí)現(xiàn)電特性和物理特性，線圈部件(100)包括包含絕緣性的無機(jī)填料(F1～F3)和粘合劑樹脂(R)的樹脂層(130)和至少一部分被埋入樹...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種電感組件，包括集成電感和信號(hào)組件，所述信號(hào)組件包括信號(hào)電連接件和屏蔽層；本發(fā)明通過將屏蔽層設(shè)置在信號(hào)電連接件和集成電感之間，使得信號(hào)回路免受功率回路的干擾。另一方面提供一種VRM模塊，包括電感組件、頂部組件和底部組件；所述頂部...
								
            
							
            
							
						
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								      半導(dǎo)體裝置及制造半導(dǎo)體裝置的方法。在一個(gè)實(shí)例中，半導(dǎo)體裝置可包含第一介電層，所述第一介電層包括限定通孔的內(nèi)壁。晶種層可安置在所述第一介電層上方和所述通孔中。第一導(dǎo)體可安置在所述晶種層上方和所述通孔中，且所述第一導(dǎo)體可具有圓柱形幾何形狀。第二...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了具有裂紋阻止結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件及制造方法，其中，半導(dǎo)體器件(900)包括半導(dǎo)體部(100)，該半導(dǎo)體部(100)包括中心區(qū)域(610)和將中心區(qū)域(610)與側(cè)向芯片邊緣(109)分隔開的外圍區(qū)域(690)。在半導(dǎo)體部(100)的水平第...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于電子封裝體(110)的包封材料(100)，其中，所述包封材料(100)包括電絕緣基質(zhì)材料(102)以及所述基質(zhì)材料(102)中的應(yīng)力抑制填料顆粒(104)，所述應(yīng)力抑制填料顆粒(104)具有不大于6ppm/K的熱膨脹系數(shù)值以及不大于...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了半導(dǎo)體器件和制作具有集成無源器件的互連橋的方法。半導(dǎo)體器件具有第一基板。第一半導(dǎo)體管芯和第二半導(dǎo)體管芯被部署在基板上方。互連橋被部署在第一半導(dǎo)體管芯和第二半導(dǎo)體管芯上方。互連橋具有第二基板。導(dǎo)電跡線被形成在第二基板的第一表面上方。導(dǎo)電...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及垂直GAN裝置。一種芯片封裝包括：GaN芯片，具有第一側(cè)和與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)。第一側(cè)包括芯片焊盤。芯片封裝還包括：引線框架，具有第一主要側(cè)和與第一主要側(cè)相對(duì)的第二主要側(cè)。引線框架的第一主要側(cè)朝向GaN芯片的第一側(cè)，并且被附接到芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及用于裸片附接參考的獨(dú)特裸片圖案化。一種晶片襯底可包含多個(gè)個(gè)別半導(dǎo)體裸片及沿著所述晶片襯底的邊緣布置的多個(gè)不完整裸片。所述個(gè)別半導(dǎo)體裸片中的每一個(gè)及所述不完整裸片中的每一個(gè)可包含接合襯墊陣列。所述不完整裸片的子集中的每一個(gè)還可包含可...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的負(fù)極活性物質(zhì)包含硅氧化物顆粒。硅氧化物顆粒的拉曼光譜中測(cè)量的500nm?1至530nm?1區(qū)域中的峰強(qiáng)度與450nm?1至490nm?1
							
            
							
						
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								      根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方案的負(fù)極活性物質(zhì)包含硅基活性物質(zhì)，所述硅基活性物質(zhì)包含核顆粒以及覆蓋核顆粒的表面的碳涂層。通過熱重分析法測(cè)量的硅基活性物質(zhì)的起始溫度為超過350℃且低于390℃，通過導(dǎo)數(shù)熱重分析法測(cè)量的硅基活性物質(zhì)的重量減少率變化值與溫度...
								
            
							
            
							
						
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								      一種在形成具有多個(gè)堆疊電池單體的雙極堆疊電池期間防止空氣被捕獲的雙極堆疊電池。在多個(gè)堆疊電池單體中的每一個(gè)之間形成電絕緣和離子絕緣的框架。
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的可再充電電池包括：電極組件，包括堆疊在一起的多個(gè)電極，并且具有設(shè)置在多個(gè)電極中的相應(yīng)電極之間的隔膜；以及粘合構(gòu)件，設(shè)置在電極組件的拐角部分中的至少兩個(gè)拐角部分處，并且被附接以覆蓋電極組件的上表面、側(cè)表面和下表面中的每個(gè)表面的至少一部...
								
            
							
            
							
						
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          技術(shù)分類
          
                  
          
                      
                  
          
                
          
            
          
          
          
      
          
    
          
    
    

























































































































































 
 
    







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