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          • 本發(fā)明公開了一種顯示面板的補(bǔ)償方法及補(bǔ)償裝置。顯示面板的補(bǔ)償方法包括:仿真確定顯示面板的仿真補(bǔ)償數(shù)據(jù),其中,所述仿真補(bǔ)償數(shù)據(jù)包括至少兩個(gè)不同的預(yù)設(shè)灰階對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償數(shù)據(jù),每一預(yù)設(shè)灰階對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償數(shù)據(jù)中包括至少兩個(gè)不同亮度差下每一發(fā)光顏色的子像素的...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置和顯示設(shè)備,涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,降低了顯示裝置的功耗。具體方案為:獲取顯示裝置的狀態(tài)信息,狀態(tài)信息包括顯示亮度和/或工作溫度,根據(jù)狀態(tài)信息向多組柵極驅(qū)動(dòng)電路中的第一柵極驅(qū)動(dòng)電路輸出柵極電壓,第一...
          • 在本公開提供的顯示面板的補(bǔ)償方法、補(bǔ)償裝置及顯示設(shè)備中,顯示面板在第N(N為正整數(shù))幀的刷新率與第N+1幀的刷新率不相等,第N幀的極性與第N+1幀的極性相反;補(bǔ)償方法包括:自時(shí)序控制器正常工作的第一幀開始,以至少一幀為單位累計(jì)一次數(shù)據(jù)極性時(shí)...
          • 本公開的實(shí)施例涉及一種用于混合音頻的方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)和程序產(chǎn)品。該方法包括獲取針對(duì)多個(gè)音軌中的第一音軌的目標(biāo)人聲和針對(duì)多個(gè)音軌中的第二音軌的目標(biāo)背景音樂。該方法還包括確定針對(duì)與人聲有關(guān)的第一組音軌的第一組聲音特征和針對(duì)與背景音樂有關(guān)的...
          • 本申請(qǐng)公開了一種語音降噪方法、裝置及相關(guān)裝置,屬于音頻處理技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括:通過麥克風(fēng)采集第一麥克信號(hào),第一麥克信號(hào)包括第一講話人的語音信號(hào);基于第一講話人的語音特征,運(yùn)行TSE算法以對(duì)第一麥克信號(hào)進(jìn)行降噪;在檢測到TSE算法的運(yùn)行停...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種存儲(chǔ)控制器、存儲(chǔ)芯片、存儲(chǔ)系統(tǒng)和電子設(shè)備,屬于存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域。該存儲(chǔ)控制器與存儲(chǔ)芯片連接,存儲(chǔ)芯片包括外圍電路和多個(gè)存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)器件和選通器件。其中,存儲(chǔ)控制器用于:控制外圍電路向待讀取的至少一個(gè)存儲(chǔ)單...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)、操作方法及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。其中,該存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括:存儲(chǔ)器裝置以及與所述存儲(chǔ)器裝置耦接的存儲(chǔ)器控制器;其中,所述存儲(chǔ)器控制器,被配置為:響應(yīng)于讀取命令,確定所述讀取命令對(duì)應(yīng)的待讀取數(shù)據(jù)的寫入和讀出的時(shí)間差所屬的時(shí)...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開一種存儲(chǔ)器裝置、編程方法及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該存儲(chǔ)器裝置,包括:存儲(chǔ)單元陣列;所述存儲(chǔ)單元陣列包括存儲(chǔ)塊;所述存儲(chǔ)塊包括多個(gè)存儲(chǔ)單元以及與所述多個(gè)存儲(chǔ)單元偶接的多個(gè)字線;以及,外圍電路,與所述多個(gè)字線耦接,且被配置為:響應(yīng)于對(duì)所述...
          • 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其控制方法、電子設(shè)備。該存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器控制器。存儲(chǔ)器控制器與所述存儲(chǔ)器裝置耦接,且被配置為:存儲(chǔ)響應(yīng)于暫停指令所執(zhí)行的暫停操作的次數(shù),以及,在接收所述暫停指令后,判斷當(dāng)前執(zhí)行操作...
          • 本公開提供了一種存儲(chǔ)器裝置及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),該存儲(chǔ)器裝置包括:存儲(chǔ)器陣列以及與所述存儲(chǔ)器陣列耦接的外圍電路;所述存儲(chǔ)器陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)單元串以及與所述存儲(chǔ)單元串的一端耦接的導(dǎo)電線;所述外圍電路被配置為:在第一編程...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開一種存儲(chǔ)器裝置及存儲(chǔ)器系統(tǒng)。其中,該存儲(chǔ)器裝置包括:第一堆疊;其中,所述第一堆疊包括:第一溝道結(jié)構(gòu);沿所述第一溝道結(jié)構(gòu)的長度方向形成的多個(gè)第一存儲(chǔ)單元;與所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元一一耦接的多個(gè)第一字線;與所述多個(gè)第一字線一一耦接...
