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          • 本發(fā)明涉及時序知識圖譜推理技術領域,具體公開了一種對時序知識圖譜模型進行訓練的方法及裝置,通過將以目標時刻為基準的以往多個事實的實體和關系融入到歷時圖編碼器中進行圖結構和時序特征編碼,并利用歷時語義編碼器對以往多個事實的語義進行編碼,得到語...
          • 本發(fā)明實施例提供了一種刀具夾持組件及磨刀器,屬于廚房用具技術領域。該刀具夾持組件包括臂體,其第一端用于與磨刀架連接,臂體上設有頂銷和驅動件,驅動件用于驅動頂銷沿臂體的軸向方向移動;夾持臂部件,包括第一夾持臂和第二夾持臂,兩個夾持臂鏡像對稱,...
          • 本申請涉及一種鋼管沉樁整體式導向架,屬于橋梁施工工程領域,其包括基礎主架,所述基礎主架中部開設有供鋼樁體穿過的豎直通道,所述基礎主架轉動設置有多個接觸輪,所述接觸輪的轉動軸線和豎直通道的長度方向垂直,所述接觸輪的輪面和鋼樁體側壁接觸。本申請...
          • 一種半導體器件包括:下導電線,在基板上并在平行于基板的上表面的第一方向上彼此間隔開;以及通路結構,在下導電線上并電連接到下導電線當中的至少兩條對應的下導電線。通路結構包括在第一方向上延伸并電連接到所述至少兩條對應的下導電線的通路接觸以及在通...
          • 根據(jù)本發(fā)明的袋型二次電池包括:電極組件:電極組件;外部材料,外部材料包括用于容納電極組件的容納部分以及平臺部分,平臺部分沿著容納部分的周緣形成并且具有使寬度的一部分密封的密封部分;電極引線,電極引線電連接至電極組件并且突出至外部材料的外部;...
          • 本發(fā)明涉及一種(2S,6S)?2,6?二甲基?1?哌嗪羧酸叔丁酯的制備方法。具體地,本發(fā)明公開了一種采用價格便宜的L?蘇氨酸為原料制備(2S,6S)?2,6?二甲基?1?哌嗪羧酸叔丁酯的方法,該方法操作簡單,原料易得,反應收率高,純度好,易...
          • 本發(fā)明公開了多級螺旋纏結互鎖壓電傳感彈力紗線,以氨綸為彈性基體紗芯,將鍍銀長絲螺旋包覆在氨綸外作為電極,同時靜電紡絲PVDF納米纖維和靜電噴霧ZnO顆粒包覆在鍍銀長絲外層形成壓電層,所得紗線具有螺旋結構、芯殼結構和纏結互鎖結構,具有高彈力和...
          • 提供一種硅樹脂墊,該硅樹脂墊為通過固化包含二甲基硅氧烷和甲基乙烯基硅氧烷的液態(tài)硅樹脂而制造的硅樹脂墊,其特征在于,固化后所述硅樹脂墊的伸長率(%)具有400至500的范圍,壓縮永久變形率(%)為0.5至0.6,所述硅樹脂墊的重均分子量(g/...
          • 本發(fā)明提出了一種基于多尺度時空學習和自適應選擇神經(jīng)網(wǎng)絡的心律失常分類方法。針對心電信號具有各種尺度不同的復雜波段信息,在時序上病變具有短暫性、間歇性的特點,在空間上不同的通道中包含著不同病變信息的問題,在發(fā)明中我們引入了多尺度的思想來提取復...
          • 本發(fā)明提供一種數(shù)字混音器,能夠在數(shù)字混音器中包含AFV功能在內對來自一個外部控制端子的輸入設定多個功能或動作,支援用戶設定多個功能或動作。在由操作件(18)設定為外部控制端子的設定模式的情況下,數(shù)字混音器(10)的處理器(20)在顯示器(2...
