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最新專利技術(shù)

濺射靶材及其制作方法

本發(fā)明的目的在于提供一種具備高成分均勻性的濺射靶材。一種由貴金屬合金組成的濺射靶材，其中貴金屬合金由5種或更多種貴金屬元素組成，并且X射線衍射圖譜中的在衍射角2θ位于38?44°范圍內(nèi)觀測到的峰數(shù)為1個。

2025-09-26
一種成型體、燒制體及其制造方法

本發(fā)明提供一種具有高結(jié)晶性且成分均勻性優(yōu)異的貴金屬合金成型體和燒制體。一種由合金粉末和樹脂組成的成型體，其中所述合金粉末是由5種或更多種貴金屬元素的合金組成的貴金屬合金粉末，且平均粒徑為0.1～100μm，微晶尺寸大于或等于60nm，X射線...

2025-09-26
濾波器芯片封裝結(jié)構(gòu)及其晶圓級封裝方法

本發(fā)明公開一種濾波器芯片封裝結(jié)構(gòu)及其晶圓級封裝方法，該封裝結(jié)構(gòu)包括：濾波器芯片，濾波器芯片的正面具有諧振器工作區(qū)，其邊緣設(shè)有多個焊墊結(jié)構(gòu)，焊墊結(jié)構(gòu)的外圍設(shè)有支撐圍墻，焊墊結(jié)構(gòu)和支撐圍墻上設(shè)有頂蓋層；焊墊結(jié)構(gòu)包括第一焊墊部和第二焊墊部，第一焊...

2025-09-26
電子傳輸材料、太陽能電池、用電裝置和發(fā)電裝置

本申請公開了一種電子傳輸材料、太陽能電池、用電裝置和發(fā)電裝置，該電子傳輸材料用于太陽能電池的電子傳輸層，電子傳輸材料包括第一富勒烯衍生物和第二富勒烯衍生物，第一富勒烯衍生物具有給電子基團，第二富勒烯衍生物具有吸電子基團，其中第二富勒烯衍生物...

2025-09-26
顯示面板及制造方法、顯示裝置

本公開提供了一種顯示面板及制造方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。該顯示面板包括：顯示基板，具有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，非顯示區(qū)包括顯示端子和觸控端子，顯示區(qū)的顯示走線延伸至顯示端子的綁定區(qū)；觸控層，位于顯示基板的出光側(cè)，觸控層的觸控走線延伸至觸控...

2025-09-26
大面積薄膜太陽能電池組件

本發(fā)明公開了一種大面積薄膜太陽能電池組件。其包括依次串聯(lián)的多個子電池；子電池包括電池單元、柵線電極，以及串聯(lián)電路；柵線電極包括多根金屬柵線，多根金屬柵線分布于電池單元的整面并延伸至一側(cè)邊，串聯(lián)電路設(shè)置于該側(cè)邊并與多根金屬柵線電連接，且串聯(lián)電...

2025-09-26
基于負性光敏材料制備的復(fù)合柵線電極及其應(yīng)用

本發(fā)明公開了一種基于負性光敏材料制備的復(fù)合柵線電極及其應(yīng)用。復(fù)合柵線電極包括：負性光敏材料層，具有沿第一方向方向背對設(shè)置的第一表面和第二表面，柵線電極層，嵌設(shè)在負性光敏材料層內(nèi)，柵線電極層的頂端面自負性光敏材料層的第一表面露出，柵線電極層的...

2025-09-26
透明導(dǎo)電的柵線電極、其制作方法及應(yīng)用

本發(fā)明公開了一種透明導(dǎo)電的柵線電極、其制作方法及應(yīng)用。所述制作方法包括：提供透明基底；在透明基底表面構(gòu)建多根柵線；覆設(shè)負性光敏材料層，覆蓋所述柵線以及多根柵線之間的非柵線區(qū)；透過透明基底，對處于非柵線區(qū)的部分負性光敏材料層進行曝光處理，處于...

2025-09-26
柵線復(fù)合電極、其制備方法及應(yīng)用

本發(fā)明公開了一種柵線復(fù)合電極、其制備方法及應(yīng)用。所述制備方法包括：提供透明基底，并且透明基體表面形成有透明導(dǎo)電層和金屬柵線；連續(xù)覆設(shè)正性光敏材料層且完整包裹金屬柵線；透過透明基底和透明導(dǎo)電層，利用金屬柵線作為掩模，對正性光敏材料層進行圖案化...

