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          • 本發(fā)明公開一種貼壁安裝使用的熱電偶及其應(yīng)用,將測溫芯體進(jìn)行整體固定,以將測溫芯體的測溫點(diǎn)固定在需要測量和/或監(jiān)測溫度的位置上,并在這一位置上設(shè)置熱電偶定位罩,測溫芯體經(jīng)彎折形成一彎曲結(jié)構(gòu)后,測溫芯體尾端的測溫點(diǎn)通過安裝結(jié)構(gòu)設(shè)置在位于內(nèi)網(wǎng)和外...
          • 本申請公開了白細(xì)胞檢測修正方法及白細(xì)胞檢測修正裝置,該白細(xì)胞檢測修正方法包括:基于DIFF通道對含有目標(biāo)樣本的第一樣本液進(jìn)行檢測,得到第一樣本液中的白細(xì)胞總數(shù),記作第一數(shù)量;基于WNR通道對含有目標(biāo)樣本的第二樣本液進(jìn)行檢測,得到目標(biāo)樣本的白...
          • 一種高強(qiáng)鋼齒轂類齒形零件的齒形成形極限評估方法及裝置,用于在液壓機(jī)上進(jìn)行齒形成形極限評估試驗(yàn),包括:置于可上下運(yùn)行的上模板、設(shè)有凸模的上模及對應(yīng)的置于下模板上的下模,下模為一組以對稱式鑲塊結(jié)構(gòu)拼接、凹口向下的凹模,上設(shè)反頂桿及反頂塊,凹模每...
          • 本發(fā)明公開了近紅外漫反射法測定丁苯膠漿中結(jié)合苯乙烯含量的方法:步驟1、采集膠漿樣品近紅外漫反射光譜;步驟2、測量膠漿樣品中結(jié)合苯乙烯含量;步驟3、對近紅外漫反射光譜信息預(yù)處理;步驟4、將近紅外光譜數(shù)據(jù)分為校正集和驗(yàn)證集,進(jìn)行回歸建模,得到近...
          • 本發(fā)明公開一種基于橫電模式表面晶格共振超表面的超靈敏角度調(diào)制檢測方法,屬于表面等離激元光子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用全金屬超表面,避免了借助傳統(tǒng)光學(xué)元件如棱鏡,且本發(fā)明采用寬帶光代替?zhèn)鹘y(tǒng)激光,能夠打破單色激光的限制并保證小角度入射,此外,本發(fā)明...
          • 本發(fā)明公開了一種具有催化氧化功能的表面增強(qiáng)拉曼檢測基板及其制備方法和應(yīng)用,表面增強(qiáng)拉曼檢測基板的結(jié)構(gòu)包括鍍金基板以及負(fù)載在鍍金基板上的金納米顆粒和納米酶;所述表面增強(qiáng)拉曼檢測基板上修飾有手性配體。本發(fā)明制備得到的具有催化氧化功能的表面增強(qiáng)拉...
          • 本發(fā)明公開了丁腈脫氣膠漿中結(jié)合丙烯腈含量檢測的方法:步驟1、采集樣品核磁共振波譜;步驟2、測量樣品中結(jié)合丙烯腈含量;步驟3、對采集的核磁共振波譜進(jìn)行預(yù)處理;步驟4、將步驟3得到的數(shù)據(jù)劃分為校正集和驗(yàn)證集,然后進(jìn)行回歸建模;步驟5、對模型進(jìn)行...
          • 本發(fā)明公開了一種適用于顯微鏡的薄層原位電解池、制備方法及其應(yīng)用,屬于電解池領(lǐng)域,一種適用于顯微鏡的薄層原位電解池,包括透明基底、透明電極、密封粘接層、蓋玻片、防水絕緣膠、導(dǎo)體、電解液、以及外接電源,透明基底刻蝕有若干透明電極,透明基底通過密...
          • 本發(fā)明提供了一種泥質(zhì)灰?guī)r中泥質(zhì)組分成因確定方法及裝置,泥質(zhì)灰?guī)r中泥質(zhì)組分成因確定方法包括:對預(yù)先獲取的目標(biāo)泥質(zhì)灰?guī)r的巖樣進(jìn)行組分分離,以獲取所述巖樣中的碳酸鹽組分以及泥質(zhì)組分;獲取所述泥質(zhì)組分的第一同位素標(biāo)定值,以及所述碳酸鹽組分的第二同位...
          • 本發(fā)明提供了一種用于提取轉(zhuǎn)速特征值的裝置,該裝置包括振動(dòng)模塊、音頻模塊、采樣模塊和計(jì)算單元。振動(dòng)模塊用于獲取待測設(shè)備的振動(dòng)信息,并將振動(dòng)信息處理為振動(dòng)電壓信號。音頻模塊用于獲取待測設(shè)備的音頻信息,并將音頻信息處理為音頻電壓信號。采樣模塊用于...
