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								      本發(fā)明提供一種頁(yè)巖儲(chǔ)層裂縫密度預(yù)測(cè)方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及計(jì)算裝置，所述方法包括：步驟101，對(duì)單井巖心進(jìn)行裂縫段和含氣性分析，得到巖心描述的裂縫條數(shù)和裂縫密度；步驟102，根據(jù)巖心分息和測(cè)井信息，設(shè)計(jì)單井裂縫正演模擬參數(shù)；步驟103，在不同參數(shù)組...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了磁共振成像系統(tǒng)中的時(shí)鐘同步方法、裝置及磁共振成像系統(tǒng)。方法包括：從MR無(wú)線線圈端發(fā)送包含MR數(shù)據(jù)和訓(xùn)練數(shù)據(jù)的信號(hào)；MR成像系統(tǒng)采用第二時(shí)鐘作為參考時(shí)鐘，用預(yù)先保存的原始訓(xùn)練數(shù)據(jù)對(duì)信號(hào)中的訓(xùn)練數(shù)據(jù)進(jìn)行相干性相位分析，得到第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種電池信息處理方法、裝置、設(shè)備和、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品，方法包括：在接收到針對(duì)目標(biāo)電池的電池信息展示指令后，根據(jù)電池信息展示指令指示的展示內(nèi)容類(lèi)型標(biāo)識(shí)獲取目標(biāo)電池的目標(biāo)對(duì)比圖表，并展示目標(biāo)對(duì)比圖表，其中，目標(biāo)對(duì)比圖表用于反映目標(biāo)電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種電池檢測(cè)方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品，方法包括：通過(guò)根據(jù)獲取的多個(gè)儲(chǔ)能單元的檢測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)設(shè)基礎(chǔ)故障檢測(cè)處理和預(yù)設(shè)高階故障檢測(cè)處理，得到電池故障檢測(cè)數(shù)據(jù)。進(jìn)一步地，根據(jù)多個(gè)儲(chǔ)能單元的檢測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行電池壽命評(píng)估處理，得到電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種電池檢測(cè)方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和程序產(chǎn)品，方法包括：通過(guò)根據(jù)獲取的多個(gè)儲(chǔ)能單元的檢測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)設(shè)基礎(chǔ)故障檢測(cè)處理和預(yù)設(shè)高階故障檢測(cè)處理。進(jìn)一步地，基于預(yù)設(shè)基礎(chǔ)故障檢測(cè)處理和預(yù)設(shè)高階故障檢測(cè)處理的結(jié)果得到電池故障檢測(cè)數(shù)據(jù)。可...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N掃描鏈設(shè)計(jì)方法及相關(guān)裝置，該掃描鏈設(shè)計(jì)方法包括：獲取輸入網(wǎng)表，該輸入網(wǎng)表包括M條掃描鏈和測(cè)試壓縮邏輯，任意一條掃描鏈中掃描寄存器的個(gè)數(shù)小于等于N；基于該測(cè)試壓縮邏輯對(duì)該M條掃描鏈進(jìn)行K次壓縮測(cè)試，并生成K個(gè)測(cè)試激勵(lì)，每個(gè)測(cè)試激...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)一種測(cè)試裝置和測(cè)試設(shè)備，測(cè)試裝置用于在測(cè)試環(huán)境溫度下對(duì)待測(cè)芯片進(jìn)行低溫測(cè)試，測(cè)試裝置包括加熱組件和測(cè)試組件。其中，測(cè)試組件包括主控芯片、配套電路和電源芯片，加熱組件與主控芯片、配套電路和電源芯片中至少一者接觸，用于在待測(cè)芯片的測(cè)試...
								
            
							
            
							
						
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								      一種芯片測(cè)試裝置、芯片測(cè)試系統(tǒng)及芯片測(cè)試方法。所述芯片測(cè)試裝置包括：測(cè)試子板、測(cè)試母板及ATE，所述ATE具有測(cè)試基板；其中：所述測(cè)試子板用于承載待測(cè)芯片，并與所述待測(cè)芯片的測(cè)試管腳電連接；所述測(cè)試母板用于承載所述測(cè)試子板，以通過(guò)所述測(cè)試子...
								
            
							
            
							
						
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								      工藝角模擬系統(tǒng)包含頻率產(chǎn)生器、晶體管敏感電路、及工藝角模擬器。頻率產(chǎn)生器用于產(chǎn)生頻率信號(hào)。晶體管敏感電路耦接于頻率產(chǎn)生器，用以接收頻率信號(hào)。工藝角模擬器耦接于晶體管敏感電路，用以接收晶體管敏感電路產(chǎn)生的至少一個(gè)輸出信號(hào)。晶體管敏感電路的至少...
								
            
							
            
							
						
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								      本文公開(kāi)液晶反射陣天線的測(cè)試方法及系統(tǒng)。所述方法包括：將液晶反射陣天線的陣面劃分為多個(gè)區(qū)域并依次成為待測(cè)區(qū)域，將待測(cè)區(qū)域內(nèi)的所有陣元的控制電壓設(shè)置為統(tǒng)一的第一電壓值，其他陣元設(shè)置為統(tǒng)一的第二電壓值，將近場(chǎng)探頭依次設(shè)置在每個(gè)待測(cè)區(qū)域的正上方并...
								
