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          • 提供了一種非易失性存儲(chǔ)器件。非易失性存儲(chǔ)器件可包括:基板、在垂直于基板的頂表面的方向上交替地堆疊在基板上的柵電極和柵極絕緣層、在該方向上豎直地穿透柵電極和柵極絕緣層的溝道孔、在溝道孔內(nèi)的電荷捕獲層和在電荷捕獲層中的溝道層,電荷捕獲層包括在豎...
          • 本公開涉及碳化硅功率二極管中肖特基勢(shì)壘高度的調(diào)節(jié)方法及功率二極管。提供了一種電子器件及其制造工藝,特別是用于調(diào)節(jié)碳化硅功率二極管中肖特基勢(shì)壘高度的方法及其功率二極管。示例電子器件包括:具有表面和N型導(dǎo)電性的半導(dǎo)體材料的主體;P型導(dǎo)電性的開關(guān)...
          • 本公開涉及極性存儲(chǔ)器硫?qū)倩锏娜S結(jié)構(gòu)。本公開還涉及一種存儲(chǔ)器裝置,其具有:三維節(jié)點(diǎn)陣列,所述陣列配置在半導(dǎo)體襯底上。所述陣列中的每個(gè)相應(yīng)節(jié)點(diǎn)具有選擇器晶體管;以及存儲(chǔ)器胞元,所述存儲(chǔ)器胞元包括:第一導(dǎo)電材料層,所述第一導(dǎo)電材料層被配置為第...
          • 本發(fā)明描述了部件承載件及制造部件承載件的方法,其中,所述部件承載件包括:i)無機(jī)承載件結(jié)構(gòu);ii)電絕緣層結(jié)構(gòu),該電絕緣層結(jié)構(gòu)包括位于無機(jī)承載件結(jié)構(gòu)上的樹脂和增強(qiáng)結(jié)構(gòu);iii)位于電絕緣層結(jié)構(gòu)上的超薄絕緣膜;以及iv)直接位于超薄絕緣膜上的...
          • 本發(fā)明涉及一種電加熱裝置(2),特別是用于機(jī)動(dòng)車的電加熱裝置,所述電加熱裝置具有殼體(44),該殼體包圍加熱室(6.1;6.2),該加熱室以導(dǎo)熱方式聯(lián)接到電阻元件(23),該殼體(44)包圍控制裝置(36),該控制裝置能夠通過插頭殼體(60...
          • 本發(fā)明涉及一種電加熱裝置(2),特別是用于機(jī)動(dòng)車輛的電加熱裝置,該電加熱裝置具有殼體(44),該殼體包圍加熱室(6.1;6.2),該加熱室以導(dǎo)熱方式聯(lián)接到電阻元件(23),該殼體(44)包圍控制裝置(36)。電加熱裝置(2)還具有壓力均衡裝...
          • 校正傳感器記錄的對(duì)應(yīng)關(guān)系的方法、執(zhí)行該方法的控制設(shè)備及具有該控制設(shè)備的機(jī)動(dòng)車輛。本發(fā)明涉及用于校正傳感器的逐行和/或逐列創(chuàng)建的傳感器記錄的至少一個(gè)對(duì)應(yīng)關(guān)系的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的方法,其中?給傳感器分配投影中心,其中?在第一時(shí)刻借助傳感器開始第一傳感...
          • 本發(fā)明提供一種用于解決管理裝置無法訪問管理對(duì)象的裝置這一課題的信息處理裝置、管理方法以及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。信息處理裝置(100)對(duì)圖像形成裝置(200)進(jìn)行管理,并具有:存儲(chǔ)部(120),其對(duì)第一認(rèn)證信息和第二認(rèn)證信息進(jìn)行存儲(chǔ),其中,所述第一...
          • 本發(fā)明涉及一種電流轉(zhuǎn)換器電路,電流轉(zhuǎn)換器電路具有至少一個(gè)半橋,其中,至少一個(gè)半橋中的每一個(gè)都具有低壓側(cè)和高壓側(cè)。低壓側(cè)具有至少一個(gè)第一可控半導(dǎo)體開關(guān)元件和至少一個(gè)第二可控半導(dǎo)體開關(guān)元件。高壓側(cè)具有至少一個(gè)第三可控半導(dǎo)體開關(guān)元件,第三可控半導(dǎo)...
          • 本公開涉及具有零電流檢測(cè)的轉(zhuǎn)換器、對(duì)應(yīng)的設(shè)備及方法。一種降壓、升壓或反相拓?fù)滢D(zhuǎn)換器包括高側(cè)功率級(jí)和低側(cè)功率級(jí),其間在電流供應(yīng)節(jié)點(diǎn)處耦合有線圈。過零檢測(cè)(ZCD)電路包括當(dāng)線圈電流具有過零事件時(shí)生成檢測(cè)信號(hào)的比較器。閾值調(diào)諧電路系統(tǒng)基于由在線...
