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          • 本發(fā)明提供了一種下電極組件及等離子體處理裝置,其中所述下電極組件包括:靜電卡盤(pán),用于在等離子體處理裝置的反應(yīng)腔中支撐待處理基片;若干個(gè)氣體傳輸通道,其貫穿所述靜電卡盤(pán)設(shè)置;每個(gè)所述氣體傳輸通道包括相互連通的第一通氣孔、第二通氣孔和第一安裝槽...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種工藝腔室及半導(dǎo)體設(shè)備,屬于半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域。所公開(kāi)的半導(dǎo)體設(shè)備包括工藝腔室,工藝腔室包括腔室本體以及設(shè)于腔室本體內(nèi)的安裝件、加熱燈和基座;其中,安裝件與腔室本體的內(nèi)壁相連,加熱燈通過(guò)安裝件固定于腔室本體內(nèi)、并與安裝件活動(dòng)連...
          • 一種將微導(dǎo)電柱體置入微孔的方法,其包括:提供基板,基板具有多個(gè)微孔,微孔的深度與孔徑的比例范圍為0.5至12。置放多個(gè)微導(dǎo)電柱體于多個(gè)微孔的上方,每一微導(dǎo)電柱體具有磁性。提供磁力于基板的下方,每一微導(dǎo)電柱體朝向基板的方向受磁力吸引。以水平方...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備,涉及封裝技術(shù)領(lǐng)域,能夠解決因連接器的設(shè)置而導(dǎo)致轉(zhuǎn)接板的面積增大的問(wèn)題。該芯片封裝結(jié)構(gòu)包括轉(zhuǎn)接板、至少一個(gè)第一芯片、至少一個(gè)第二芯片、支撐結(jié)構(gòu)、連接器。第一芯片設(shè)置在轉(zhuǎn)接板的正面、并與轉(zhuǎn)接板電連接。第二芯...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)。該半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括:基板;半導(dǎo)體堆疊結(jié)構(gòu),包括多個(gè)沿第一方向依次堆疊于所述基板一側(cè)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);以及熱管結(jié)構(gòu),其至少一部分位于最靠近所述基板的所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中,至少另外一部分沿所述第一...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種工藝監(jiān)測(cè)系統(tǒng),屬于芯片工藝監(jiān)測(cè)領(lǐng)域。本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓に嚤O(jiān)測(cè)系統(tǒng)包括:設(shè)置在芯片的目標(biāo)區(qū)域的工藝監(jiān)測(cè)單元,包括基本單元為與非門(mén)電路的第一環(huán)形振蕩器,以及基本單元為或非門(mén)電路的第二環(huán)形振蕩器;與第一環(huán)形振蕩器和第二環(huán)形振蕩器的輸出...
          • 本發(fā)明提供了一種復(fù)合正極片及其制備方法、鈉離子電池,涉及電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的復(fù)合正極片,包括集流體和涂布于集流體上的正極活性物質(zhì)層;正極活性物質(zhì)層包括正極主材、導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑正極主材包括復(fù)合磷酸鐵鈉和O3相層狀氧化物;復(fù)合磷酸鐵鈉和O...
          • 本申請(qǐng)涉及一種負(fù)極極片及其制備方法、電池、用電設(shè)備。一種負(fù)極極片,負(fù)極極片包括:負(fù)極集流體以及鋰金屬層。負(fù)極集流體具有第一表面和相對(duì)的第二表面;鋰金屬層負(fù)載在負(fù)極集流體的第一表面和第二表面。上述技術(shù)方案,在負(fù)極集流體的表面負(fù)載鋰金屬作為負(fù)極...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種高比例活性物質(zhì)負(fù)極漿料及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明提供的負(fù)極漿料包括活性物質(zhì)、導(dǎo)電劑和復(fù)合粘結(jié)劑;所述復(fù)合粘結(jié)劑由羧甲基纖維素鈉、丁苯橡膠乳液和聚丙烯酸類粘結(jié)劑按照質(zhì)量比1:(1.5?2):(1.5?2)組成。本發(fā)明通過(guò)添加聚...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種氫耗的確定方法、裝置及電子設(shè)備。其中,該方法包括:確定預(yù)定時(shí)間段內(nèi)第一氫氣的第一消耗量,以及,第二氫氣在預(yù)定時(shí)間段內(nèi)的多個(gè)時(shí)間間隔分別對(duì)應(yīng)的第二消耗量,其中,第一氫氣為儲(chǔ)氫系統(tǒng)中存儲(chǔ)的氫氣,第二氫氣為被轉(zhuǎn)化為電能消耗的氫氣;...
