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								      一種樹(shù)脂組成物包含樹(shù)脂組分、交聯(lián)劑、無(wú)機(jī)填充材、分散劑及翹曲抑制劑。樹(shù)脂組分包括液態(tài)熱固性樹(shù)脂、固態(tài)熱固性樹(shù)脂及熱塑性樹(shù)脂。翹曲抑制劑包括聚硅氧烷類化合物及磷腈類化合物中至少一者，以樹(shù)脂組成物的總量為100wt％計(jì)，翹曲抑制劑的含量范圍為1...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明揭示了一種耐沖擊耐腐蝕異氰酸酯/硅酸鹽涂層及其制備方法，涂層包括以下重量份數(shù)的各組分：異氰酸酯樹(shù)脂30?90份，硅酸鹽10?50份，硅烷偶聯(lián)劑0.5?1份，有機(jī)酯0.5?1份，消泡劑0.5?1份，增稠劑0.5?1份，分散劑0.5?1份...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了反義寡核苷酸(ASO)，反義寡核苷酸與CREPT基因序列互補(bǔ)，且能有效抑制CREPT的表達(dá)，反義寡核苷酸選自具有如SEQ ID No.1～3任一所示的核苷酸序列的反義寡核苷酸。該反義寡核苷酸(ASO)能高效且特異性靶向CREPT...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)內(nèi)容揭露一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含第一芯片、第二芯片、第一接合層及電源管理晶粒。第一芯片中具有第一3D電容器結(jié)構(gòu)。第二芯片中具有第二3D電容器結(jié)構(gòu)。第一接合層將第一芯片與第二芯片接合。電源管理晶粒與第二芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種物理通道映射關(guān)系的配置方法、存儲(chǔ)介質(zhì)、電子裝置和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，該方法包括：獲取多個(gè)控制器的對(duì)應(yīng)的物理通道信息；其中，物理通道信息包括預(yù)設(shè)的特定通道和最大使用場(chǎng)景下的多個(gè)控制器的每個(gè)控制器所使用的物理通道；確定目標(biāo)控制...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)的一些實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述半導(dǎo)體器件包括：第一半導(dǎo)體芯片，所述第一半導(dǎo)體芯片包括第一接合焊盤以及一個(gè)或更多個(gè)第一虛設(shè)圖案；以及第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片位于所述第一半導(dǎo)體芯片上，包括第二接合焊盤和以及一個(gè)或更...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種負(fù)極片、電池、電池組及用電設(shè)備，所述負(fù)極片包括負(fù)極集流體、以及位于所述負(fù)極集流體的至少一側(cè)表面的負(fù)極涂層，所述負(fù)極涂層包括非包覆型石墨，且所述負(fù)極涂層中的所述非包覆型石墨的OI值為0.06～2。本發(fā)明能夠降低電池阻抗，提高電池...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種印刷抗靜電型聚酯離型膜及其制備方法，所述離型膜由PET基膜以及與PET基膜牢固結(jié)合的離型劑層構(gòu)成，所述PET基膜由添加有復(fù)合添加劑的PET顆粒共混熔融擠出后拉伸而成，離型劑層由離型劑固化而成；其中，所述復(fù)合添加劑由聚乙烯吡咯...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種帶有護(hù)筒結(jié)構(gòu)的橋梁灌注樁施工結(jié)構(gòu)及施工方法，屬于鉆孔灌注樁施工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，其包括筒體和導(dǎo)向件，所述筒體包括主體和連接環(huán)，所述連接環(huán)設(shè)于主體的兩端，所述導(dǎo)向件包括導(dǎo)向環(huán)和若干導(dǎo)向桿，若干導(dǎo)向桿沿導(dǎo)向環(huán)的環(huán)向均勻布設(shè)，若干所述導(dǎo)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種電池的化成方法、電池、電子設(shè)備，包括以下步驟：注液墩封后將電池放置在25～45℃的烘箱中一次陳化24～72h；3)一次陳化結(jié)束后，取出電芯做常溫化成；4)進(jìn)行三步恒流充電；5)二次陳化后充電為0.5～0.7C的電流恒流恒壓、截...
								