          • 功耗測量裝置以及功耗測量方法。功耗測量裝置包含分時(shí)多工測量器以及分時(shí)多工計(jì)算器。分時(shí)多工測量器包含多個(gè)測量端,多個(gè)測量端用以分別測量多個(gè)待測物的多個(gè)功耗。分時(shí)多工計(jì)算器用以將多個(gè)功耗設(shè)置于同一時(shí)間基準(zhǔn)上,并計(jì)算多個(gè)功耗的多個(gè)測量值。
          • 本文公開液晶反射陣天線的測試方法及系統(tǒng)。所述方法包括:將液晶反射陣天線的陣面劃分為多個(gè)區(qū)域并依次成為待測區(qū)域,將待測區(qū)域內(nèi)的所有陣元的控制電壓設(shè)置為統(tǒng)一的第一電壓值,其他陣元設(shè)置為統(tǒng)一的第二電壓值,將近場探頭依次設(shè)置在每個(gè)待測區(qū)域的正上方并...
          • 工藝角模擬系統(tǒng)包含頻率產(chǎn)生器、晶體管敏感電路、及工藝角模擬器。頻率產(chǎn)生器用于產(chǎn)生頻率信號。晶體管敏感電路耦接于頻率產(chǎn)生器,用以接收頻率信號。工藝角模擬器耦接于晶體管敏感電路,用以接收晶體管敏感電路產(chǎn)生的至少一個(gè)輸出信號。晶體管敏感電路的至少...
          • 一種芯片測試裝置、芯片測試系統(tǒng)及芯片測試方法。所述芯片測試裝置包括:測試子板、測試母板及ATE,所述ATE具有測試基板;其中:所述測試子板用于承載待測芯片,并與所述待測芯片的測試管腳電連接;所述測試母板用于承載所述測試子板,以通過所述測試子...
          • 本申請公開一種測試裝置和測試設(shè)備,測試裝置用于在測試環(huán)境溫度下對待測芯片進(jìn)行低溫測試,測試裝置包括加熱組件和測試組件。其中,測試組件包括主控芯片、配套電路和電源芯片,加熱組件與主控芯片、配套電路和電源芯片中至少一者接觸,用于在待測芯片的測試...
          • 本申請?zhí)峁┮环N掃描鏈設(shè)計(jì)方法及相關(guān)裝置,該掃描鏈設(shè)計(jì)方法包括:獲取輸入網(wǎng)表,該輸入網(wǎng)表包括M條掃描鏈和測試壓縮邏輯,任意一條掃描鏈中掃描寄存器的個(gè)數(shù)小于等于N;基于該測試壓縮邏輯對該M條掃描鏈進(jìn)行K次壓縮測試,并生成K個(gè)測試激勵(lì),每個(gè)測試激...
          • 本申請涉及一種電池檢測方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品,方法包括:通過根據(jù)獲取的多個(gè)儲(chǔ)能單元的檢測數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)設(shè)基礎(chǔ)故障檢測處理和預(yù)設(shè)高階故障檢測處理。進(jìn)一步地,基于預(yù)設(shè)基礎(chǔ)故障檢測處理和預(yù)設(shè)高階故障檢測處理的結(jié)果得到電池故障檢測數(shù)據(jù)。可...
          • 本申請涉及一種電池檢測方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品,方法包括:通過根據(jù)獲取的多個(gè)儲(chǔ)能單元的檢測數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)設(shè)基礎(chǔ)故障檢測處理和預(yù)設(shè)高階故障檢測處理,得到電池故障檢測數(shù)據(jù)。進(jìn)一步地,根據(jù)多個(gè)儲(chǔ)能單元的檢測數(shù)據(jù)進(jìn)行電池壽命評估處理,得到電...
          • 本申請涉及一種電池信息處理方法、裝置、設(shè)備和、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品,方法包括:在接收到針對目標(biāo)電池的電池信息展示指令后,根據(jù)電池信息展示指令指示的展示內(nèi)容類型標(biāo)識(shí)獲取目標(biāo)電池的目標(biāo)對比圖表,并展示目標(biāo)對比圖表,其中,目標(biāo)對比圖表用于反映目標(biāo)電...
          • 本發(fā)明實(shí)施例公開了磁共振成像系統(tǒng)中的時(shí)鐘同步方法、裝置及磁共振成像系統(tǒng)。方法包括:從MR無線線圈端發(fā)送包含MR數(shù)據(jù)和訓(xùn)練數(shù)據(jù)的信號;MR成像系統(tǒng)采用第二時(shí)鐘作為參考時(shí)鐘,用預(yù)先保存的原始訓(xùn)練數(shù)據(jù)對信號中的訓(xùn)練數(shù)據(jù)進(jìn)行相干性相位分析,得到第二...
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