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          • 本發明涉及一種制備3,5?二甲基?4?硝基苯酚的方法,具體地,本發明公開了一種3,5?二甲基?4?硝基苯酚的高效制備方法,包括下述步驟:a)3,5?二甲基苯酚發生溴代反應生成4?溴?3,5二甲基苯酚;b)4?溴?3,5二甲基苯酚在催化劑的作...
          • 本申請涉及一種時鐘信號生成裝置,包括:振蕩模塊,配置為響應于使能信號,提供周期性的振蕩信號;時鐘生成模塊,耦合至振蕩模塊,配置為獲取振蕩信號,生成多個周期性的初始時鐘信號;以及時鐘輸出模塊,耦合至時鐘生成模塊,配置為基于初始時鐘信號生成相應...
          • 本申請公開了一種圖像降噪方法、裝置、計算機設備及存儲介質,方法包括:對待降噪圖像進行壓縮處理,得到壓縮后的待降噪圖像;利用降噪模型對壓縮后的待降噪圖像進行降噪處理,得到初始降噪圖像;對初始降噪圖像進行解壓縮處理,得到解壓縮后的初始降噪圖像;...
          • 本申請公開了儲能裝置的監測方法、用電裝置以及儲能裝置,儲能裝置包括殼體、儲能單元組和溫濕度傳感器,儲能單元組和溫濕度傳感器設置于殼體內部,監測方法包括:通過溫濕度傳感器檢測殼體內部的實時溫度和實時濕度。確定與實時濕度相匹配的露點溫度,并比較...
          • 本發明的實施方式提供降低了由毛刺引起的品質降低的風險的半導體元件、半導體裝置以及半導體元件的制造方法。本實施方式的半導體元件具備在正面形成有電路圖案的半導體層、配置于上述半導體層的背面的電極層、覆蓋上述電極層的背面和上述半導體層的側面以及上...
          • 本發明提供一種多色光源裝置及其制造方法,多色光源裝置包括基板、發光框體、多個發光納米柱及至少一波長轉換層。發光框體配置于基板上,且圍繞出至少一容置空間。這些發光納米柱配置于基板上,且位于容置空間中,其中發光框體與這些發光納米柱為相同發光顏色...
          • 本公開實施例涉及一種設備省電方法、通信設備及通信系統。所述設備省電方法包括:第一設備在第一超時時間內未接收到物理層開始接收指示信息,或所述第一設備在第一間隔時間內未向所述第二設備發送第一無線幀,則所述第一設備在第一傳輸時延內從第一能力模式切...
          • 本申請實施例提供了一種老化測試驗證結構及測試方法,涉及半導體設計的技術領域,其中,所述老化測試驗證結構包括:至少一層高速板材層,設置有高速鏈路,用于傳輸高速信號;至少一層低速板材層,位于所述高速板材層的一側,設置有低速鏈路,用于傳輸低速信號...
          • 可以利用RAW數據檢測地上物體等對象物。學習模型使用教師數據進行學習,所述教師數據是將基于照射到學習區域的電磁波被反射的反射電磁波的第一合成孔徑雷達接收信號的特征量作為輸入且將對象物在學習區域中的第一對象物信息作為輸出的數據,使計算機實現以...
          • 本發明公開了一種碳罐安裝結構。燃油系統和車輛,所述碳罐安裝結構包括第一支架、第二支架和碳罐,所述第一支架和所述第二支架沿車身的高度方向間隔設在所述車身的輪罩內,所述第一支架鄰近所述輪罩的頂部設置,所述第一支架具有第一插接部,所述第二支架位于...
          • 本發明的目的在于抑制存儲器設備的面積增加。一個實施方式的存儲器設備具備:第1芯片,包含具有字線及位線的存儲單元陣列;第2芯片,包含第1襯底及設置在第1襯底上的第1電路,與第1芯片相接;第3芯片,包含第2襯底及設置在第2襯底上的第2電路,與第...
          • 實施方式提供提高成品率的半導體存儲裝置。實施方式的半導體存儲裝置具備:具有第一區域、以及從上方觀察時包圍第一區域的外側的第二區域的基板;將設于基板的阱區域以及從上方觀察時以包圍阱區域的方式設置的基板的區域在與基板平行的方向上分離的第一部件;...
          • 本發明涉及一種基于結構參數修正和疲勞仿真分析的車燈開發方法。該方法包括燈具結構參數修正和燈具疲勞仿真分析兩部分,其中在燈具結構參數修正階段包括依次進行的建立目標模態、模型簡化、設置初始參數、模態分析、仿真模態與目標模態確認、模態分析結果處理...
          • 本發明實施例提供了一種芯片powermap溫度分布的測量方法及測量裝置,其中,該方法包括:確定黑體輻射量和溫度的對應關系;采集芯片在多個不同第二溫度下各像素點的第一輻射量;對于各像素點中的每個像素點,確定該像素點的第一發射率;根據每個像素點...
          • 提供一種散熱結構。根據本發明的一方面的散熱結構,包括:印刷電路板,在一表面上設置有具有規定面積的散熱墊;發熱元件,通過結合部結合在所述散熱墊上且具有與所述散熱墊相鄰配置的一表面和與所述一表面相對的另一表面;散熱器,具有與所述發熱元件的另一表...
          • 本申請實施例提供了一種芯粒、芯粒的測試方法、芯片、計算機程序產品,涉及半導體可測性設計的技術領域,其中,該芯粒包括通道切換模塊;其中,所述通道切換模塊包括:至少一個輸入接口,用于接收多個測試數據;至少一個輸出接口,用于與所述輸入接口形成至少...
          • 本發明公開了一種提高腈水解酶熱穩定性的定向進化方法,屬于酶工程技術領域。本發明熱穩定性提高的祖先酶通過以下方法得到:收集腈水解酶的序列進行進化樹分析獲得進化景觀,結合祖先酶重構算法獲得祖先酶的氨基酸序列,構建祖先酶一級結構序列文庫;隨后對所...
          • 本發明提供了一種負極以及包括該負極的鋰離子二次電池,所述負極包含集電體和活性材料層,其中,所述活性材料層包含碳材料顆粒和金屬硫化物顆粒,所述金屬硫化物包含選自由Ag2S、MnS和GeS組成的組中的至少一種。
          • 公開了一種電極生產裝置、包括由該電極生產裝置生產的電極的電池電芯、以及包括電池電芯的電池組和車輛。根據本發明的實施方式的電極生產裝置是用于通過輸送其上形成有涂層的涂覆部分和無涂層的未涂覆部分的電極箔來生產電極的電極生產裝置,所述電極生產裝置...
          • 本申請涉及半導體柵極結構及其形成方法。一種方法包括:在第一溝道區域上沉積柵極電介質層;在柵極電介質層上沉積p型功函數調整層;將p型功函數調整層暴露于硅基前體一段時間;以及在p型功函數調整層上沉積n型功函數調整層。將p型功函數調整層暴露于硅基...
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