            
							
            
							
						
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								      一種絲素蛋白茶多酚水凝膠及其制備方法和應(yīng)用，其中絲素蛋白茶多酚水凝膠采用以下方法制備：(S10)絲素蛋白的制備；(S20)絲素蛋白水凝膠的制備，將SFMA和LAP的水溶液在紫外光下照，制備SFMA水凝膠；以及(S30)絲素蛋白茶多酚水凝膠的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種氰酸酯樹(shù)脂組合物、其制備方法以及阻燃樹(shù)脂。其制備方法包括：步驟S1，將氰酸酯單體與改性氰酸酯單體進(jìn)行第一混合，得到混合單體；步驟S2，混合單體經(jīng)聚合反應(yīng)，得到預(yù)聚物；步驟S3，將預(yù)聚物與環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行第二混合，得到氰酸酯樹(shù)脂組...
								
            
							
            
							
						
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								      一種包含光源、光傳感器以及導(dǎo)光件的導(dǎo)航傳感器。所述導(dǎo)光件包含第一反射面相對(duì)所述光源，用于將來(lái)自所述導(dǎo)光件的第一表面的所述光源的發(fā)射光束橫向地反射。所述導(dǎo)光件還包含第二反射面，用于將來(lái)自所述第一反射面的橫向光束朝向所述導(dǎo)光件的第二表面反射，以...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種粒子源、粒子生成方法及粒子加速器，其中，粒子源包括陽(yáng)極、陰極、容置腔、進(jìn)氣管路連接桿以及驅(qū)動(dòng)組件；容置腔用于收容至少部分所述陰極、且至少部分位于所述陰極和所述陽(yáng)極之間；進(jìn)氣管路用于向所述容置腔輸入氣體；驅(qū)動(dòng)組件基于所述氣體的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種電子設(shè)備、均溫板及其制備方法，涉及電子設(shè)備領(lǐng)域。旨在改善均溫板的散熱性能。具體方案為：均溫板包括第一金屬層、第二金屬層和毛細(xì)結(jié)構(gòu)，第一金屬層包括第一主體部和第一邊緣部。第二金屬層包括第二主體部和第二邊緣部；第一邊緣部和第二邊緣部的表面連...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種溝槽管道拼裝施工吊裝運(yùn)輸系統(tǒng)，屬于土建管道施工領(lǐng)域，其包括傳送軌道和運(yùn)輸門架，所述傳送軌道鋪設(shè)于基礎(chǔ)溝槽的槽底，所述運(yùn)輸門架上設(shè)有吊裝機(jī)構(gòu)，所述運(yùn)輸門架沿傳送軌道移動(dòng)，所述基礎(chǔ)溝槽內(nèi)且于傳送軌道的一端為中轉(zhuǎn)點(diǎn)，所述運(yùn)輸門架通過(guò)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)試液氮冷沖擊煤巖內(nèi)水冰相變凍脹力的系統(tǒng)及方法，液氮注入裝置精準(zhǔn)控制試樣的冷卻速率，確保在凍結(jié)過(guò)程中維持穩(wěn)定的溫度變化；樣品測(cè)試裝置實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)試樣在凍結(jié)過(guò)程中的流量、溫度、形變量及凍脹力參數(shù)，數(shù)據(jù)采集及控制裝置負(fù)責(zé)同步收集數(shù)據(jù)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底；位線，在襯底上沿第一方向延伸；豎直溝道圖案，在位線上；柵電極，在第一方向上與豎直溝道圖案相鄰；第一功函數(shù)調(diào)節(jié)圖案，在柵電極上；以及第一接觸件，在豎直溝道圖案上。第一功函數(shù)調(diào)節(jié)圖案在第一方向上與豎直溝道圖案的一端相...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體裝置可以包括：襯底，其包括單元陣列區(qū)域；數(shù)據(jù)存儲(chǔ)圖案，其位于單元陣列區(qū)域上并且在平行于襯底的頂表面的第一方向和第二方向上彼此間隔開(kāi)；字線，其位于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)圖案上，在第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此間隔開(kāi)；位線，其位于字線上以與字...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種記憶體裝置及其操作方法，記憶體裝置包含記憶體陣列，記憶體陣列包含多個(gè)記憶體單元，這些記憶體單元各自包含：記憶體單位；以及第一數(shù)目個(gè)第一晶體管，串聯(lián)耦接在記憶體單位與第一電壓端之間。記憶體裝置還包含耦接在記憶體陣列與第二電壓端之間的電...
								
            
							
            
							
						
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