          • 設(shè)備控制器可操作地連接到開關(guān)裝置,用于選擇性地致動(dòng)開關(guān)裝置以將組件連接到交流電。設(shè)備控制器執(zhí)行過零控制模塊,所述過零控制模塊使開關(guān)裝置的致動(dòng)與交流電的過零同步。過零控制模塊與交流電的振幅和頻率無關(guān)。例如,過零控制模塊使開關(guān)裝置的致動(dòng)與交流電...
          • 一種用于調(diào)節(jié)浸入式冷卻的電池系統(tǒng)(4)的冷卻劑回路(3)中的冷卻劑(2)的流體管理系統(tǒng)(1),包括泵(5)、至少一個(gè)溫度控制元件(6、7)、至少一個(gè)過濾元件(8、9)、除濕元件(10)和殼體(11),所述泵(5)、所述至少一個(gè)溫度控制元件(...
          • 一種用于附接到冷卻劑貯存器(100)的通風(fēng)和干燥單元(1)包括:通風(fēng)元件(2),該通風(fēng)元件(2)被配置成在冷卻劑貯存器(100)與環(huán)境之間提供空氣交換,以進(jìn)行壓力補(bǔ)償;以及空氣干燥元件(3),該空氣干燥元件(3)包括其中布置干燥劑的殼體(4...
          • 一種動(dòng)力工具系統(tǒng),包括動(dòng)力工具、傳感器和動(dòng)力工具的電子控制器。動(dòng)力工具包括動(dòng)力工具殼體、容納在動(dòng)力工具殼體內(nèi)的馬達(dá)、以及聯(lián)接到動(dòng)力工具殼體的電池組接口。電池組接口接收具有對(duì)應(yīng)工具接口的動(dòng)力工具電池組。傳感器感測(cè)與聯(lián)接到電池組接口的動(dòng)力工具電...
          • 本公開涉及用于熱力工程電?光多芯片模塊的中介層。一種多芯片模塊從其底部到頂部包括襯底和設(shè)置在襯底上的中介層。中介層是不導(dǎo)電的并具有k<20W/(mK)的熱傳導(dǎo)率(k)。集成電路部件或芯片集合設(shè)置在中介層上。部件或芯片集合中的第一子集中...
          • 本申請(qǐng)涉及一種冷卻塊,該冷卻塊包括具有流體導(dǎo)管的本體,流體導(dǎo)管用于使由通路限定的冷卻流體能夠循環(huán)。通路包括:縱向通路軸線;限定出通路的第一內(nèi)部側(cè)壁和第二內(nèi)部側(cè)壁,被布置在內(nèi)部側(cè)壁之間以用于使在通路內(nèi)流動(dòng)的冷卻流體偏轉(zhuǎn)的多個(gè)針狀件,每個(gè)針狀件...
          • 一種方法包括:將包括多個(gè)區(qū)段的連續(xù)導(dǎo)線饋送到通道的第一端中,并且進(jìn)一步饋送穿過形成在焊接工具的超聲焊極中的通道直到連續(xù)導(dǎo)線的第一端從通道的與通道的第一端相對(duì)的第二端突出,所述多個(gè)區(qū)段被相繼布置以形成連續(xù)導(dǎo)線;通過超聲焊極將連續(xù)導(dǎo)線的第一端焊...
          • 本公開的技術(shù)涉及電容器裝置領(lǐng)域。更具體地,公開了用于形成包括鉿鋯氧化物(HZO)層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括通過提供襯底并通過循環(huán)沉積過程在其上形成HZO層來制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步公開了用于形成鉿鋯氧化物層的系統(tǒng),以及包括HZO層的半導(dǎo)...
          • 本發(fā)明公開了使用機(jī)器學(xué)習(xí)模型進(jìn)行語音音頻校正,具體公開了使用機(jī)器學(xué)習(xí)模型來校正語音音頻的系統(tǒng)和技術(shù)。該技術(shù)包括:將輸入音頻的第一轉(zhuǎn)錄與輸入音頻的第二轉(zhuǎn)錄進(jìn)行比較,以識(shí)別修改后的詞集,其中第二轉(zhuǎn)錄是第一轉(zhuǎn)錄的修改后的版本。該技術(shù)包括:基于修改...
          • 本公開涉及放射治療的圖像數(shù)據(jù)處理和靶結(jié)構(gòu)跟蹤。描述了用于靶結(jié)構(gòu)跟蹤的圖像數(shù)據(jù)處理的示例方法和系統(tǒng)。在一個(gè)示例中,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可以獲得與需要放射治療的患者的靶結(jié)構(gòu)相關(guān)的處理圖像數(shù)據(jù)。可以在放射治療的處理階段使用成像系統(tǒng)獲取處理圖像數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)系...
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