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          • 本說明書公開了一種特征構(gòu)建方法、裝置、存儲介質(zhì)及電子設(shè)備,其中方法包括:獲取文本數(shù)據(jù)的音素序列和音素序列對應(yīng)的參考時(shí)長特征,將音素序列輸入至聲學(xué)模型,得到音素序列對應(yīng)的預(yù)測時(shí)長特征和第一預(yù)測聲學(xué)特征,在預(yù)測時(shí)長特征中獲取預(yù)測時(shí)長特征片段,在...
          • 本申請公開一種語音降噪方法及相關(guān)裝置,應(yīng)用于人工智能等場景。方法包括:在提取目標(biāo)帶噪語音在預(yù)設(shè)尺度下的多個(gè)預(yù)設(shè)語音幀對應(yīng)的多個(gè)預(yù)設(shè)時(shí)頻特征的基礎(chǔ)上;按照小于預(yù)設(shè)尺度、不同尺度的多個(gè)目標(biāo)尺度分幀每個(gè)預(yù)設(shè)語音幀,得到每個(gè)預(yù)設(shè)語音幀在多個(gè)目標(biāo)尺度...
          • 本申請公開了一種語音去噪方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備、可讀存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品。本申請可以獲取樣本語音信號對,語音信號樣本對包括含噪語音信號和無噪語音信號;對樣本語音信號對進(jìn)行時(shí)頻轉(zhuǎn)換,得到樣本頻域特征;通過噪聲識別模型對樣本頻域特征進(jìn)行噪聲識別,...
          • 本申請公開了一種存儲器的操作方法、存儲器、存儲系統(tǒng)及電子系統(tǒng)。該方法包括:獲取數(shù)據(jù)輸出命令;響應(yīng)于數(shù)據(jù)輸出命令,利用多個(gè)存儲面各自對應(yīng)的電荷泵單元將多個(gè)存儲面各自對應(yīng)的全部字線上的電壓提升至導(dǎo)通電壓,以完成多個(gè)存儲面的預(yù)充電;其中,數(shù)據(jù)輸出...
          • 一種分子結(jié)構(gòu)生成模型的訓(xùn)練方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì),涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:獲取第一訓(xùn)練樣本,第一訓(xùn)練樣本包括第一加噪點(diǎn)云;通過分子結(jié)構(gòu)生成模型對第一加噪點(diǎn)云去噪,得到第一去噪點(diǎn)云;基于第一去噪點(diǎn)云中的各個(gè)原子的位置,確定分子結(jié)...
          • 本發(fā)明公開了CVD金剛石晶格尺寸預(yù)測方法、裝置、設(shè)備和存儲介質(zhì),所述方法包括步驟:取包含有多種已知晶格尺寸大小的CVD金剛石的信息數(shù)據(jù),并根據(jù)信息數(shù)據(jù)生成紫外拉曼光譜數(shù)據(jù)庫;以信息數(shù)據(jù)為訓(xùn)練數(shù)據(jù),通過卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行訓(xùn)練,以獲取紫外拉曼光譜...
          • 本發(fā)明提供了一種下電極組件及等離子體處理裝置,其中所述下電極組件包括:靜電卡盤,用于在等離子體處理裝置的反應(yīng)腔中支撐待處理基片;若干個(gè)氣體傳輸通道,其貫穿所述靜電卡盤設(shè)置;每個(gè)所述氣體傳輸通道包括相互連通的第一通氣孔、第二通氣孔和第一安裝槽...
          • 本申請公開了一種工藝腔室及半導(dǎo)體設(shè)備,屬于半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域。所公開的半導(dǎo)體設(shè)備包括工藝腔室,工藝腔室包括腔室本體以及設(shè)于腔室本體內(nèi)的安裝件、加熱燈和基座;其中,安裝件與腔室本體的內(nèi)壁相連,加熱燈通過安裝件固定于腔室本體內(nèi)、并與安裝件活動連...
          • 一種將微導(dǎo)電柱體置入微孔的方法,其包括:提供基板,基板具有多個(gè)微孔,微孔的深度與孔徑的比例范圍為0.5至12。置放多個(gè)微導(dǎo)電柱體于多個(gè)微孔的上方,每一微導(dǎo)電柱體具有磁性。提供磁力于基板的下方,每一微導(dǎo)電柱體朝向基板的方向受磁力吸引。以水平方...
          • 本申請?zhí)峁┮环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備,涉及封裝技術(shù)領(lǐng)域,能夠解決因連接器的設(shè)置而導(dǎo)致轉(zhuǎn)接板的面積增大的問題。該芯片封裝結(jié)構(gòu)包括轉(zhuǎn)接板、至少一個(gè)第一芯片、至少一個(gè)第二芯片、支撐結(jié)構(gòu)、連接器。第一芯片設(shè)置在轉(zhuǎn)接板的正面、并與轉(zhuǎn)接板電連接。第二芯...