          • 本申請公開了一種紅土鎳礦洗礦線的均勻出料控制系統(tǒng)及方法,紅土鎳礦洗礦線的均勻出料控制系統(tǒng)包括:電流信號采集模塊、判斷模塊以及給料速度控制模塊,所述電流信號采集模塊用于連接皮帶機的電機,以獲得皮帶機的電機電流值;所述判斷模塊用于判斷皮帶機的電...
          • 本申請?zhí)峁┮环N紅土鎳礦高壓浸出礦漿濃度調控系統(tǒng)及方法,屬于冶金技術領域,該系統(tǒng)包括:濃密機、高壓反應釜、循環(huán)浸出槽和自動調控裝置;濃密機的底流與高壓反應釜的進料端連接,高壓反應釜的出料端與循環(huán)浸出槽連接;自動調控裝置,用于獲取循環(huán)浸出槽內的...
          • 本發(fā)明涉及:圓柱形電池,該圓柱形電池包括接納電極組件的圓柱形罐,安裝在圓柱形罐的開口部分上的蓋組件,以及插置在圓柱形罐與蓋組件之間的襯墊,其中,圓柱形罐在其上部部分處設置有壓接部分,該壓接部分包裹襯墊的外周緣,在該壓接部分的末端處設置有進一...
          • 一種樹脂組成物包含樹脂組分、交聯(lián)劑、無機填充材、分散劑及翹曲抑制劑。樹脂組分包括液態(tài)熱固性樹脂、固態(tài)熱固性樹脂及熱塑性樹脂。翹曲抑制劑包括聚硅氧烷類化合物及磷腈類化合物中至少一者,以樹脂組成物的總量為100wt%計,翹曲抑制劑的含量范圍為1...
          • 本發(fā)明揭示了一種耐沖擊耐腐蝕異氰酸酯/硅酸鹽涂層及其制備方法,涂層包括以下重量份數(shù)的各組分:異氰酸酯樹脂30?90份,硅酸鹽10?50份,硅烷偶聯(lián)劑0.5?1份,有機酯0.5?1份,消泡劑0.5?1份,增稠劑0.5?1份,分散劑0.5?1份...
          • 本發(fā)明提供了反義寡核苷酸(ASO),反義寡核苷酸與CREPT基因序列互補,且能有效抑制CREPT的表達,反義寡核苷酸選自具有如SEQ ID No.1~3任一所示的核苷酸序列的反義寡核苷酸。該反義寡核苷酸(ASO)能高效且特異性靶向CREPT...
          • 本申請內容揭露一種半導體結構與一種制造半導體結構的方法。半導體結構包含第一芯片、第二芯片、第一接合層及電源管理晶粒。第一芯片中具有第一3D電容器結構。第二芯片中具有第二3D電容器結構。第一接合層將第一芯片與第二芯片接合。電源管理晶粒與第二芯...
          • 本申請實施例提供了一種物理通道映射關系的配置方法、存儲介質、電子裝置和計算機程序產(chǎn)品,該方法包括:獲取多個控制器的對應的物理通道信息;其中,物理通道信息包括預設的特定通道和最大使用場景下的多個控制器的每個控制器所使用的物理通道;確定目標控制...
          • 本公開的一些實施例涉及半導體器件及其制造方法。所述半導體器件包括:第一半導體芯片,所述第一半導體芯片包括第一接合焊盤以及一個或更多個第一虛設圖案;以及第二半導體芯片,所述第二半導體芯片位于所述第一半導體芯片上,包括第二接合焊盤和以及一個或更...
          • 本發(fā)明提供一種負極片、電池、電池組及用電設備,所述負極片包括負極集流體、以及位于所述負極集流體的至少一側表面的負極涂層,所述負極涂層包括非包覆型石墨,且所述負極涂層中的所述非包覆型石墨的OI值為0.06~2。本發(fā)明能夠降低電池阻抗,提高電池...
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