          • 本發(fā)明提供了一種儲(chǔ)氫系統(tǒng)下線后的加氫控制方法和電子設(shè)備,涉及加氫控制的技術(shù)領(lǐng)域,包括:獲取儲(chǔ)氫系統(tǒng)的壓力檢測(cè)值;若檢測(cè)到儲(chǔ)氫系統(tǒng)的高壓壓力低于第一預(yù)設(shè)壓力閾值且高于第二預(yù)設(shè)壓力閾值,并且,儲(chǔ)氫系統(tǒng)的中壓壓力低于第三預(yù)設(shè)壓力閾值,則儲(chǔ)氫系統(tǒng)的...
          • 本公開(kāi)提出了一種檢測(cè)燃料電池的水含量的方法。該方法包括如下步驟:測(cè)量燃料電池的電壓信號(hào);對(duì)測(cè)量的電壓信號(hào)進(jìn)行處理,以提取電壓波動(dòng)信號(hào)的一階分量;以及基于提取的電壓波動(dòng)信號(hào)的一階分量和預(yù)先確定的燃料電池的電壓波動(dòng)信號(hào)的一階分量與水含量之間的映...
          • 本申請(qǐng)涉及電池領(lǐng)域,提供一種電解液添加劑及電解液和電池。所述電解液添加劑包括硅氧烷類化合物、碳酸亞乙烯酯和氟代碳酸乙烯酯,所述硅氧烷類化合物為式1所示化合物中的至少一種,式1中,m表示1~12中的任意整數(shù),R1、R
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種可堆疊電池包及其控制裝置、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及電器設(shè)備,所述裝置應(yīng)用于儲(chǔ)能系統(tǒng)中,儲(chǔ)能系統(tǒng)至少包括層疊的第一電池包和第二電池包,第一電池包包括第一控制裝置,第二電池包包括與第一控制裝置結(jié)構(gòu)相同的第二控制裝置,第一控制裝置包括:第一識(shí)...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種電池包層疊位置識(shí)別裝置、電池包、儲(chǔ)能系統(tǒng)及電器設(shè)備,該裝置應(yīng)用于儲(chǔ)能系統(tǒng)中,儲(chǔ)能系統(tǒng)至少包括第一電池包和第二電池包,第一電池包包括第一識(shí)別裝置,第二電池包包括與第一識(shí)別裝置結(jié)構(gòu)相同的第二識(shí)別裝置,第一識(shí)別裝置包括:第一識(shí)別電...
          • 本發(fā)明涉及一種電池包及包括其的車(chē)輛及其熱管理方法。該電池包包括殼體、布置于殼體中的電池模組和用于加熱和冷卻電池模組的熱管理系統(tǒng)。該熱管理系統(tǒng)包括:至少一個(gè)第一管道和至少一個(gè)第二管道,第一管道和第二管道均至少部分抵靠模組的表面彎曲延伸并包括第...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N隔膜、鈉離子電池、電池包及儲(chǔ)能系統(tǒng),隔膜包括:基膜、以及設(shè)于基膜表面的第一涂層,第一涂層位于基膜朝向正極的一側(cè),第一涂層中包括第一活性穩(wěn)定劑,第一活性穩(wěn)定劑選自:鈉基聚陰離子化合物、鈉基層狀過(guò)渡金屬氧化物、普魯士藍(lán)中的至少一種...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N諧振單元、濾波器及基站,諧振單元包括介質(zhì)塊,介質(zhì)塊具有在第一方向上相背設(shè)置的頂面和底面、以及相接于頂面和底面之間的側(cè)面,介質(zhì)塊設(shè)有諧振槽,諧振槽從介質(zhì)塊的頂面或底面向內(nèi)凹陷,諧振槽的槽底面和槽壁面上覆蓋有電磁屏蔽層。諧振槽包...
          • 本公開(kāi)提供了一種天線模組和電子設(shè)備,涉及電子設(shè)備領(lǐng)域。天線模組包括承載件和導(dǎo)電件,導(dǎo)電件蓋設(shè)與所述承載件的第一表面,以圍成腔體天線。導(dǎo)電件包括第一板體,第一板體與承載件的第一表面相對(duì),第一板體上設(shè)置有窗口。導(dǎo)電件與承載件形成腔體天線,適用于...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種LVDS線端連接器殼體、線端連接器及其組件,所述殼體包括平面部和設(shè)置在平面部寬度方向的一對(duì)懸臂部,每一懸臂部包括與平面部相連接的底壁、沿底壁一長(zhǎng)邊向上折彎的第一側(cè)壁,在所述第一側(cè)壁的端部設(shè)有一彈性按壓鍵,所述彈性按壓鍵包括外...
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