            
							
            
							
						
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								      功耗測(cè)量裝置以及功耗測(cè)量方法。功耗測(cè)量裝置包含分時(shí)多工測(cè)量器以及分時(shí)多工計(jì)算器。分時(shí)多工測(cè)量器包含多個(gè)測(cè)量端，多個(gè)測(cè)量端用以分別測(cè)量多個(gè)待測(cè)物的多個(gè)功耗。分時(shí)多工計(jì)算器用以將多個(gè)功耗設(shè)置于同一時(shí)間基準(zhǔn)上，并計(jì)算多個(gè)功耗的多個(gè)測(cè)量值。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種用于提取轉(zhuǎn)速特征值的裝置，該裝置包括振動(dòng)模塊、音頻模塊、采樣模塊和計(jì)算單元。振動(dòng)模塊用于獲取待測(cè)設(shè)備的振動(dòng)信息，并將振動(dòng)信息處理為振動(dòng)電壓信號(hào)。音頻模塊用于獲取待測(cè)設(shè)備的音頻信息，并將音頻信息處理為音頻電壓信號(hào)。采樣模塊用于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種泥質(zhì)灰?guī)r中泥質(zhì)組分成因確定方法及裝置，泥質(zhì)灰?guī)r中泥質(zhì)組分成因確定方法包括：對(duì)預(yù)先獲取的目標(biāo)泥質(zhì)灰?guī)r的巖樣進(jìn)行組分分離，以獲取所述巖樣中的碳酸鹽組分以及泥質(zhì)組分；獲取所述泥質(zhì)組分的第一同位素標(biāo)定值，以及所述碳酸鹽組分的第二同位...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于顯微鏡的薄層原位電解池、制備方法及其應(yīng)用，屬于電解池領(lǐng)域，一種適用于顯微鏡的薄層原位電解池，包括透明基底、透明電極、密封粘接層、蓋玻片、防水絕緣膠、導(dǎo)體、電解液、以及外接電源，透明基底刻蝕有若干透明電極，透明基底通過(guò)密...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了丁腈脫氣膠漿中結(jié)合丙烯腈含量檢測(cè)的方法：步驟1、采集樣品核磁共振波譜；步驟2、測(cè)量樣品中結(jié)合丙烯腈含量；步驟3、對(duì)采集的核磁共振波譜進(jìn)行預(yù)處理；步驟4、將步驟3得到的數(shù)據(jù)劃分為校正集和驗(yàn)證集，然后進(jìn)行回歸建模；步驟5、對(duì)模型進(jìn)行...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種具有催化氧化功能的表面增強(qiáng)拉曼檢測(cè)基板及其制備方法和應(yīng)用，表面增強(qiáng)拉曼檢測(cè)基板的結(jié)構(gòu)包括鍍金基板以及負(fù)載在鍍金基板上的金納米顆粒和納米酶；所述表面增強(qiáng)拉曼檢測(cè)基板上修飾有手性配體。本發(fā)明制備得到的具有催化氧化功能的表面增強(qiáng)拉...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種基于橫電模式表面晶格共振超表面的超靈敏角度調(diào)制檢測(cè)方法，屬于表面等離激元光子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用全金屬超表面，避免了借助傳統(tǒng)光學(xué)元件如棱鏡，且本發(fā)明采用寬帶光代替?zhèn)鹘y(tǒng)激光，能夠打破單色激光的限制并保證小角度入射，此外，本發(fā)明...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了近紅外漫反射法測(cè)定丁苯膠漿中結(jié)合苯乙烯含量的方法：步驟1、采集膠漿樣品近紅外漫反射光譜；步驟2、測(cè)量膠漿樣品中結(jié)合苯乙烯含量；步驟3、對(duì)近紅外漫反射光譜信息預(yù)處理；步驟4、將近紅外光譜數(shù)據(jù)分為校正集和驗(yàn)證集，進(jìn)行回歸建模，得到近...
								
            
							
            
							
						
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								      一種高強(qiáng)鋼齒轂類(lèi)齒形零件的齒形成形極限評(píng)估方法及裝置，用于在液壓機(jī)上進(jìn)行齒形成形極限評(píng)估試驗(yàn)，包括：置于可上下運(yùn)行的上模板、設(shè)有凸模的上模及對(duì)應(yīng)的置于下模板上的下模，下模為一組以對(duì)稱(chēng)式鑲塊結(jié)構(gòu)拼接、凹口向下的凹模，上設(shè)反頂桿及反頂塊，凹模每...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了白細(xì)胞檢測(cè)修正方法及白細(xì)胞檢測(cè)修正裝置，該白細(xì)胞檢測(cè)修正方法包括：基于DIFF通道對(duì)含有目標(biāo)樣本的第一樣本液進(jìn)行檢測(cè)，得到第一樣本液中的白細(xì)胞總數(shù)，記作第一數(shù)量；基于WNR通道對(duì)含有目標(biāo)樣本的第二樣本液進(jìn)行檢測(cè)，得到目標(biāo)樣本的白...
								
            
							
            
							
						
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          技術(shù)分類(lèi)
          
                  
          
                      
                  
          
                
          
            
          
          
          
      
          
    
          
    
    

























































































































































 
 
    







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