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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子設(shè)備。半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體層，包括相互連接的主體部、第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部和第二延伸部沿平行于襯底的橫向延伸，主體部沿垂直于襯底的縱向延伸；柵極層，沿縱向延伸，主體部為沿縱向延伸的環(huán)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決如何提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)良率。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括形成中間半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；中間半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括多個(gè)有源柱、多個(gè)柵極層和多個(gè)屏蔽層。形成第一層間絕緣層；...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備，所述半導(dǎo)體器件包括：多個(gè)存儲(chǔ)單元，分布于不同層、沿著垂直于襯底的方向堆疊且周期性分布；所述存儲(chǔ)單元包括晶體管；所述晶體管包括單晶硅柱、至少部分環(huán)繞所述單晶硅柱的柵電極和位于所述單晶硅柱與所述柵電極之間的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N種鐵電存儲(chǔ)器及其制備方法、電子設(shè)備。該鐵電存儲(chǔ)器包括：襯底和形成在襯底上的多個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元包括鐵電電容；鐵電電容包括堆疊的第一電極和第二電極，和鐵電層；鐵電層包括氧化鉿、氧化鋯中的至少一種材料以及摻雜元素；摻雜元素的...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供一種顯示單元、顯示面板和顯示模組，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。顯示面板包括陣列分布的顯示單元，顯示單元包括依次層疊設(shè)置的發(fā)光單元、第一光學(xué)單元和第二光學(xué)單元；發(fā)光單元用于提供激發(fā)光；第一光學(xué)單元對(duì)來(lái)自發(fā)光單元側(cè)的激發(fā)光呈現(xiàn)增透特性；第二光學(xué)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種QLED器件及其應(yīng)用。所述QLED器件包括發(fā)光層，所述發(fā)光層包括依次層疊設(shè)置的第一發(fā)光層、激子阻擋層和第二發(fā)光層；所述第一發(fā)光層的材料包括第一主體基質(zhì)和染料；所述染料包括藍(lán)光染料和/或黃光染料。本發(fā)明中通過(guò)對(duì)QLED器件發(fā)光層...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示面板及電子設(shè)備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，所述顯示面板包括陣列基板；層疊于所述陣列基板一側(cè)的光取出層和多個(gè)發(fā)光子像素；所述光取出層在所述陣列基板上的正投影與所述發(fā)光子像素在所述陣列基板上的正投影至少部分重疊，所述光取出層包...
								
            
							
            
							
						
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								      一種二次電池包括：電極組件，包括第一電極板、第二電極板和隔膜；殼體，被配置以容納電極組件；以及蓋組件，聯(lián)接到殼體的開(kāi)放的上側(cè)。支撐結(jié)構(gòu)設(shè)置并固定到電極組件的下端，并且支撐結(jié)構(gòu)被支撐以與殼體的下底表面接觸。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于機(jī)動(dòng)車(chē)驅(qū)動(dòng)電池的單體接觸系統(tǒng)的熔斷器，所述熔斷器可這樣設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電池的電池單體區(qū)域中且這樣確定尺寸，使得在電池單體熱失控時(shí)電池單體的反應(yīng)熱與在此在電池單體端子區(qū)域中出現(xiàn)的相關(guān)短路電流的歐姆損耗以及與在此在熔斷器上出現(xiàn)的短路...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種問(wèn)答方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括：在目標(biāo)提問(wèn)內(nèi)容的答復(fù)場(chǎng)景為非預(yù)設(shè)場(chǎng)景時(shí)，通過(guò)從緩存中查詢(xún)目標(biāo)提問(wèn)內(nèi)容對(duì)應(yīng)的目標(biāo)答復(fù)內(nèi)容并反饋給目標(biāo)賬號(hào)，以減少預(yù)設(shè)大語(yǔ)言模型的使用頻次，從而降低預(yù)設(shè)大語(yǔ)言模型的使用代價(jià)，以解...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于生成式人工智能技術(shù)的電廠設(shè)計(jì)專(zhuān)題報(bào)告生成方法，其特征在于，包括以下步驟：(1)數(shù)據(jù)采集與處理；(2)自然語(yǔ)言處理與信息提取；(3)生成式人工智能模型訓(xùn)練；(4)報(bào)告生成與內(nèi)容組織；(5)報(bào)告輸出與定制化；(6)質(zhì)量評(píng)估與...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實(shí)施例提供了問(wèn)答處理的方法、裝置、電子設(shè)備、介質(zhì)及程序產(chǎn)品，所述方法包括：獲取用戶(hù)輸入的問(wèn)題文本，并生成所述問(wèn)題文本對(duì)應(yīng)的第二向量；采用所述第二向量，在預(yù)先構(gòu)建的向量庫(kù)中進(jìn)行向量匹配，得到目標(biāo)第一向量，并確定所述目標(biāo)第一向量對(duì)應(yīng)的目標(biāo)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種利用空氣腔增強(qiáng)氧化鎵外延質(zhì)量的制備方法，該方法通過(guò)降低位錯(cuò)密度來(lái)提高薄膜質(zhì)量。在具體實(shí)施過(guò)程中，我們采用光刻技術(shù)在襯底上形成具有特定圖案的光刻膠，隨后對(duì)帶有光刻膠圖案的襯底進(jìn)行熱回流處理。接著，在熱回流后的襯底上進(jìn)行非晶態(tài)或...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝耍环N多芯片的封裝結(jié)構(gòu)、光模塊和光通信系統(tǒng)，包括：基板，基板的頂面配置有多個(gè)芯片，多個(gè)芯片包括至少一個(gè)電芯片和光芯片；其中，基板的頂面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域與基板的底面的距離大于第二區(qū)域與基板的底面的距離，第一區(qū)域用于...
								
            
							
            
							
						
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								      一種O3型鈉離子電池鎳錳基層狀氧化物正極材料、制備方法和用途屬于電極材料領(lǐng)域。化學(xué)通式表示為：Nax(NiyMn1?y)1?βMβ...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明適用于電機(jī)制造技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種注塑成型含前或后端蓋的定子組件及其工藝，包括集成前端蓋或集成后端蓋，所述集成前端蓋或集成后端蓋內(nèi)設(shè)有定子鐵芯和定子繞組，所述集成前端蓋或集成后端蓋采用可塑性材質(zhì)成型；其中，所述定子繞組置于所述定子鐵芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括碳化硅基板、外延層、阱區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)、第一絕緣柱、一對(duì)第一介電間隔物以及接觸部件。碳化硅基板具有第一區(qū)以及第二區(qū)，且具有第一導(dǎo)電類(lèi)型。外延層設(shè)置于碳化硅基板上且具有第一導(dǎo)電類(lèi)型。阱區(qū)位于外延層中...
								
            
							
            
							
						
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								      提供半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括碳化硅基板、外延層、第一電極、分離柵極結(jié)構(gòu)以及源極接觸。碳化硅基板具有第一、第二以及第三區(qū)，且具有第一導(dǎo)電類(lèi)型。外延層設(shè)置于碳化硅基板的頂面上。外延層具有第一導(dǎo)電類(lèi)型。第一電極設(shè)置于第一區(qū)的外延層中...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜；對(duì)非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行離子注入，以將3A族離子注入非晶...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜；對(duì)非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行熱處理，以使非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)換...
								
            
							
            
							
						
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