2025-09-26
太陽能電池及其制備方法、用電設(shè)備及發(fā)電設(shè)備

本申請公開了一種太陽能電池及其制備方法、用電設(shè)備及發(fā)電設(shè)備，其中太陽能電池的光吸收層包括鈣鈦礦主體以及分散于鈣鈦礦主體中的添加劑，添加劑中的陰離子包括如下結(jié)構(gòu)： 2025-09-26
鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法、用電設(shè)備和發(fā)電設(shè)備

本申請公開了一種鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法、用電設(shè)備和發(fā)電設(shè)備，該鈣鈦礦太陽能電池的隧穿層和電子傳輸層均為無機氧化物，穩(wěn)定性好，隧穿層位于鈣鈦礦層和電子傳輸層之間，可以使鈣鈦礦層產(chǎn)生的電子通過、且阻擋空穴，因此，使得鈣鈦礦太陽能電池具有長...

2025-09-26
半導(dǎo)體器件及其制備方法、芯片、電子設(shè)備

本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制備方法、芯片、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用以解決如何改進形成柵極的工藝的問題。該半導(dǎo)體器件包括多個鰭結(jié)構(gòu)、多個柵極結(jié)構(gòu)、多個外延部、隔離結(jié)構(gòu)及多個刻蝕停止部。鰭結(jié)構(gòu)沿第一方向延伸，且多個鰭結(jié)構(gòu)沿第二方向排布...

2025-09-26
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底，所述基底包括溝道區(qū)域以及位于所述溝道區(qū)域兩側(cè)的源漏區(qū)域；絕緣層，位于所述溝道區(qū)域的基底頂部；溝道結(jié)構(gòu)層，懸置于所述絕緣層的頂部，所述溝道結(jié)構(gòu)層包括一個或多個在縱向上間隔設(shè)置的溝道層；器件柵極結(jié)構(gòu)，...

2025-09-26
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，結(jié)構(gòu)包括：基底，基底包括襯底以及凸立于所述襯底上的鰭部；第一功函數(shù)層，位于所述襯底頂部，且覆蓋所述鰭部的部分頂部和部分側(cè)壁，所述鰭部頂部的第一功函數(shù)層的厚度小于所述鰭部側(cè)壁的第一功函數(shù)層的厚度；器件柵極結(jié)構(gòu)，位于...

2025-09-26
存儲器及其制備方法、電子設(shè)備

一種存儲器的制備方法，包括：提供襯底，形成疊層結(jié)構(gòu)；對疊層結(jié)構(gòu)進行刻蝕形成在垂直襯底方向貫穿疊層結(jié)構(gòu)的溝道孔；在溝道孔內(nèi)沉積電荷存儲層，電荷存儲層位于溝道孔的側(cè)壁表面；在疊層結(jié)構(gòu)遠離襯底的表面以及溝道孔內(nèi)沉積第一金屬層；去除第一金屬層，并通...

2025-09-26
半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子設(shè)備

本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子設(shè)備。該半導(dǎo)體器件的制備方法包括：提供一襯底并交替形成第一絕緣層和功能層；接著進行第一次圖形化處理，形成第一子功能層和第二子功能層、第三子功能層和第四子功能層；接著進行第二次圖形化，形成第一初始溝...

2025-09-26
嵌入式存儲器及其制備方法、芯片和電子設(shè)備

本申請?zhí)峁┝艘环N嵌入式存儲器及其制備方法、芯片和電子設(shè)備，嵌入式存儲器可以設(shè)置垂直晶體管和電容，且垂直晶體管和電容可以層疊設(shè)置，能夠大幅度減小存儲單元的面積，進而提高嵌入式存儲器的集成度和存儲密度。嵌入式存儲器可以包括至少一個存儲單元。其中...

2025-09-26
均溫板、均溫板的制造方法以及電子設(shè)備

本發(fā)明公開了一種均溫板、均溫板的制造方法以及電子設(shè)備。該均溫板包括基體組件、分隔部、第一毛細結(jié)構(gòu)、工作介質(zhì)以及不凝氣體?；w組件設(shè)有容納腔。分隔部設(shè)置于容納腔內(nèi)，將容納腔分割成通道以及與通道連通的蒸發(fā)腔。工作介質(zhì)填充于容納腔內(nèi)。不凝氣體填充...

2025-09-26
激光焊接制備多層金屬電路板的方法以及多層金屬電路板

本發(fā)明公開了一種激光焊接制備多層金屬電路板的方法以及多層金屬電路板，方法包括以下步驟：在每兩塊相鄰單層金屬電路板之間均放置絕緣層，得到多層金屬電路板堆疊體；將多層金屬電路板堆疊體放在上下兩塊導(dǎo)熱襯板之間，得到多層金屬電路板堆疊裝夾體；對每兩...

2025-09-26
一種電路板組件和電子設(shè)備

本申請實施例提供一種電路板組件和電子設(shè)備，涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，電路板組件包括第一電路板和第一彈腳，第一電路板的部分位于電子設(shè)備天線的凈空區(qū)域內(nèi)，第一彈腳位于凈空區(qū)域內(nèi)，且第一彈腳的一端與第一電路板位于凈空區(qū)域內(nèi)的部分電連接，另一端用于接地。通...

2025-09-26

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