          • 本申請公開了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲系統(tǒng)。該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括:基板;半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu),包括多個(gè)沿第一方向依次堆疊于所述基板一側(cè)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);以及熱管結(jié)構(gòu),其至少一部分位于最靠近所述基板的所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中,至少另外一部分沿所述第一...
          • 本申請公開了一種工藝監(jiān)測系統(tǒng),屬于芯片工藝監(jiān)測領(lǐng)域。本申請?zhí)峁┑墓に嚤O(jiān)測系統(tǒng)包括:設(shè)置在芯片的目標(biāo)區(qū)域的工藝監(jiān)測單元,包括基本單元為與非門電路的第一環(huán)形振蕩器,以及基本單元為或非門電路的第二環(huán)形振蕩器;與第一環(huán)形振蕩器和第二環(huán)形振蕩器的輸出...
          • 本發(fā)明提供了一種復(fù)合正極片及其制備方法、鈉離子電池,涉及電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的復(fù)合正極片,包括集流體和涂布于集流體上的正極活性物質(zhì)層;正極活性物質(zhì)層包括正極主材、導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑正極主材包括復(fù)合磷酸鐵鈉和O3相層狀氧化物;復(fù)合磷酸鐵鈉和O...
          • 本申請涉及一種負(fù)極極片及其制備方法、電池、用電設(shè)備。一種負(fù)極極片,負(fù)極極片包括:負(fù)極集流體以及鋰金屬層。負(fù)極集流體具有第一表面和相對的第二表面;鋰金屬層負(fù)載在負(fù)極集流體的第一表面和第二表面。上述技術(shù)方案,在負(fù)極集流體的表面負(fù)載鋰金屬作為負(fù)極...
          • 本發(fā)明公開了一種高比例活性物質(zhì)負(fù)極漿料及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明提供的負(fù)極漿料包括活性物質(zhì)、導(dǎo)電劑和復(fù)合粘結(jié)劑;所述復(fù)合粘結(jié)劑由羧甲基纖維素鈉、丁苯橡膠乳液和聚丙烯酸類粘結(jié)劑按照質(zhì)量比1:(1.5?2):(1.5?2)組成。本發(fā)明通過添加聚...
          • 本發(fā)明公開了一種氫耗的確定方法、裝置及電子設(shè)備。其中,該方法包括:確定預(yù)定時(shí)間段內(nèi)第一氫氣的第一消耗量,以及,第二氫氣在預(yù)定時(shí)間段內(nèi)的多個(gè)時(shí)間間隔分別對應(yīng)的第二消耗量,其中,第一氫氣為儲氫系統(tǒng)中存儲的氫氣,第二氫氣為被轉(zhuǎn)化為電能消耗的氫氣;...
          • 本發(fā)明提供了一種儲氫系統(tǒng)下線后的加氫控制方法和電子設(shè)備,涉及加氫控制的技術(shù)領(lǐng)域,包括:獲取儲氫系統(tǒng)的壓力檢測值;若檢測到儲氫系統(tǒng)的高壓壓力低于第一預(yù)設(shè)壓力閾值且高于第二預(yù)設(shè)壓力閾值,并且,儲氫系統(tǒng)的中壓壓力低于第三預(yù)設(shè)壓力閾值,則儲氫系統(tǒng)的...
          • 本公開提出了一種檢測燃料電池的水含量的方法。該方法包括如下步驟:測量燃料電池的電壓信號;對測量的電壓信號進(jìn)行處理,以提取電壓波動信號的一階分量;以及基于提取的電壓波動信號的一階分量和預(yù)先確定的燃料電池的電壓波動信號的一階分量與水含量之間的映...
          • 本申請涉及電池領(lǐng)域,提供一種電解液添加劑及電解液和電池。所述電解液添加劑包括硅氧烷類化合物、碳酸亞乙烯酯和氟代碳酸乙烯酯,所述硅氧烷類化合物為式1所示化合物中的至少一種,式1中,m表示1~12中的任意整數(shù),R1、R
          • 本發(fā)明公開了一種可堆疊電池包及其控制裝置、儲能系統(tǒng)以及電器設(shè)備,所述裝置應(yīng)用于儲能系統(tǒng)中,儲能系統(tǒng)至少包括層疊的第一電池包和第二電池包,第一電池包包括第一控制裝置,第二電池包包括與第一控制裝置結(jié)構(gòu)相同的第二控制裝置,第一控制裝置包括:第一識...
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