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								      一種端接屏蔽線纜的方法，屏蔽線纜具有內導體(21)、圍繞內導體(22)的內絕緣體(22)、圍繞內絕緣體(22)的外導體(23)和圍繞外導體(23)的外絕緣體(24)，該方法包括在內絕緣體(22)上安裝由介電材料形成的端接環(6)，并使其處于...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于端子組件的內套圈(4)，其構造成端接屏蔽線纜(2)。內套圈(4)由介電材料形成。內套圈(4)具有大致管狀形狀。內套圈(4)包括多個肋件，這些肋件平行于縱向軸線縱向延伸，并以一定高度從內套圈(3)的內表面徑向向內延伸。內套圈(4)套件...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及具有側壁天線的電子裝置和制造此類裝置的方法。一種電子裝置包括：具有安裝表面的裝置基板；耦合到所述安裝表面的電子電路；以及所述電子電路和所述安裝表面上的包封材料。所述包封材料具有上包封表面和在所述裝置基板的所述安裝表面與所述上包封表...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的可再充電電池包括：電極組件，包括堆疊在一起的多個電極，并且具有設置在多個電極中的相應電極之間的隔膜；以及粘合構件，設置在電極組件的拐角部分中的至少兩個拐角部分處，并且被附接以覆蓋電極組件的上表面、側表面和下表面中的每個表面的至少一部...
								
            
							
            
							
						
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								      一種在形成具有多個堆疊電池單體的雙極堆疊電池期間防止空氣被捕獲的雙極堆疊電池。在多個堆疊電池單體中的每一個之間形成電絕緣和離子絕緣的框架。
								
            
							
            
							
						
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								      根據本發明的實施方案的負極活性物質包含硅基活性物質，所述硅基活性物質包含核顆粒以及覆蓋核顆粒的表面的碳涂層。通過熱重分析法測量的硅基活性物質的起始溫度為超過350℃且低于390℃，通過導數熱重分析法測量的硅基活性物質的重量減少率變化值與溫度...
								
            
							
            
							
						
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								      根據本發明的實施方案的負極活性物質包含硅氧化物顆粒。硅氧化物顆粒的拉曼光譜中測量的500nm?1至530nm?1區域中的峰強度與450nm?1至490nm?1
							
            
							
						
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								      本申請涉及用于裸片附接參考的獨特裸片圖案化。一種晶片襯底可包含多個個別半導體裸片及沿著所述晶片襯底的邊緣布置的多個不完整裸片。所述個別半導體裸片中的每一個及所述不完整裸片中的每一個可包含接合襯墊陣列。所述不完整裸片的子集中的每一個還可包含可...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及垂直GAN裝置。一種芯片封裝包括：GaN芯片，具有第一側和與第一側相對的第二側。第一側包括芯片焊盤。芯片封裝還包括：引線框架，具有第一主要側和與第一主要側相對的第二主要側。引線框架的第一主要側朝向GaN芯片的第一側，并且被附接到芯...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了半導體器件和制作具有集成無源器件的互連橋的方法。半導體器件具有第一基板。第一半導體管芯和第二半導體管芯被部署在基板上方。互連橋被部署在第一半導體管芯和第二半導體管芯上方。互連橋具有第二基板。導電跡線被形成在第二基板的第一表面上方。導電...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于電子封裝體(110)的包封材料(100)，其中，所述包封材料(100)包括電絕緣基質材料(102)以及所述基質材料(102)中的應力抑制填料顆粒(104)，所述應力抑制填料顆粒(104)具有不大于6ppm/K的熱膨脹系數值以及不大于...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了具有裂紋阻止結構的半導體器件及制造方法，其中，半導體器件(900)包括半導體部(100)，該半導體部(100)包括中心區域(610)和將中心區域(610)與側向芯片邊緣(109)分隔開的外圍區域(690)。在半導體部(100)的水平第...
								
            
							
            
							
						
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								      半導體裝置及制造半導體裝置的方法。在一個實例中，半導體裝置可包含第一介電層，所述第一介電層包括限定通孔的內壁。晶種層可安置在所述第一介電層上方和所述通孔中。第一導體可安置在所述晶種層上方和所述通孔中，且所述第一導體可具有圓柱形幾何形狀。第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種電感組件，包括集成電感和信號組件，所述信號組件包括信號電連接件和屏蔽層；本發明通過將屏蔽層設置在信號電連接件和集成電感之間，使得信號回路免受功率回路的干擾。另一方面提供一種VRM模塊，包括電感組件、頂部組件和底部組件；所述頂部...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供線圈部件和具備其的通信器件，其目的在于，在具有至少一部分被埋入樹脂層的線圈圖案的線圈部件中，同時實現電特性和物理特性，線圈部件(100)包括包含絕緣性的無機填料(F1～F3)和粘合劑樹脂(R)的樹脂層(130)和至少一部分被埋入樹...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及變壓器組件和跨電感電壓調節。本文中所討論的組件包括導磁材料的層、第一變壓器繞組對、第二變壓器繞組對和第一導電路徑。第一繞組對包括延伸通過導磁材料的第一初級繞組路徑和第一次級繞組路徑。第二繞組對包括延伸通過導磁材料的第二初級繞組路徑...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種磁線材，其包含合金，該合金含有質量百分比為40%以上且50%以下的Ni，余量為Fe和不可避免的雜質，其中，在線材的沿其軸向方向的橫截面中，軸向方向與<111>方向之間的角度差為10°以下的晶體結構的比例為20%以上。
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種即使施加高頻也兼具高導磁率和低鐵損的優異效率的高頻特性優異的磁性粉體、及其制造方法。一種含α?Fe相稀土類?鐵?氮系磁性粉體，其為具有隱晶質結構的稀土類?鐵?氮系磁性粉體，所述磁性粉體具有芯區域、和存在于所述芯區域外側的含α?Fe相...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種顯示控制裝置、顯示控制方法以及計算機程序產品，能夠抑制在用戶確認多個解析結果的顯示時花費工夫。顯示控制裝置具備：設定部，設定將針對放射線圖像的多個解析結果顯示到顯示部的顯示順序；以及控制部，根據所設定的顯示順序，以將多個解析結果分成...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及微電子裝置及相關方法和存儲器裝置。一種微電子裝置包含存儲器陣列結構、在所述存儲器陣列結構之上并附接到其上的額外存儲器陣列結構，及在所述額外存儲器陣列結構之上并附接到其上的控制電路系統結構。所述存儲器陣列結構包含具有存儲器單元的陣列...
								
            
							
            
							
						
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