          • 本發(fā)明提供了一種基于深度學(xué)習(xí)的超材料微波吸收器的設(shè)計(jì)方法,包括數(shù)據(jù)的獲取和卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的訓(xùn)練。首先搭建了一個(gè)正向預(yù)測的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型,即由超材料微波吸收器的結(jié)構(gòu)預(yù)測其對(duì)應(yīng)的吸收率和紅外發(fā)射率;對(duì)于逆向設(shè)計(jì)模型,加入了自編碼器來進(jìn)行數(shù)據(jù)降維...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N微笑模擬的交互方法、系統(tǒng)及電子設(shè)備,包括:顯示第一界面,第一界面包括第一用戶管理或查看牙齒診療信息的操作界面,第一界面包括第一控件,第一控件用于觸發(fā)微笑模擬導(dǎo)引功能;響應(yīng)于第一控件的操作,顯示第二界面,第二界面用于生成跳轉(zhuǎn)信息...
          • 本申請(qǐng)涉及一種參數(shù)設(shè)置方法和醫(yī)學(xué)設(shè)備。該方法包括:獲取醫(yī)學(xué)設(shè)備的用戶交互界面中設(shè)置當(dāng)前協(xié)議參數(shù),并對(duì)當(dāng)前協(xié)議參數(shù)進(jìn)行合理性校驗(yàn),得到參數(shù)校驗(yàn)結(jié)果,進(jìn)而根據(jù)參數(shù)校驗(yàn)結(jié)果輸出參數(shù)設(shè)置提示信息。其中,參數(shù)設(shè)置提示信息用于指示對(duì)醫(yī)學(xué)設(shè)備當(dāng)前協(xié)議參數(shù)...
          • 本申請(qǐng)涉及一種無鹵阻燃絕緣線纜及其制備方法,包括內(nèi)芯、包覆于內(nèi)芯的粘結(jié)層以及包覆于粘結(jié)層的防護(hù)層;防護(hù)層包括:聚乙烯樹脂、第一礦物粉、玻璃粉、硅酸鋁纖維、阻燃劑、成陶助劑、粘結(jié)劑以及相容劑;粘結(jié)層包括:乙烯?醋酸乙烯酯共聚物、共聚酰胺、增粘...
          • 本公開涉及一種含Ce釹鐵硼磁體,其中,含Ce釹鐵硼磁體包含薄殼層晶粒、反殼層晶粒和厚殼層晶粒;反殼層晶粒的核部的HRE含量高于殼部的HRE含量;厚殼層晶粒的殼部的HRE含量高于核部的HRE含量;薄殼層晶粒的殼部的HRE含量高于核部的HRE含...
          • 本發(fā)明提供一種壓力控制器以及注塑工裝的新技術(shù)方案。壓力控制器包括氣箱組件和控制組件,控制組件包括基座和罩體,罩體罩設(shè)于基座,氣箱組件包括氣箱主體;基座的部分位于罩體外,基座與氣箱主體的支撐面固定連接,支撐面的與基座接觸的位置與支撐面的邊緣形...
          • 本發(fā)明提供了一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法,包括:提供襯底;形成第一電極層,其在第一類金屬線上方具有第一開口;形成介電層及形成第二電極層,其在第二類金屬線上方具有第二開口;依次交替形成剩余的介電層及電極層,其中奇數(shù)電極層依次位于第一...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N三維無源器件及其制備方法,三維無源器件包括第一無源元件和第二無源元件,第一無源元件的兩個(gè)電極和第二無源元件的第一電極設(shè)置于玻璃基板的第一面,第二無源元件的第二電極設(shè)置于玻璃基板的第二面,第二面的表面粗糙度小于或等于5nm。本...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法、電子設(shè)備。其中,芯片封裝結(jié)構(gòu)包括:基板;芯片,芯片設(shè)于基板上;封裝層,封裝層設(shè)于基板上且環(huán)繞芯片,封裝層上形成有至少一個(gè)第一倒角結(jié)構(gòu),第一倒角結(jié)構(gòu)設(shè)于封裝層上相鄰的兩個(gè)側(cè)壁之間。本申請(qǐng)能夠降低芯片封...
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